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公开(公告)号：CN115219040A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210634977.3
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于显微热成像技术领域，提供了瞬态热反射测试方法、系统、装置及终端设备，该瞬态热反射测试方法包括：获取被测器件的热反射系数和被测器件在周期激励条件下热平衡后的平均温度；在周期激励条件不变的情况下，选定测量时延和参考时延，基于测量时延和参考时延，得到相机测量灰度值和相机参考灰度值；基于相机测量灰度值、相机参考灰度值、热反射系数和平均温度，得到测量时刻被测器件的温度；将被测器件的温度按照测量时延从小到大的顺序排序，得到被测温度随时间的变化情况。本申请瞬态热反射测试结果受强度漂移的影响较小，提高了测试结果的准确度。
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公开(公告)号：CN113866511A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110989553.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种在片电容测量系统和测量方法。其中。在片电容测量系统包括：电容测试设备；探针测试系统，包括探针座，对称分布在探针座两侧的第一组探针和第二组探针，以及设置在探针座上的第一组连接线和第二组连接线，第一组连接线与第一组探针连接，第二组连接线与第二组探针连接；标准电容、开路器和在片直通线，用于与电容测试设备和探针测试系统连接；通过电容测试设备、探针测试系统、标准电容、开路器和在片直通线测试待测在片电容的电容值。本发明提供的在片电容测量系统，可实现待测在片电容参数到标准电容的溯源，从而保证待测在片电容的测量结果与现有溯源体系下的标准电容结果之间的可比性，从而实现在片电容的准确测量。
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公开(公告)号：CN110310272B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910585005.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种图像配准方法及终端设备，该方法包括：获取不同材料构成的被测件的参考图像和对比图像；根据参考图像和对比图像上的预设特征点，获取被测件相对探测器的位置改变量；根据位置改变量反复调整热反射成像测温装置上的纳米位移台的位置，并获取每次纳米位移台位置调整后的被测件的新图像；根据新图像与参考图像，确定新图像中与参考图像误差最小的新图像为有效图像，从而可以修正被测件在由于震动、被测件热膨胀等造成的热反射成像测温过程中发生在二维方向的位置改变，实现较高的测温准确度。
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公开(公告)号：CN106526322B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610956483.1
申请日：2016-10-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种可溯源的在片高值电阻测量系统，属于测试和测量技术领域。可溯源的在片高值电阻测量系统包括高值电阻测量仪器、探针系统，高值电阻测量仪器和探针系统通过线缆连接，探针系统包括探针一组和探针二组，所述高值电阻测量仪器与探针一组连接或与探针二组连接。其溯源方法为，高值电阻测量仪器通过线缆与探针一组连接，标准高值电阻通过线缆与探针二组连接；在片直通对接线连接探针一组和探针二组。本发明的测量系统能够提供可溯源的在片高值电阻参数测试数据，使得在片高值电阻测试数据的准确性可验证，不同系统的测试数据之间可比较。其溯源方法可以实现参数溯源并提供关于测试数据的不确定度信息。
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公开(公告)号：CN106198615B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610485401.X
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓功率器件管壳接触热阻测量方法，涉及功率器件热阻检测技术领域。本发明包括以下步骤：用瞬态红外测温设备测量器件两种接触热阻条件下的降温曲线；用结构函数法得到两条降温曲线的两条积分结构函数曲线；利用积分结构函数曲线得到结壳热阻的值，即接触热阻的起点；平移低热阻曲线得到高热阻条件下的接触热阻，平移高热阻曲线得到低热阻条件下的接触热阻。本发明利用瞬态红外测温设备测量器件在两种不同热阻抗条件下的降温曲线，用结构函数法分析两条降温曲线，得到积分结构函数曲线，经过两次曲线对比确定接触热阻，实现对氮化镓功率器件管壳与载体接触热阻的测量，准确性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105785304B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610307574.2
申请日：2016-05-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供了一种用于校准在片高值电阻测量系统的标准件，涉及计量技术领域。本发明的标准件包括衬底，在衬底上注入硼离子，在注入硼离子的衬底上设有若干对金属电极，每一对金属电极构成一个独立单元，在同一个衬底上的所有的金属电极的高度和长度相同，不同独立单元中的金属电极两个电极之间的间距均相等，金属电极的宽度是自同一衬底的行和列的一端开始呈递增或递减排列；衬底的外形尺寸及金属电极的外形尺寸和个数根据需要校准的目标阻值而定。本发明提出的标准件具有良好的重复性和长期稳定性，可以满足高值电阻测量系统计量校准的需要，确保量值准确一致。
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公开(公告)号：CN112525385B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011134908.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种热阻测量仪器校准系统，包括：校温装置、测温装置、上位机和热阻标准件；校温装置用于控制热阻标准件处于预设温度下，向热阻标准件输入预设测试电流，并测量热阻标准件的第一结电压；测温装置用于向热阻标准件输入预设工作电流，待热阻标准件的结温稳定后，测量热阻标准件的第二结电压；上位机用于根据预设温度、第一结电压、第二结电压确定热阻标准件的标准热阻值，标准热阻值用于对热阻测量仪器进行校准。本发明利用已标定准确热阻值的热阻标准件对热阻测量仪器进行校准，能够解决现有技术中的热阻测量仪器测量结果准确度低、一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN112097949B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010797316.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种光热反射测温方法及装置，所述方法包括：控制被测件处于预设初始温度，采集被测件此时的反射率，得到第一反射率；控制被测件的温度升高ΔT0，在被测件温度改变的同时向被测件通入电流，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第二反射率；控制通电被测件的温度降低ΔT0，温度稳定后采集通电被测件的反射率，得到第三反射率；基于第一反射率、第二反射率和第三反射率确定被测件的温度变化量。本发明能够一次性测量被测件的温度变化量，节省电流周期性变化时等待被测件温度稳定所需的时间，提高测量效率。
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公开(公告)号：CN112820715A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011579083.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种校准用晶圆级在片电阻标准样片及制备方法，属于半导体工艺过程监控设备校准技术领域。所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，包括：晶圆片和制作在所述晶圆片上的多个芯片单元；所述芯片单元的结构中包括：多组不同量级的标称电阻系列和分别与每组所述标称电阻系列一一对应的短路器，所述标称电阻系列包括以标称值为中心、以预设值为步进、阵列设置的多个标称电阻；所述标称电阻系列的阻值范围为：0.1Ω‑10kΩ。本发明所述校准用晶圆级在片电阻标准样片，用于PCM设备在片电阻参数的整体校准，填补国内PCM设备该参数相应范围内校准领域的空白，确保PCM设备小电阻测量数据的准确、一致，保障半导体器件工艺稳定性与产品质量。
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公开(公告)号：CN112820714A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011578776.3
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/522 , H01L49/02
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级电容标准样片及制备方法，属于半导体工艺过程监控设备校准技术领域。所述晶圆级电容标准样片，包括：晶圆片和制作在所述晶圆片上的多个芯片单元；所述芯片单元的结构中包括：多组量级不同的标称电容系列和分别与每组所述标称电容系列一一对应的开路器，所述标称电容系列包括以标称值为中心、以预设值为步进、阵列设置的多个标称电容；所述标称电容系列的容值范围为：0.5pF‑100pF。本发明所述晶圆级电容标准样片，用于PCM设备在片电容参数的整体校准，填补国内PCM设备该参数相应范围内校准领域的空白，确保PCM设备高频小电容测量数据的准确、统一，保障半导体器件工艺稳定性与产品质量。
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