公开(公告)号：CN116875952A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310839299.9

申请日：2023-07-10

Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 ,  贵研铂业股份有限公司

Inventor： 王传军 ,  闻明 ,  巢云秀 ,  沈月 ,  施晨琦 ,  许彦亭 ,  李思勰 ,  刘牛 ,  普志辉

IPC: C23C14/35 ,  B22F3/14 ,  B22F3/24

Abstract: 本发明公开了一种低氧高密度Ru溅射靶材、制备方法及其用途，该溅射靶材氧含量小于50ppm，表面粗晶层厚度小于50um，平均晶粒尺寸2‑8微米，晶界处孔洞呈近球形，直径小于1um，靶材相对密度大于理论密度的99％。制备方法以具有形貌和粒径分布可控的高纯钌粉为原料，通过真空热压烧结法制备钌靶材；通过对真空度控制、加压烧结获得靶材坯料，最终获得具有低氧高密度且具有良好机加工性能的溅射靶材。本发明通对粉末形貌和粒径分布以及真空热压烧结工艺的控制，改善了钌靶氧含量高、表面粗晶层厚、致密度低、机加工性能差等缺点，获得低氧含量和高致密度且加工性能好的溅射靶材，避免常规热压烧结工艺制备的靶材加工困难的缺点。

公开(公告)号：CN114293157A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111501941.X

申请日：2021-12-09

Applicant: 贵研铂业股份有限公司

Inventor： 闻明 ,  管伟明 ,  周利民 ,  王传军 ,  普志辉 ,  许彦亭 ,  沈月 ,  李思勰 ,  巢云秀 ,  王一晴

IPC: C23C14/34 ,  C22C19/05

Abstract: 本发明公开了一种由易氧化金属镀膜保护制备的高均质NiCrPt合金溅射靶材及其制备方法，所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt％的Ni、Cr、Pt金属组成，其中Cr10~30at%，Pt1~4.5at%，余量为Ni，外加总质量比0.01~0.08%的除氧剂；基材表面保护镀膜厚度≤5μm；所述溅射靶材致密度≥99.5%，且无肉眼可见的缺陷，氧含量≤30ppm，靶材晶粒均匀，其平均粒径为20~100μm；所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理，降低基材氧含量，基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层，抑制“夹生”脆性氧化物，提高了靶材优材率，降低了表层去除深度，减少靶材浪费，节约成本。

公开(公告)号：CN103789588A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410039237.0

申请日：2014-01-27

Applicant: 贵研铂业股份有限公司

Inventor： 蔡宏中 ,  胡昌义 ,  魏燕 ,  戴红 ,  郑旭 ,  祁小红 ,  王云 ,  普志辉 ,  陈力 ,  李永年 ,  宁远涛

IPC: C22C23/00 ,  C22C1/02

Abstract: 本发明涉及一种遇海水即自溶的镁基合金材料及其制备方法。该合金材料的主要合金元素成分为(wt%)：Mg：余，Ni：0.2～2。以电解级原料进行合金材料的配制，其中电解Mg纯度≥99.99%，电解Ni纯度≥99.95%。以马弗炉为加热炉，高纯石墨坩埚为熔炼坩埚，圆形的石墨模具中为浇铸模，进行合金材料的熔炼及浇铸，制备海水自溶材料合金棒锭坯。熔炼时中采用39%KCl+61%MgCl2为覆盖剂，可有效的避免合金熔炼过程中的氧化烧损及氧化物夹杂的产生。预制的合金棒锭坯根据实际使用尺寸的需要，通过机械加工，切片及多道次的打磨，抛光后，即可做为成品海水自溶材料。该材料适用于多种水下航行体及海洋通讯设备的自沉销毁装置，可有效提高自沉销毁装置的可靠性。

公开(公告)号：CN116970853A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310862536.3

申请日：2023-07-14

Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 ,  贵研铂业股份有限公司

Inventor： 赵琪 ,  许彦亭 ,  闻明 ,  施晨琦 ,  李治东 ,  普志辉 ,  刘牛 ,  卯明辉

IPC: C22C27/04 ,  B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  B22F1/145 ,  B22F1/12 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明涉及一种钨钛靶材坯料的制备方法，包括：1)先通过纯钨粉体和纯钛粉体进行高能球磨增加两者表面缺陷程度，有利于提高烧结阶段的钨钛之间的扩散程度；2)对钨钛混合粉体进行通氢还原降低其表面氧含量；3)添加氢化钛粉体与钨钛混合粉体进行二次均匀化球磨，利用氢化钛在预烧结阶段的分解产氢作用降低块体钨钛靶材坯料内部的含氧量；4)利用预烧结和致密化烧结实现钨钛靶材坯料气体含量降低和微观结构可控性制备；5)利用热压塑性变形处理进一步提高钨钛靶材坯料的致密度和钨钛之间的扩散程度。本发明实现了对于钨钛靶材坯料致密度的提高、含氧量的降低和微观结构的可控性制备，所制备的钨钛靶材服役性能得到了提高。

公开(公告)号：CN115415351A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211047631.X

申请日：2022-08-30

Applicant: 贵研铂业股份有限公司

Inventor： 沈月 ,  普志辉 ,  闻明 ,  王传军 ,  陈天天 ,  巢云秀 ,  周利民 ,  许彦亭 ,  宋修庆

IPC: B21C25/02 ,  B22D11/04 ,  C21D9/00 ,  C22F1/02 ,  C22F1/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。

公开(公告)号：CN111270210B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202010186065.5

申请日：2020-03-17

Applicant: 贵研铂业股份有限公司

Inventor： 闻明 ,  张仁耀 ,  管伟明 ,  郭俊梅 ,  谭志龙 ,  王传军 ,  沈月 ,  许彦婷 ,  毕珺 ,  普志辉

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/105 ,  B22F3/14 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法，钌溅射靶材呈现(002)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1‑10μm，氧含量100 ppm以内；所述(002)晶面与(101)晶面积分强度比不低于3。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1‑10μm的钌粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得钌溅射靶材性能优异，高致密度和(002)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的钌薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高生产效率，极大地节约制备成本。

公开(公告)号：CN111304608B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202010186265.0

申请日：2020-03-17

Applicant: 贵研铂业股份有限公司

Inventor： 闻明 ,  郭俊梅 ,  管伟明 ,  谭志龙 ,  王传军 ,  周利民 ,  宋修庆 ,  沈月 ,  普志辉 ,  许彦婷

IPC: C23C14/35 ,  B22D7/00 ,  C21D9/00 ,  C22C1/02 ,  C22C5/04 ,  C22C19/03 ,  C22F1/02 ,  C22F1/10 ,  C22F1/14 ,  B30B15/34

Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶材含镍为1~23.5wt%或30~99wt%，余量为铂，其致密度不低于99.5%，晶粒尺寸5~50μm，其中含镍为1~23.5wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3；含镍为30~99wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。

公开(公告)号：CN103408316A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310311186.8

申请日：2013-07-23

Applicant: 贵研铂业股份有限公司

Inventor： 胡昌义 ,  魏燕 ,  蔡宏中 ,  郑旭 ,  陈力 ,  祁小红 ,  普志辉 ,  王云

IPC: C04B37/02 ,  C23C16/06

Abstract: 本发明公开了一种可以实现C/SiC（碳纤维增强碳化硅复合材料）复合材料与其他金属可靠、牢固连接的连接结构和连接方法。该方法以金属铌（Nb）、氢气和氯气为原料，使用化学气相沉积（CVD）的方法在C/SiC复合材料上沉积Nb（以下简称CVDNb），制备CVDNb/（C/SiC）复合材料接头。以CVDNb为过渡连接材料，与其他金属（如镍基合金、钛合金、铌合金）等焊接，从而实现C/SiC复合材料制备的各类异型器件与其他金属器件的组装。CVDNb在C/SiC复合材料表面的沉积过程中即产生元素扩散和界面反应，形成良好的结合，无需进行后续热处理。该连接方法对C/SiC复合材料器件外形的尺寸精度要求低，该连接结构简单，气密性能良好，连接强度大，使用温度高，连接可靠性高，尤其适用于航天航空用C/SiC复合材料结构件的连接问题。

公开(公告)号：CN117921021A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311669336.2

申请日：2023-12-07

Applicant: 贵研铂业股份有限公司 ,  云南贵金属实验室有限公司

Inventor： 普志辉 ,  巢云秀 ,  刘子其 ,  王传军 ,  闻明 ,  周利民 ,  施晨琦 ,  李治东 ,  刘牛 ,  朱武勋

IPC: B22F9/30 ,  B22F1/142 ,  B22F1/145 ,  C22B11/02 ,  C22B11/00 ,  C22B7/00

Abstract: 本发明公开了一种从铱残靶及其机加工废料中回收制备高纯铱粉的方法，包括如下步骤：(1)铱残靶及其机加工废料预处理；(2)混碱液化；(3)氧化造液；(4)选择性晶化；(5)热分解+高温氢氛围脱氧；(6)酸煮除杂。通过本发明可实现铱残靶及其机加工废料中回收提纯高纯铱粉，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，粉末均匀性较好，可用作信息存储用铱溅射靶材原料。

公开(公告)号：CN117733168A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311669319.9

申请日：2023-12-07

Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 ,  贵研铂业股份有限公司

Inventor： 巢云秀 ,  陈大钊 ,  刘子其 ,  闻明 ,  周利民 ,  李思勰 ,  普志辉 ,  黄通 ,  何云帅 ,  朱武勋

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/145 ,  B22F1/142 ,  C22B7/00 ,  C22B11/00 ,  B22F1/065

Abstract: 本发明公开了一种从玫瑰金残靶及其镀件废料回收制备高纯金粉的方法，包括如下步骤：(1)玫瑰金残靶及其镀件废料预处理；(2)造液；(3)金选择性还原；(4)酸洗除杂；(5)煅烧。通过本发明可实现玫瑰金残靶及其镀件废料中回收制备高纯金粉，金的直收率＞99.5％，本发明的工艺流程简单，粉末形貌为球形，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，可用作电子行业用高纯金及其合金靶材原料。