-
公开(公告)号：CN110504157B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201910410303.3
申请日：2019-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。本公开的基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，将基板载置台调温至第一温度来对基板进行处理；以及第二处理工序，将所述基板载置台调温至比所述第一温度高的第二温度来对所述基板进行处理，其中，在将所述基板载置台从所述第一温度向所述第二温度进行调温时，使维持所述冷却器的设定温度的第一流量的所述制冷剂从所述冷却器向所述制冷剂流路流通，并且使所述加热器工作，在将所述基板载置台从所述第二温度向所述第一温度进行调温时，使流量比所述第一流量多的第二流量的所述制冷剂从所述冷却器向所述制冷剂流路流通，并且使所述加热器工作、或者使所述加热器停止工作。
-
公开(公告)号：CN111417742B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201880074074.6
申请日：2018-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/683
Abstract: 在未形成等离子体的气氛下对基板进行处理时，能够可靠性较高地对该基板进行吸附，在基板的面内进行均匀性较高的处理。构成具备以下构件的装置：直流电源(35)，其正极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的一者连接，负极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的另一者连接，用于在处理容器(11)内未形成等离子体的状态下向位于与基板(W)相接的处理位置的导电构件(4)和电极(32)之间施加电压，利用由此产生的静电吸附力使基板(W)吸附于静电卡盘(3)的电介质层(31)；以及处理气体供给部(28)，在使基板(W)吸附于电介质层(31)的状态下，向该基板(W)供给处理气体并进行处理。
-
公开(公告)号：CN101082125B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200610140313.2
申请日：2006-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/45517 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32522
Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。
-
公开(公告)号：CN101840878A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010136279.8
申请日：2010-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C14/50 , H01J37/34 , H01L21/68785
Abstract: 本发明提供了一种能够充分进行处理容器内的脱气处理形成高真空，并且能够耐受高温的载置台结构。该载置台结构(32)载置被处理体以便在被处理体(W)上形成含有金属的薄膜，该载置台结构具有：内部埋入有卡盘用电极(34)和加热器(36)的陶瓷制的载置台(38)；与载置台的周边部的下表面连接的金属制的凸缘部(100)；通过螺钉(126)与凸缘部接合并且在内部形成有用于流通制冷剂的制冷剂通路(40)的金属制的基台部(42)；和设置在凸缘部和基台部之间的金属密封部件(130)。
-
公开(公告)号：CN101205605A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610168334.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/06 , C23C16/22
Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119465097A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411490145.4
申请日：2019-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供基板保持机构、成膜装置及成膜方法。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板，该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设于载物台内；以及加热器，其加热载物台，利用约翰逊·拉别克力将被处理基板静电吸附于载物台的表面，载物台具有：密合区域，其呈环状，位于载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与被处理基板密合，而具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及槽部，其呈环状设于载物台的表面的比密合区域靠外侧的部分，能够累积由原料气体生成的导电性沉积膜。
-
公开(公告)号：CN111508869A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010078725.8
申请日：2020-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , C23C16/16 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种恰当地控制传热气体的供给的基板处理装置的控制方法和基板处理装置。具备用于在主体容器内载置基板的载置台、环状构件、气体导入部、排气部、以及向背面空间供给传热气体或将传热气体排出的传热气体供给排气部的基板处理装置的控制方法包括以下工序：将基板载置于载置台，将环状构件载置于基板进行按压；在传热气体供给排气部中，准备向背面空间供给的传热气体的压力；从传热气体供给排气部向背面空间供给传热气体；从气体导入部向主体容器内导入气体来对基板实施处理；第一排气工序，经由节流孔从背面空间排出传热气体；以及第二排气工序，在第一排气工序之后，从背面空间排出传热气体；以及从基板拆卸环状构件。
-
公开(公告)号：CN111218671A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911173253.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供基板保持机构和成膜装置。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板，该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设于载物台内；以及加热器，其加热载物台，利用约翰逊·拉别克力将被处理基板静电吸附于载物台的表面，载物台具有：密合区域，其呈环状，位于载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与被处理基板密合，而具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及槽部，其呈环状设于载物台的表面的比密合区域靠外侧的部分，能够累积由原料气体生成的导电性沉积膜。
-
公开(公告)号：CN101840878B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010136279.8
申请日：2010-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C14/50 , H01J37/34 , H01L21/68785
Abstract: 本发明提供了一种能够充分进行处理容器内的脱气处理形成高真空，并且能够耐受高温的载置台结构。该载置台结构(32)载置被处理体以便在被处理体(W)上形成含有金属的薄膜，该载置台结构具有：内部埋入有卡盘用电极(34)和加热器(36)的陶瓷制的载置台(38)；与载置台的周边部的下表面连接的金属制的凸缘部(100)；通过螺钉(126)与凸缘部接合并且在内部形成有用于流通制冷剂的制冷剂通路(40)的金属制的基台部(42)；和设置在凸缘部和基台部之间的金属密封部件(130)。
-
公开(公告)号：CN102414340A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018904.7
申请日：2010-09-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C14/358 , C23C14/50 , H01J37/321 , H01J37/32577 , H01J37/3405
Abstract: 本发明提供一种载置台构造，其载置用于通过等离子体溅射形成金属膜的被处理体，并且外周侧隔着绝缘用的间隙被与接地侧连接的保护罩部件包围。本发明的载置台构造包括：由导电性材料构成，将上述被处理体载置于其上表面一侧且兼用作电极的载置台主体；离开上述载置台主体的下方配置且相对上述载置台主体以绝缘状态设置的由导电性材料构成的基台；支承上述基台且与接地侧连接的支柱；与上述载置台主体连接且供给偏压用的高频电力的高频供电线；和在施加有高频电力的热侧与接地侧之间形成的功率稳定用电容器部。上述功率稳定用电容器部的静电电容被设定为大于在上述载置台主体与上述保护罩部件之间形成的杂散电容的静电电容。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.026 seconds)
