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公开(公告)号：CN109913853A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201811525037.0
申请日：2018-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及原料气体供给装置。在开始晶圆(100)的处理前进行的模拟制程中，测定载气的实际流量(Ca、Cb)和气化原料的实际流量(Pra、Prb)，求出表示载气与气化原料之间的相关度的校正系数(K0)。而且，使用校正系数(K0)来调整载气的流量以使气化原料的流量成为目标值。并且，根据第n-1张和第n张晶圆的处理时的载气的实际流量(Cn-1、Cn)和气化原料的实际流量(Prn-1、Prn)来求出表示载气的流量的增减量与气化原料的流量的增减量之间的相关度的校正系数(Kn)，向第n+1张晶圆供给使用校正系数(Kn)对流量以成为目标值的方式进行了调整的气化原料来进行处理。
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公开(公告)号：CN107818944A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710816549.1
申请日：2017-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C16/08 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45527 , C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45553 , H01L21/76877 , C23C16/08 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/76882
Abstract: 本发明提供一种使用钨填充凹部的方法。一实施方式的方法包括在成膜装置的腔室内准备衬底的工序，将第一循环执行一次以上的工序，和在将第一循环执行一次以上的工序之后，将第二循环执行一次以上的工序。第一循环和第二循环各自包括：将含钨的前体气体导入腔室的步骤；对腔室进行吹扫的步骤；将含氢气体导入腔室的步骤；和对腔室进行吹扫的步骤。该方法中，第二循环执行时的腔室的压力被设定为比第一循环执行时的腔室的压力低的压力。
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公开(公告)号：CN105990194A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610153582.6
申请日：2016-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种能够正确地检测到基板从载置台剥离的基板处理方法。基板处理装置(11)包括：收容基板(G)利用等离子体对该基板(G)实施等离子体蚀刻的腔室(20)；设置于该腔室(20)的内部的、用于载置基板(G)的载置台(21)；内置于该载置台(21)的、将基板(G)静电吸附于载置台(21)的静电吸附电极(27)；向该静电吸附电极(27)施加直流电压的直流电源(28)；供给用于生成等离子体的高频电力的等离子体生成用高频电源(41)；和用于监视被施加于静电吸附电极(27)的直流电压的直流电压监视器(46)，当由直流电压监视器监视的直流电压超过规定阈值时，等离子体生成用高频电源停止供给高频电力。
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公开(公告)号：CN110176399B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201910126852.8
申请日：2019-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C16/24 , C23C16/14 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种钨膜的成膜方法、成膜系统以及存储介质。提供能够谋求钨膜的低电阻化的技术。钨膜的成膜方法具有如下工序：将在表面形成有保护膜的基板配置于处理容器内、并在减压气氛下在基板对硅膜进行成膜的工序；向形成有硅膜的基板供给氯化钨气体而对初始钨膜进行成膜的工序；以及向形成有初始钨膜的基板供给含钨气体而对主钨膜进行成膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110923659B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201910875193.8
申请日：2019-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/14 , C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及成膜方法及基板处理系统。本发明的课题是提供能够密合性良好地形成低电阻的钨膜的技术。基于本公开的一个方式的成膜方法具备如下工序：在减压状态下在基底上形成含Al膜的工序；和，在前述形成含Al膜的工序之后，在将前述含Al膜不暴露于空气中的情况下，在减压状态下插入吹扫地交替重复进行B2H6气体的供给和WF6气体的供给，在前述含Al膜上形成初始钨膜的工序。
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公开(公告)号：CN107818944B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201710816549.1
申请日：2017-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C16/08 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种使用钨填充凹部的方法。一实施方式的方法包括在成膜装置的腔室内准备衬底的工序，将第一循环执行一次以上的工序，和在将第一循环执行一次以上的工序之后，将第二循环执行一次以上的工序。第一循环和第二循环各自包括：将含钨的前体气体导入腔室的步骤；对腔室进行吹扫的步骤；将含氢气体导入腔室的步骤；和对腔室进行吹扫的步骤。该方法中，第二循环执行时的腔室的压力被设定为比第一循环执行时的腔室的压力低的压力。
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公开(公告)号：CN109504952B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201811050750.4
申请日：2018-09-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及气体供给装置和成膜装置。提供一种能够使工艺开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一个实施方式的气体供给装置能够经由缓冲罐和第一高速开闭阀向处理容器内间歇地供给原料气体，所述气体供给装置具有与所述缓冲罐的次级侧连接并且能够对所述缓冲罐内进行排气的排气线以及设置于所述排气线的第二高速开闭阀。
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公开(公告)号：CN109504952A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811050750.4
申请日：2018-09-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及气体供给装置和成膜装置。提供一种能够使工艺开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一个实施方式的气体供给装置能够经由缓冲罐和第一高速开闭阀向处理容器内间歇地供给原料气体，所述气体供给装置具有与所述缓冲罐的次级侧连接并且能够对所述缓冲罐内进行排气的排气线以及设置于所述排气线的第二高速开闭阀。
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公开(公告)号：CN108531889A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810175365.6
申请日：2018-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种能够使处理开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置，其使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，包括：设置在所述原料容器和所述处理容器之间的缓冲罐；以能够将所述缓冲罐内和所述原料容器内排气的方式设置的压力调节通路；存储部，其存储向所述处理容器内供给所述原料气体进行了处理时的所述缓冲罐内的压力；和控制部，其控制在所述压力调节通路中进行排气的流量和对所述缓冲罐填充的所述原料气体和所述载气的流量，使得在向所述处理容器内供给所述原料气体之前，所述缓冲罐内的压力成为在所述存储部中所存储的压力。
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