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公开(公告)号：CN101868850A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880104937.6
申请日：2008-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/32137 , H01L21/28 , H01L21/28008 , H01L21/306 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上，形成突状形式的绝缘层，所述突状形式的绝缘层具有面以及从所述面向上方直立起来的直立面；以覆盖所述突状形式的绝缘层的方式形成导电层；以及在大于等于85mTorr的高温条件下，对所述半导体衬底施加大于等于70mW/cm2的偏置功率，并且通过利用了将微波作为等离子体源的微波等离子体的蚀刻处理，对所述导电层的预定区域进行图案化并去除。
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公开(公告)号：CN101861641A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200880116223.7
申请日：2008-10-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32192 , H01J37/32266 , H01J37/32954 , H05H1/46
Abstract: 等离子体处理装置11包括：天线部13，其将微波作为等离子体源，并且生成等离子体以在腔室内形成等离子体的电子温度相对高的第一区域25a和等离子体的电子温度比第一区域25a低的第二区域25b；第一配置单元，其使半导体衬底W位于第一区域25a内；第二配置单元，其使半导体衬底W位于第二区域25b内；以及停止等离子体生成单元，其在使半导体衬底W位于第二区域25b的状态下，使得由等离子体生成单元进行的等离子体的生成停止。
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公开(公告)号：CN100541729C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200580032890.3
申请日：2005-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/32082 , H01J37/32192
Abstract: 一种用于处理衬底的等离子体处理系统包括包含第一室部分和第二室部分的处理室，第一室部分被配置为接收用于提供等离子体空间的第一气体，第二室部分被配置为接收用于提供处理空间的第二气体，第二气体具有处理化学剂以处理衬底。衬底夹持器耦合到处理室的第二室部分，并且被配置为支撑紧邻处理空间的衬底，等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置为在等离子体空间中形成等离子体。栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体空间和处理空间之间的等离子体扩散以基于处理气体形成处理化学剂。
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公开(公告)号：CN117096027A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310564019.8
申请日：2023-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 提供适当地蚀刻包含含金属膜的基板的技术。本公开涉及的等离子体处理方法为在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包含(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具有包含第一含硅膜的蚀刻对象膜和所述蚀刻对象膜上的第一含金属膜，所述第一含金属膜包含开口图案；以及(b)蚀刻所述蚀刻对象膜的工序。所述(b)包含向所述腔室内供给包含含碳、氢以及氟的一种以上的气体的处理气体，在所述腔室内由所述处理气体生成等离子体，蚀刻所述第一含硅膜而在所述第一含硅膜上形成所述开口图案的工序，所述处理气体所包含的氢原子的数量与氟原子的数量的比例为0.3以上。还提供一种等离子体处理系统。
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公开(公告)号：CN101868850B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880104937.6
申请日：2008-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/32137 , H01L21/28 , H01L21/28008 , H01L21/306 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上，形成突状形式的绝缘层，所述突状形式的绝缘层具有面以及从所述面向上方直立起来的直立面；以覆盖所述突状形式的绝缘层的方式形成导电层；以及在大于等于85mTorr的压力条件下，对所述半导体衬底施加功率密度大于等于70mW/cm2的偏置功率，并且通过利用了将微波作为等离子体源的微波等离子体的蚀刻处理，对所述导电层的预定区域进行图案化并去除所述导电层的预定区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102210015A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980145127.X
申请日：2009-11-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/76229
Abstract: 一种使用等离子体蚀刻装置的蚀刻方法，该等离子体蚀刻装置具备有处理容器、载置台、微波供给单元、气体供给单元、排气装置、向载置台供给交流偏置电力的偏置电力供给单元和控制交流偏置电力的偏置电力控制单元，其中偏置电力控制单元以下述方式对交流偏置电力进行控制：交替地重复向载置台的交流偏置电力的供给和停止，使得供给交流偏置电力的期间与供给交流偏置电力的期间和停止交流偏置电力的期间的合计期间之比在0.1以上0.5以下。
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公开(公告)号：CN100580887C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200580040949.3
申请日：2005-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西塚哲也
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23F4/00 , H01J37/32192 , H01L21/32136
Abstract: 本发明是一种用于在能够被抽空以在其中产生真空的处理容器中，在等离子体存在的情况下在待处理物体上执行蚀刻处理的蚀刻方法，在待处理物体中，在由含硅材料制成的基底层上形成有由含钨材料制成的待蚀刻层，其中含氯气体、含氧气体和含氮气体被用作用于执行蚀刻处理的蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN101548364A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000772.8
申请日：2008-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/461 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H05H1/46 , Y10T428/24273
Abstract: 公开了一种顶板，设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部。
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公开(公告)号：CN101310367A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200780000157.2
申请日：2007-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西塚哲也
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J2237/334
Abstract: 本发明涉及等离子体蚀刻方法，该方法使用处理气体的等离子体实施蚀刻。该蚀刻处理对包括基板(101)、在该基板上形成的基底膜(102、103)、以及在该基底膜上形成的蚀刻对象膜(104)的被处理体(W)实行处理。使用由含氯气体以及含氧气体构成的主蚀刻气体和含氮气体作为处理气体。该蚀刻方法的特征在于，在从等离子体的发光光谱求出的N2+的强度与N2的强度的比N2+/N2为0.6以上的条件下，进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN101069272A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200580040949.3
申请日：2005-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 西塚哲也
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23F4/00 , H01J37/32192 , H01L21/32136
Abstract: 本发明是一种用于在能够被抽空以在其中产生真空的处理容器中，在等离子体存在的情况下在待处理物体上执行蚀刻处理的蚀刻方法，在待处理物体中，在由含硅材料制成的基底层上形成有由含钨材料制成的待蚀刻层，其中含氯气体、含氧气体和含氮气体被用作用于执行蚀刻处理的蚀刻气体。
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