公开(公告)号：CN101241859A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810008693.3

申请日：2008-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 昆泰光 ,  早川欣延

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法等，该方法当隔着在有机膜的上层形成的由含硅膜构成的掩模对有机膜进行等离子体蚀刻时，能够抑制在有机膜的侧壁部分发生弯曲、下陷情况，能够得到良好的蚀刻形状。将图形化的SiON膜(103)作为掩模，进行有机膜(102)的等离子体蚀刻，形成开口(108)。在该有机膜(102)等离子体蚀刻中，使用由含有含氧(O)气体、稀有气体、碳氟化合物气体(CF系气体)的混合气体构成的处理气体。

公开(公告)号：CN103594352B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310632816.1

申请日：2011-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川显 ,  冈崎雄介 ,  早川欣延

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室

公开(公告)号：CN105702572A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510919395.X

申请日：2015-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田幸生 ,  早川欣延

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种能够抑制前端变细，并且在硅氮化物形成期望的开口径的孔的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括：对等离子体处理装置内供给包括氧和碳氟化合物的处理气体的第一步骤；和将处理气体等离子体化，隔着第一掩膜(106)对被处理体的硅氮化物层(106a)进行蚀刻的第二步骤，第二步骤是通过将被处理体的温度从第一温度T1(80℃)缓慢下降到第二温度T2(40℃)，在使由处理气体生成的有机膜(ad)附着于第一掩膜(106)的开口的内壁的状态下执行的。

公开(公告)号：CN101241859B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200810008693.3

申请日：2008-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 昆泰光 ,  早川欣延

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法等，该方法当隔着在有机膜的上层形成的由含硅膜构成的掩模对有机膜进行等离子体蚀刻时，能够抑制在有机膜的侧壁部分发生弯曲、下陷情况，能够得到良好的蚀刻形状。将图形化的SiON膜(103)作为掩模，进行有机膜(102)的等离子体蚀刻，形成开口(108)。在该有机膜(102)等离子体蚀刻中，使用由含有含氧(O)气体、稀有气体、碳氟化合物气体(CF系气体)的混合气体构成的处理气体。

公开(公告)号：CN101047113A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710091349.0

申请日：2007-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  早川欣延 ,  花冈秀敏 ,  儿玉法明 ,  舆水地盐 ,  岩田学 ,  田中谕志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/513 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够使通过电容耦合型的高频放电生成的等离子体密度的空间分布均匀化，并能够对其进行任意控制，提高等离子体的面内均匀性。本发明的等离子体处理装置，下部电极的基座(16)载置被处理基板(W)，通过高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。在基座(16)上方，与其平行的相对配置有上部电极(34)，隔着环状的绝缘体(35)以电浮起的状态安装在腔室(10)上。上部电极(34)的上面与腔室(10)的顶面之间设置有规定的间隔尺寸，其缝隙的一部分或全部形成真空空间(50)。该真空空间(50)的内壁的全部或一部分由片状的绝缘体(52)覆盖。