-
公开(公告)号：CN115183863A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210635538.4
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01H17/00
Abstract: 本发明提供一种低温波导噪声源。该噪声源包括：矩形波导、匹配负载和控温装置；矩形波导包括依次连接的输入段、过渡段和输出段；匹配负载设在输入段的内部；输入段用于置于液氮内冷却匹配负载；过渡段的导热性低于输入段和输出段的导热性；控温装置设在输出段；控温装置用于控制输出段的输出端温度处于设定的温度。本发明能够通过控温装置控制输出端温度恒定；通过过渡段减少输入端和输出端的热传导，减少输入端对输出端温度的影响，确保稳定输出低反射系数热噪声。同时过渡段减少输出端的热量损耗，降低控温装置的功耗。另外，过渡段的隔热作用，可以减少输入端的热量增加，进而减少冷却输入端的液氮挥发，节省了液氮的用量。
-
公开(公告)号：CN114993460A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210633571.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01H17/00
Abstract: 本发明提供一种抗结霜低温波导噪声源。该噪声源包括矩形波导，矩形波导的输入端设置有刀口法兰密封模块，矩形波导内部气压大于设定的正气压时，刀口法兰密封模块的刀口处产生漏气，矩形波导内部气压小于等于设定的正气压时，刀口法兰密封模块的刀口处于密封状态。矩形波导的输出端依次设有第一波导法兰和第二波导法兰，波导法兰之间设有用于密封波导法兰中心通孔的聚四氟乙烯薄膜。矩形波导的侧壁设置有气孔。气孔用于对矩形波导吹填氦气或抽真空。本发明能够通过在输入端设置刀口法兰密封模块，吹填氦气大于设定的正气压时在刀口处排出空气，抽真空时大气压强压紧刀口、构成真空腔。实现了既可以采用吹填氦气方式又可以采用抽真空方式抗结霜。
-
公开(公告)号：CN114114120A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111291413.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种校准件制备的方法及校准件。该方法包括：确定传输线横截面尺寸；当所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；基于所述最优横截面尺寸设置多组传输线，确定所述多组传输线中特征阻抗与预设阻抗值最接近的目标传输线，并基于所述目标传输线确定对应的校准件尺寸；根据所述校准件尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值。本发明能够提高设计成功率和效率，有效克服工艺误差带来的偏差。
-
公开(公告)号：CN111983539A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010707691.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了一种在片S参数测量系统校准方法，该方法包括：采用未校准的在片S参数测量系统测量LRRM校准标准的直通标准、匹配负载、两个反射标准，得到直通原始转移参数矩阵、匹配负载的阻抗测量值、两个反射标准的阻抗测量值；根据直通原始转移参数矩阵、匹配负载的阻抗测量值、两个反射标准的阻抗测量值、以及预设的参量转换关系式确定八项误差模型和误差网络的比例关系；基于比例关系对直通原始转移参数矩阵进行修正，得到修正后的转移参数矩阵，并根据开关项修正方法以及修正后的转移参数矩阵对在片S参数测量系统进行校准。本发明提供的在片S参数测量系统校准方法能够实现在片S参数的准确测量。
-
公开(公告)号：CN111983312A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010717525.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R23/20
Abstract: 本发明适用于微波、毫米波测试技术领域，提供了一种噪声参数的确定方法及终端设备，该方法包括：获取阻抗调配器内部探针位置以及每个探针位置对应的第一源阻抗值；根据确定的最佳源反射系数估计值、幅度参数列表、相位参数列表以及最大幅度值，计算第二源阻抗值；根据每个第二源阻抗值，确定第一源阻抗值对应的源阻抗点中与每个第二源阻抗值对应的源阻抗点距离最近的源阻抗点为目标源阻抗点；确定每个目标源阻抗点对应的目标源阻抗值对应的内部探针位置；根据每个目标源阻抗值对应的内部探针位置，计算噪声参数。本发明减少了用于计算噪声参数的待测量参数的数量，大大提高测量效率，降低了噪声参数的计算复杂度，且计算的噪声参数的准确度高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109444721B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811554687.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供一种检测S参数的方法及终端设备，该方法包括：采用基本校准件进行矢量校准，获取8‑term误差模型；根据所述8‑term误差模型中的系统误差项进行串扰修正，测量放置在被测件位置的至少两个串扰标准件，获取两项串扰项；根据所述8‑term误差模型中的系统误差项以及所述两项串扰项进行矢量校准，测量所述被测件，获取所述被测件的S参数。可以解决高频在片测试过程探针与探针之间串扰误差项的影响，并且解决在串扰修正过程中单个串扰标准引起的随机误差较大问题，进一步提高高频在片S参数的测量准确度。
-
公开(公告)号：CN111781479A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010091791.9
申请日：2020-02-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于半导体微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型建立方法，包括：建立在片校准件等效电路，所述在片校准件等效电路包括偏置传输线、第一电容、第二电容、第一电感和第一电阻；通过设置所述在片校准件等效电路中的第一电容的电容值、第二电容的电容值、第一电感的电感值和第一电阻的电阻值，将所述在片校准件等效电路转换为开路标准件校准模型、短路标准件校准模型和负载标准件校准模型。本发明提供的在片校准件模型建立方法将各个类型的标准件校准模型进行了整合，方便对在片校准件模型进行统一的分析，简化了在片校准件模型的分析过程，提高了在片校准件模型的分析准确度。
-
公开(公告)号：CN109444717B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811469568.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明适用于太赫兹在片测量技术领域，提供了一种新型在片S参数误差校准方法和装置。该方法包括：在测试系统未连接探针时，在波导端面进行二端口校准；在测试系统连接所述探针时，在两个探针端面分别进行一端口校准；在被测件的衬底上制作与被测件的长度相等的串扰校准件，根据所述串扰校准件对被测件的串扰误差进行校准。本发明可以实现高频在片S参数校准过程中串扰误差的准确表征与修正，提高高频在片S参数测量误差修正的准确度。
-
公开(公告)号：CN109444721A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811554687.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供一种检测S参数的方法及终端设备，该方法包括：采用基本校准件进行矢量校准，获取8-term误差模型；根据所述8-term误差模型中的系统误差项进行串扰修正，测量放置在被测件位置的至少两个串扰标准件，获取两项串扰项；根据所述8-term误差模型中的系统误差项以及所述两项串扰项进行矢量校准，测量所述被测件，获取所述被测件的S参数。可以解决高频在片测试过程探针与探针之间串扰误差项的影响，并且解决在串扰修正过程中单个串扰标准引起的随机误差较大问题，进一步提高高频在片S参数的测量准确度。
-
公开(公告)号：CN109444717A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811469568.2
申请日：2018-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明适用于太赫兹在片测量技术领域，提供了一种新型在片S参数误差校准方法和装置。该方法包括：在测试系统未连接探针时，在波导端面进行二端口校准；在测试系统连接所述探针时，在两个探针端面分别进行一端口校准；在被测件的衬底上制作与被测件的长度相等的串扰校准件，根据所述串扰校准件对被测件的串扰误差进行校准。本发明可以实现高频在片S参数校准过程中串扰误差的准确表征与修正，提高高频在片S参数测量误差修正的准确度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
109
records
(took 0.051 seconds)
