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公开(公告)号：CN102268224B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201010189145.2
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液，此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准，包含下列重量百分比的原料组分：氧化硅抛光颗粒0.2-30wt％；表面活性剂0.01-4wt％；有机添加剂0.01-5wt％；pH调节剂和水性介质为余量；所述化学机械抛光液的pH值范围为9-12。本发明的化学机械抛光液氧化硅薄膜去除速率可控，可满足半导体应用中氧化硅介电材料在CMP工艺中的要求。
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公开(公告)号：CN101872839B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201010188978.7
申请日：2010-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种稳定阈值电压的低功耗的相变存储器及其制造方法，该相变存储器包括：上电极、下电极、位于上、下电极之间的相变材料层以及与所述相变材料层接触的保温层；所述相变材料层的厚度大于3nm，并且小于等于d，d为擦操作时在所述相变材料层底面从下电极边缘到非晶区域边缘的最小距离。本发明提出了最佳的相变材料层厚度，一方面能够有效的限制相变区域，保证器件操作时获得稳定的阈值电压，另一方面有效地控制热量分布，提高器件操作的热效率，降低器件功耗。
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公开(公告)号：CN103325940A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310213980.9
申请日：2013-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制造方法，本发明在不增加工艺复杂度的情况下，巧妙简单地在第一下电极与相变材料层之间形成具有真空孔洞的第二下电极，提高器件的加热效率促使恰好能够实现RESET操作的有效操作区域减小，不仅降低功耗，减低操作电流，尤其是减小多晶向非晶转化时的操作电流，还可以提高器件的热稳定性，其中，一方面减小器件操作对周围存储单元的串扰，提高器件密度，另一方面减小多晶向非晶转化造成成分偏析的程度，有效地提升器件良率和读写次数。从而，应用本发明相变存储单元的相变存储器具有低功耗、高密度和高热稳定性等特点，是一种可实现对信息的写入、擦除和读出功能的非易失性半导体存储器。
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公开(公告)号：CN103246610A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210032785.1
申请日：2012-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于单类型存储器的嵌入式系统的动态存储管理方法，该嵌入式系统包括预存有内核及文件系统启动加载信息和引导程序的启动程序存储区及建置有内核及文件系统的系统RAM区，该方法是在引导程序启动后，基于启动信息加载内核与文件系统；然后在系统RAM区标记出已用内存区及可用内存区；最后系统接收到更新或搬移指令时，申请系统RAM区中是否有连续可用的内存块，若是，则写入内核或文件系统的更新或搬移数据，若否，则整理该可用内存区中的碎片并将各该碎片合并成连续可用的内存块，以将内核或文件系统的更新或搬移数据写入该内存块，本发明模糊了内存与外存的界限，统一了存储架构，把外存管理纳入了内存管理之中，解决了不便管理等问题。
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公开(公告)号：CN101807545B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010130588.4
申请日：2010-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8222 , H01L21/329 , H01L21/324 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种二极管及电阻转换存储器的制造方法，其中的单晶硅的制备是通过在特定金属上沉积多晶硅薄膜，采用退火工艺，利用特定金属对多晶硅结晶的诱导作用，在较低温度下使多晶硅薄膜结晶形成单晶硅，随后采用半导体工艺制造二极管阵列及基于该种二极管的电阻转换存储器。本发明的特点在于可在较低的温度下制造二极管，且能在多层堆叠的集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN103050620A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110306748.0
申请日：2011-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，该相变材料是由Al，Te两种元素组成的相变材料，通式为Al2Tex，其中，1≤x≤30，且所述相变材料在电信号操作下可以实现高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变。本发明的Al-Te系列相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换，在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Sb-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。短脉宽的电脉冲（5ns）仍然能对Al-Te基相变存储器进行正常操作，满足了高速数据存储的需求。并且基于Al-Te系列相变材料的相变存储器在循环擦写107次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。
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公开(公告)号：CN102978588A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210537558.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法，包括：1）在基底上引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）向上述基底引入Ti的前驱体TiCl4脉冲，清洗残余的TiCl4，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗残余(R3Si)2Te和反应副产物；3）向上述基底引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入Sb的前驱体(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物。采用本发明方法制备的钛-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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公开(公告)号：CN102117823B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201010532660.6
申请日：2010-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，该纳米结构是柱状的，柱状结构中包含具有开关特性的选通管和电阻转换存储单元，此外还可包含电极。本发明提出的自带选通管的电阻转换存储纳米结构及其制造方法.解决超小尺寸电阻转换纳米线与大尺寸选通管的矛盾，避开低效率、高难度集成问题，实现电阻转换纳米线与选通管的无缝对接，最终通过低成本的方法实现超高密度、高性能的电阻转换存储器阵列的高效制造。
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公开(公告)号：CN102779941A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210300829.4
申请日：2012-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种低功耗的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括上下两个电极，该上下两个电极中至少一个为由两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成的多层结构。本发明还提供了制作低功耗相变存储器的方法，本发明所制作的相变存储器有效地将焦耳热抑制在相变材料区域，提高了加热效率，降低了器件功耗。
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公开(公告)号：CN101430930B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810200269.9
申请日：2008-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压调低，从而获得较大的输出电流；而在读操作或者存储器待机时，则不调整阈值电压或将晶体管的阈值电压调高，此外待机时还可获得较低的漏电流，提升存储器在待机时的稳定性，避免串扰。通过阈值电压的降低，在RESET和SET编程时调低阈值电压；采用该发明选通相变存储器，可以减小场效应晶体管的长度，即提升了场效应晶体管选通相变存储器芯片的密度。
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