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公开(公告)号：CN101622693A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006410.X
申请日：2008-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/5096 , H01L21/02527 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的形成方法。该方法使用在处理容器内配置了上部电极和下部电极的平行平板型等离子体CVD装置，并且具有在下部电极上配置基板的步骤；和在向处理容器内供给一氧化碳和惰性气体的同时，至少对上部电极施加高频电力，产生等离子体，通过把一氧化碳分解，在基板上堆积无定形碳，而成膜的步骤。并且理想的是，上部电极是碳电极。
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公开(公告)号：CN108220922B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201711274133.8
申请日：2017-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/517 , C23C16/455 , C23C16/28
Abstract: 本发明涉及应用于半导体装置的成膜方法、硼膜以及成膜装置。在被调整为处理容器(2)内为0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范围内的压力的处理氛围中供给包含含硼气体的反应气体、例如B2H6气体和He气体，并使反应气体等离子体化。利用该等离子体，在晶圆形成硼膜。通过利用等离子体的能量进行成膜，能够使成膜处理时的温度下降，由此能够抑制热的影响地形成硼膜。硼膜的蚀刻耐性强、具备高的蚀刻选择比，因此作为半导体装置材料是有用的。
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公开(公告)号：CN104051673A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410096344.7
申请日：2014-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H05B33/04 , H05B33/10
Abstract: 本发明提供一种能够抑制水分浸入到有机EL元件的有机器件的制造方法、有机器件的制造装置以及有机器件。该有机器件的制造方法包括以下工序：输入工序，输入在第1密封层之上形成有中间层的基板，该第1密封层用于将一个或多个隔离壁部和阳极上的有机层密封；以及回蚀工序，对形成在上述基板上的中间层进行回蚀，执行上述回蚀工序，直至上述一个或多个隔离壁部中的至少一个隔离壁部上的第1密封层的至少一部分自上述中间层暴露到能够与在下一工序中成膜的第2密封层相接触的程度为止。
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公开(公告)号：CN103403847A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010531.8
申请日：2012-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 石川拓
IPC: H01L21/318 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/10
CPC classification number: C23C16/345 , C23C14/165 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/511 , H01L51/5253
Abstract: 本发明提供一种在收纳于处理容器内的基板上形成氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法，对上述处理容器内供给包含硅烷类气体、氮气和氢气的处理气体，使上述处理气体激发而生成等离子体，实施利用该等离子体进行的等离子体处理而在基板上形成氮化硅膜。上述氮化硅膜作为有机电子器件的密封膜使用。在利用上述等离子体进行的等离子体处理中，将上述处理容器内的压力维持为20Pa～60Pa。
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公开(公告)号：CN103080365A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040720.5
申请日：2011-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/544 , C23C14/545 , H01L51/001 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种蒸镀处理装置和蒸镀处理方法，能够在基板上形成薄膜的同时进行膜厚的控制。蒸镀处理装置利用蒸镀在基板上形成薄膜，其中，该蒸镀处理装置包括：自由减压的材料供给部，其用于供给材料气体；以及成膜部，其用于在上述基板上形成薄膜，上述成膜部具有用于对向上述基板喷射的材料气体的蒸气浓度进行测量的检测部件，该蒸镀处理装置设有控制部，该控制部根据上述检测部件的测量结果来控制成膜条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102948255A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180031181.9
申请日：2011-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/005 , H01L51/5253 , H05B33/04
Abstract: 本发明提供密封膜形成方法、密封膜形成装置及有机发光元件。能够以比以往技术更短的时间及低成本形成抗透湿性较高的密封膜。在用于形成用于密封有机EL元件（12）的密封膜（13）的密封膜形成方法中，在有机EL元件（12）的表面上形成第一无机层（13a），在第一无机层（13a）之上形成碳氢化合物层（13c），通过使碳氢化合物层（13c）软化或熔化而使其平坦化，使碳氢化合物层（13c）固化，使碳氢化合物层（13c）固化后，在碳氢化合物层13c之上形成比第一无机层（13a）厚的第二无机层（13e）。
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公开(公告)号：CN102348777A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201080011827.2
申请日：2010-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 石川拓
CPC classification number: H01L51/5012
Abstract: 通过使用电子温度比较低的高密度等离子体的方法，以含有碳-氮(C-N)键的碳氢化合物作为材料气体，形成稳定地含有(C-N)键、缺陷少、特性良好的a-CN:Hx膜，提供使用了a-CN:Hx膜的有机器件。使用含有C-N键的碳氢化合物和氮或氨作为材料气体进行发光层的成膜，在发光层的下部形成空穴注入输送层，在发光层的上部形成电子注入层，可以得到以非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜作为发光层的有机器件。
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公开(公告)号：CN101484984A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780025512.1
申请日：2007-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 石川拓
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供一种无定形碳膜的后处理方法，其特征在于，其是在基板上成膜后施加了伴随加热的处理的无定形碳膜的进一步的后处理方法，该方法在进行伴随加热的处理后，立即进行防止无定形碳膜氧化的处理。
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公开(公告)号：CN104051673B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201410096344.7
申请日：2014-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制水分浸入到有机EL元件的有机器件的制造方法、有机器件的制造装置以及有机器件。该有机器件的制造方法包括以下工序：输入工序，输入在第1密封层之上形成有中间层的基板，该第1密封层用于将一个或多个隔离壁部和阳极上的有机层密封；以及回蚀工序，对形成在上述基板上的中间层进行回蚀，执行上述回蚀工序，直至上述一个或多个隔离壁部中的至少一个隔离壁部上的第1密封层的至少一部分自上述中间层暴露到能够与在下一工序中成膜的第2密封层相接触的程度为止。
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公开(公告)号：CN101796885B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200880105074.4
申请日：2008-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 石川拓
CPC classification number: H01L51/56 , C23C16/345 , C23C16/45523 , H01L51/5256
Abstract: 通过在缓和应力的同时具有高密封能力并且不改变有机元件特性的保护膜来保护有机元件。在基板处理装置Sys中，包括沉积装置PM1、第一微波等离子体处理装置PM3以及第二微波等离子体处理装置PM4的基板处理装置10被配置成群集构造，并且在将从基板G被运入到运出为止的基板G所移动的空间保持在期望的减压状态下制造有机电子设备。在沉积装置PM1中形成有机EL元件，在第一微波等离子体处理装置PM3中，通过微波的功率将丁炔气体等离子化，并以与有机EL元件邻接并覆盖所述有机元件的方式形成aCHx膜54，在第二微波等离子体处理装置PM4中，通过微波功率将丁炔气体和氮气等离子化，并在aCHx膜54上形成SiNx膜55。
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