公开(公告)号：CN114121589A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110967503.6

申请日：2021-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤原直树 ,  大秦充敬 ,  竹内贵广

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供使用3个电功率脉冲信号来提高处理性能的等离子体处理装置和等离子体处理方法，包括：生成至少3个功率水平的生成源RF脉冲信号的生成源RF生成部；第1及第2偏置RF生成部，其生成频率比生成源RF脉冲信号低的至少2个功率水平的第1及第2偏置RF脉冲信号；生成使生成源RF生成部、第1及第2偏置RF生成部同步的同步信号的同步信号生成部；第1匹配电路，其与生成源RF生成部和天线连接，使生成源RF脉冲信号从生成源RF生成部经由第1匹配电路被供给到天线；第2匹配电路，其与第1及第2偏置RF生成部和基片支承部连接，使第1及第2偏置RF脉冲信号从第1及第2偏置RF生成部经由第2匹配电路被供给到基片支承部。

公开(公告)号：CN113764249A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110585481.7

申请日：2021-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 郑和俊 ,  铃木雅弘 ,  保坂勇贵 ,  大秦充敬

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，能够在控制基板边缘处的倾斜的同时抑制基板的中央和中间区域的工艺变化。等离子体处理装置具有：等离子体处理容器；基板支承部，其配置于等离子体处理容器内，包括静电吸盘；第一环，其以包围静电吸盘上的基板的方式配置于静电吸盘上，包括内侧环状部分、中间环状部分以及外侧环状部分，内侧环状部分的上表面比中间环状部分的上表面高，外侧环状部分的上表面比内侧环状部分的上表面高；第二环，其配置于第一环的中间环状部分的上表面；以及致动器，其构成为使第二环沿纵向移动以将第二环的上表面维持为第一高度，第一高度比第一环的内侧环状部分的上表面的高度大且比第一环的外侧环状部分的上表面的高度小。

公开(公告)号：CN113097043A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202011490822.4

申请日：2020-12-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇田真代 ,  大秦充敬

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够使基板上的气体分布的控制性提高。等离子体处理装置具有腔室、天线组件、初级线圈、RF电源、气体喷头。腔室包括具有中央开口部的顶板，该腔室限定等离子体处理空间。天线组件配置于顶板的上方，天线组件具有中央区域、包围中央区域的第1周围区域、包围第1周围区域的第2周围区域，中央区域和第1周围区域在纵向上与中央开口部重叠。初级线圈配置于第2周围区域。RF电源构成为向初级线圈供给RF信号。气体喷头配置于中央开口部，具有暴露于等离子体处理空间内的底部，底部具有多个底部气体导入孔。

公开(公告)号：CN107078049A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580049735.6

申请日：2015-10-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  大秦充敬

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/683 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H01L27/105 ,  H01L28/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 在一实施方式的等离子体处理装置中，气体供给系统向处理容器内供给气体。等离子体源使由气体供给系统供给的气体激励。支承构造体在处理容器内保持被处理体。支承构造体构成为，将被处理体支承成可旋转且可倾斜。该等离子体处理装置还具备偏压电力供给部，该偏压电力供给部将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于支承构造体。

公开(公告)号：CN102683148A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210039725.2

申请日：2012-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 保坂勇贵 ,  古谷直一 ,  大秦充敬

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32577 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置与以往相比能够更细致地控制等离子体。该等离子体处理装置包括：第一接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露于处理空间的方式配置在处理腔室内，用于形成接地电位；第二接地构件，其与第一接地构件相对地设置在形成于处理腔室下部的排气空间内，由导电性材料形成，整体形状形成为环状，至少一部分暴露于排气空间，用于形成接地电位；接地棒，其在第一接地构件与第二接地构件之间上下运动，与第一接地构件及第二接地构件中的任一个接触，能够调整第一接地构件及第二接地构件的接地状态。