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公开(公告)号：CN113178501A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110366557.7
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种柔性光伏组件及其制备方法，从下至上依次是正面封装薄膜、封装胶膜、太阳能电池串、封装胶膜、背板衬底，所述太阳能电池串由太阳能电池通过互联条互联而得；其中，所述太阳能电池正反两面设置有细栅线电极、与细栅线交叉的主栅线电极，以及与主栅线电极相连接的分布于太阳能电池边缘两侧的互联点；所述互联条贴合于所述互联点表面。本发明可显著改善传统焊带焊接带来应力集中、隐裂增加以及电池片柔性降低问题，提升柔性组件的弯曲率，增加柔性组件的抗机械振动性和使用可靠性，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN112271144A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011089582.7
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池耐湿热可靠性的测试方法，包括在太阳能电池表面喷涂钠盐溶液，然后进行耐湿热环境可靠性测试，根据可靠性测试前后的电学参数变化量，确定电池耐湿热可靠性能力。本发明可以快速有效的检验太阳电池耐环境气候的可靠性和稳定性，节约组件湿热可靠性试验时间和组件制作成本，提高耐湿热测试的效率和时效性。
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公开(公告)号：CN111640815A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010476722.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法，包括：提供一经过制绒清洗得到的表面清洁的柔性晶体硅衬底；在柔性衬底的相对两侧分别沉积非晶硅薄膜钝化层；在非晶硅薄膜钝化层上分别沉积第一TCO薄膜形成第一受光面和具有增强的红外波段光谱响应的背反射复合薄膜形成第二受光面，其中，背反射复合薄膜由第二TCO薄膜和金属纳米颗粒构成；在第一TCO薄膜和背反射复合薄膜上分别形成金属栅极。本发明利用第二受光面中不同分布的金属纳米颗粒的表面等离子体激元效应增强红外波段的光谱响应，克服柔性硅异质结太阳电池由于基底厚度不足引起的红外区域光谱响应差的缺点，有效提升柔性硅异质结太阳电池的短路电流和转换效率。
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公开(公告)号：CN111403554A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010226291.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 本发明涉及一种太阳电池的制备方法，包括如下步骤：S1，分别提供金属化复合膜和太阳电池芯片，其中，在铜丝上包覆低温合金以得到导电细丝，然后通过复合膜支撑导电细丝来得到金属化复合膜，其中，太阳电池芯片具有导电层；S2，将金属化复合膜铺设在太阳电池芯片的导电层上，通过热压使金属化复合膜和导电层形成欧姆接触通路，得到太阳电池。本发明还提供由上述制备方法得到的太阳电池。根据本发明的制备方法，完全省去了传统丝网金属化技术所消耗的银浆成本，在保持量产效率和成品率的前提下可减少传统金属化电极遮挡损伤和金属化烧结损耗，使太阳电池的光电转化效率最大化。
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公开(公告)号：CN106282963B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610840597.X
申请日：2016-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置，生长方法包括以下步骤：1）提供沉积衬底及磁场生成单元，将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内，且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行；2）将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内，采用化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅。在非晶硅生长过程中，通过引入与沉积衬底表面相平行的磁场，磁场可以偏转反应气体中的高速带电粒子，降低所述高速带电粒子对非晶硅生长表面的刻蚀，实现了非晶硅生长速率的大幅提升；同时，非晶硅的微观结构、带隙和折射率与不加磁场干扰时一致。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681889B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310732585.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种引入驻极体结构的高效太阳能电池及制备方法，其特征在于在常规太阳能电池结构中引入驻极体薄层，以增加太阳能电池的光电转化效率。引入的驻极体结构为以下四种中任一种：①通过对太阳能电池的表面钝化减反射薄膜进行驻极体化处理，使其具有驻极体功能；②或在太阳能电池表面单独沉积驻极体薄层；③或通过在组件封装中引入具有驻极体性质的封装材料；④或是在太阳能电池或组件制备完成后，通过驻极体化手段处理，在电池或组件中诱导出驻极体薄层。本发明不仅适用于晶体硅电池，也适用非晶硅薄膜电池、碲化镉电池、砷化镓电池、铜铟镓硒电池、染料敏化电池和有机电池等其他类型的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN106282963A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610840597.X
申请日：2016-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置，生长方法包括以下步骤：1）提供沉积衬底及磁场生成单元，将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内，且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行；2）将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内，采用化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅。在非晶硅生长过程中，通过引入与沉积衬底表面相平行的磁场，磁场可以偏转反应气体中的高速带电粒子，降低所述高速带电粒子对非晶硅生长表面的刻蚀，实现了非晶硅生长速率的大幅提升；同时，非晶硅的微观结构、带隙和折射率与不加磁场干扰时一致。
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公开(公告)号：CN104393121B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410581435.X
申请日：2014-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0376 , H01L31/028
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法，所述用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜的制备方法包括步骤：提供一晶体硅衬底，采用化学气相沉积工艺于所述晶体硅衬底表面沉积掺氧非晶硅锗薄膜。本发明通过调节反应气体流量中氧和锗浓度可以得到带隙连续可调的致密掺氧非晶硅锗薄膜材料，该材料利用氧、锗元素可以抑制界面外延和调节材料带隙的作用，实现空穴载流子的有效收集，从而有效提高异质结晶体硅太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN103681889A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310732585.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/0481 , H01L31/186
Abstract: 本发明涉及一种引入驻极体结构的高效太阳能电池及制备方法，其特征在于在常规太阳能电池结构中引入驻极体薄层，以增加太阳能电池的光电转化效率。引入的驻极体结构为以下四种中任一种：①通过对太阳能电池的表面钝化减反射薄膜进行驻极体化处理，使其具有驻极体功能；②或在太阳能电池表面单独沉积驻极体薄层；③或通过在组件封装中引入具有驻极体性质的封装材料；④或是在太阳能电池或组件制备完成后，通过驻极体化手段处理，在电池或组件中诱导出驻极体薄层。本发明不仅适用于晶体硅电池，也适用非晶硅薄膜电池、碲化镉电池、砷化镓电池、铜铟镓硒电池、染料敏化电池和有机电池等其他类型的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN111312859B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202010140012.X
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
Abstract: 本发明涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量。本发明还提供上述的制备方法得到的重掺杂型硅基薄膜。本发明又提供上述的重掺杂型硅基薄膜在异质结晶体硅太阳电池上的应用。根据本发明的重掺杂型硅基薄膜的制备方法，能够提高硅基薄膜的掺杂效率，对进一步获得高效率异质结晶体硅太阳电池具有突出的意义。
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