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公开(公告)号：CN115533447B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202211044447.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀、取向分布趋于一致。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)异径异步叠轧；4)同径同步轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法工艺简单、易于工业化生产，制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN115415351B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211047631.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN114293157B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202111501941.X
申请日：2021-12-09
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高均质NiCrPt合金溅射靶材的制备方法，所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt％的Ni、Cr、Pt金属组成，其中Cr10~30at%，Pt1~4.5at%，余量为Ni，外加总质量比0.01~0.08%的除氧剂；基材表面保护镀膜厚度≤5μm；所述溅射靶材致密度≥99.5%，且无肉眼可见的缺陷，氧含量≤30ppm，靶材晶粒均匀，其平均粒径为20~100μm；所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理，降低基材氧含量，基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层，抑制“夹生”脆性氧化物，提高了靶材优材率，降低了表层去除深度，减少靶材浪费，节约成本。
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公开(公告)号：CN114318255A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111500588.3
申请日：2021-12-09
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种由易氧化金属镀膜保护制备的高致密NiV合金溅射靶材及其制备方法，所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt％的Ni和V金属组成，其中V：5~8wt％，Ni：92~95wt％；所述基材表面有易氧化金属保护镀膜，其膜层厚度≤5μm；溅射靶材致密度≥99.5%，且表面无肉眼可见的缺陷，氧含量低于30ppm，靶材的晶粒尺寸均匀，其平均晶粒尺寸为10~30μm；所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理，降低基材氧含量，基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层，抑制“夹生”脆性氧化物，提高了靶材优材率，降低了表层去除深度，减少靶材浪费，节约成本。
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公开(公告)号：CN117570861A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544426.9
申请日：2023-11-20
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属薄膜厚度无损测量方法。本发明首先将光刻胶涂抹在清洗干净后的待镀膜基底上，基底表面部分被光刻胶覆盖，胶覆盖面积及厚度均无特殊要求，胶固化后覆盖膜边缘为平直线；然后在带有部分覆盖膜的基底上沉积金属薄膜；最后将镀膜后的基底置于酒精中超声清洗，除去覆盖膜及上面的金属薄膜，露出未镀膜的基底，采用原子力显微镜(AFM)测量未镀膜基底与金属薄膜高度差，这一差值即为金属膜厚度。上述金属薄膜厚度测量方法具有快速、便捷的特点，制得薄膜台阶截面光滑，对基底和薄膜均不会产生破坏，测量得到膜厚精确度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115415351A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211047631.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN117773139A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311669325.4
申请日：2023-12-07
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种信息存储用高纯球形钌粉的制备方法，所述高纯球形钌粉先由氯钌酸或氯钌酸盐溶液、选择性沉淀剂、稀散剂制得高纯球形钌前驱体沉淀，再经热分解反应、氢氛围脱氧、酸煮纯化工艺制备获得。所述高纯钌粉形貌为球形，纯度≥99.999％，流散性及均一性好，平均粒径＜5μm，可用于信息存储用高纯钌及其合金靶材用高纯钌粉及其合金靶材原料。
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公开(公告)号：CN116875952A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310839299.9
申请日：2023-07-10
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低氧高密度Ru溅射靶材、制备方法及其用途，该溅射靶材氧含量小于50ppm，表面粗晶层厚度小于50um，平均晶粒尺寸2‑8微米，晶界处孔洞呈近球形，直径小于1um，靶材相对密度大于理论密度的99％。制备方法以具有形貌和粒径分布可控的高纯钌粉为原料，通过真空热压烧结法制备钌靶材；通过对真空度控制、加压烧结获得靶材坯料，最终获得具有低氧高密度且具有良好机加工性能的溅射靶材。本发明通对粉末形貌和粒径分布以及真空热压烧结工艺的控制，改善了钌靶氧含量高、表面粗晶层厚、致密度低、机加工性能差等缺点，获得低氧含量和高致密度且加工性能好的溅射靶材，避免常规热压烧结工艺制备的靶材加工困难的缺点。
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公开(公告)号：CN114293157A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111501941.X
申请日：2021-12-09
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种由易氧化金属镀膜保护制备的高均质NiCrPt合金溅射靶材及其制备方法，所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt％的Ni、Cr、Pt金属组成，其中Cr10~30at%，Pt1~4.5at%，余量为Ni，外加总质量比0.01~0.08%的除氧剂；基材表面保护镀膜厚度≤5μm；所述溅射靶材致密度≥99.5%，且无肉眼可见的缺陷，氧含量≤30ppm，靶材晶粒均匀，其平均粒径为20~100μm；所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理，降低基材氧含量，基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层，抑制“夹生”脆性氧化物，提高了靶材优材率，降低了表层去除深度，减少靶材浪费，节约成本。
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公开(公告)号：CN114289727A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111501964.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高均质微粒径高纯钌粉及其制备方法，所述高纯钌粉的由重量百分浓度的钌离子水溶液、沉淀剂和分散保护剂制备得到；所述高纯钌粉纯度≥99.999%，近球形，分散性好，平均粒径＜3μm；所述高纯钌粉由前驱体制备、前驱体煅烧、前驱体还原、钌粉纯化工艺制备获得。本发明采用化学液相法通过改变反应条件的一种或几种可以有效低控制反应进程，有效控制反应生成物的粒径、形貌；选择了不参与反应、易溶于水的高分子树脂作为分散保护剂，通过物理吸附作用，能有效控制反应生成物的粒径大小，使形貌趋于球形生长，同时改善分散性，助于获得高均质优分散性的产物。本发明获得具有尺寸稳定的微米粒径钌粉，其尺度在1~3μm之间得到控制。从附图可见钌粒子具有尺度均匀、呈类球形的特点，颗粒间分散性好。
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