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公开(公告)号：CN112272015B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202011240566.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，包括：底电极、压电膜结构及顶电极；其中，压电膜结构包括至少两层叠置的压电膜，相邻两层压电膜之间具有不同的欧拉角；当在压电膜结构中激发厚度剪切波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电向量均满足模长且相邻两层压电膜的压电向量位于不同象限；当在压电膜结构中激发厚度伸缩波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电系数e33的绝对值均大于0.5C/m2，且相邻两层压电膜的压电系数e33符号相反。通过本发明提供的声波谐振器，解决了现有技术中通过降低压电膜厚度来提高声波谐振器工作频率所导致的器件机械结构稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN113130376A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110395087.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本申请涉及一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，该方法包括步骤S101～S107，通过该步骤S101～S107可以实现任意多层异质单晶薄膜衬底结构，且各异质单晶薄膜间的结合为范德华力结合，异质单晶薄膜之间的键合十分牢固；另外，本申请实施例提供的一种任意多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，可将多种具有不同功能的薄膜集成于一片衬底，用于多功能三维异质集成芯片的实现。
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公开(公告)号：CN119420313A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411557180.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种可重构的声学谐振器及其制备方法，所述声学谐振器包括支撑衬底；位于支撑衬底上的具有凹槽的压电膜；凹槽中设置有发热金属层；位于发热金属层上的第二绝缘介质层；位于压电膜上的第一汇流条、第二汇流条、叉指电极以及相变开关；其中，第一汇流条、第二汇流条相对设置于压电膜的边缘表面；叉指电极设置于第一汇流条与第二汇流条之间，叉指电极包括固定电极以及调谐电极；相变开关的两端均与调谐电极连接。本发明压电膜上的叉指电极通过相变开关与汇流条连接，可以通过控制单元对相变开关进行状态控制，以实现调谐电极的电位可控，从而使得压电膜上的电学条件发生变化，进而实现声学谐振器的频带移动。
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公开(公告)号：CN116318023B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310354290.9
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种兰姆波谐振器及滤波器，通过调控局部薄膜的厚度来改善声阻抗的匹配性，包括在第一材料区中的压电薄膜中设置凹槽，或在第二材料区中的压电薄膜下方形成介质层，以对由叉指电极构成的具有厚度差的兰姆波谐振器进行局部厚度调整，使得第一材料区与第二材料区沿厚度方向交错设置，以抑制兰姆波谐振器的杂散模式，并根据该谐振器构建响应的滤波器，以抑制由杂散模式带来的通带性能恶化现象，从而有助于高频大带宽声学谐振器的发展。
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公开(公告)号：CN115001438B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210732455.7
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及异质集成器件制备技术领域，提供了一种纵向泄漏声表面波谐振器的结构及滤波器，声波谐振器的结构包括衬底，设置在衬底上的压电薄膜，设置在压电薄膜上的电极阵列。电极阵列包括叉指电极阵列和反射栅电极阵列，反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距小于叉指电极阵列中叉指电极的中心间距。基于本申请实施例提供的一种非标准反射栅结构，通过减小反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距，可以提高反射栅电极阵列的反射频率区间，从而可以抑制纵向泄漏波的杂散模式，提高声波谐振器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118212907A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410191478.0
申请日：2024-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可重构的声学波导。所述波导器件包括衬底、换能器、波导；其中所述换能器包括第一换能器和第二换能器，且第一换能器和第二换能器分别设于波导两侧；所述换能器设于衬底表面，波导材料为冰纤。本发明可以利用升温使得冰融化，进而可以在原来的衬底材料的基础上实现波导的重构，避免额外的加工给实验带来不必要的影响。
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公开(公告)号：CN118209628A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410186256.X
申请日：2024-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种复合衬底的电声换能结构及其制备方法和应用，所述结构包括：提供一支撑衬底(1)；位于所述支撑衬底(1)上方的压电薄膜(2)；位于所述压电薄膜(2)上方的金属电极；所述金属电极由第一汇流条(3)和第二汇流条(4)组成；所述第一汇流条(3)位于所述第二汇流条(4)内部。本发明既可以通过输入电学信号激发弹性波，也可以对物体中的弹性波进行探测，使得激励和检测都可通过本发明的结构实现。
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公开(公告)号：CN118017963A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410104774.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种悬空型的兰姆波器件，通过使用非极化a面氮化铝(AlN的C轴位于器件平面)，基于声表面波的电极结构激发S0模式即可达到与传统FBAR结构相近的机电耦合系数，可实现由光刻尺寸定义的谐振频率，且由于AlN的高声速能够形成高频器件。并通过在悬空的AlN两侧沉积介质层，可以有效抑制其他的杂散模式。
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公开(公告)号：CN114362709B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111467176.4
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明提供一种声学谐振器及其制备方法。该声学谐振器由于在第一支撑层内设有弹性波陷阱结构；弹性波陷阱结构的弹性力学参数与支撑衬底的材料的弹性力学参数不相等，该弹性波陷阱结构可以阻碍谐振器工作模式向衬底的传播，将能量约束在衬底上方压电薄膜上表面处，从而减少了声波能量向衬底的泄漏，可以提高器件的品质因数，并拓宽了谐振器工作模式的选择范围，提高了工作频率和带宽。
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公开(公告)号：CN116633304A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310732219.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅 晶向；压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。
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