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公开(公告)号：CN108369909A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680073889.3
申请日：2016-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 等离子体处理装置(10)包括：隔挡件(61)、遮闭件(62)和驱动装置(70)。隔挡件(61)为圆筒形，在侧壁形成有多个贯通孔(61h)。遮闭件(62)为圆筒形，在隔挡件(61)的轴向上沿隔挡件(61)的侧壁可移动地设置于隔挡件(61)的周围。驱动装置(70)使遮闭件(62)沿隔挡件(61)的侧壁移动。多个贯通孔(61h)以遮闭件(62)越向下方移动，与遮闭件(62)的移动量对应的、没有被遮闭件(62)覆盖的合成传导率的变化量越增加的方式配置于隔挡件(61)的侧壁。
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公开(公告)号：CN109587924A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811138919.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧线圈(541)。内侧线圈设置在气体喷射部的周围。外侧线圈设置在气体喷射部和内侧线圈的周围。另外，构成外侧线圈的线路的两端开放，从高频电源(61)向该线路的中点或者该中点附近供电，外侧线圈在该中点的附近处接地，以从高频电源供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，关于内侧线圈，构成内侧线圈的线路的两端经由电容器相互连接，内侧线圈与外侧线圈感应耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117440590A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311444879.4
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧线圈(541)。内侧线圈设置在气体喷射部的周围。外侧线圈设置在气体喷射部和内侧线圈的周围。另外，构成外侧线圈的线路的两端开放，从高频电源(61)向该线路的中点或者该中点附近供电，外侧线圈在该中点的附近处接地，以从高频电源供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，关于内侧线圈，构成内侧线圈的线路的两端经由电容器相互连接，内侧线圈与外侧线圈感应耦合。
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公开(公告)号：CN112863987A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011309494.3
申请日：2020-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和气体导入方法。自腔室的侧壁向等离子体处理空间以不同的角度导入气体。该等离子体处理装置包括：腔室，具有侧壁和由所述侧壁包围的等离子体处理空间；第1侧部气体导入管线和第2侧部气体导入管线，构成为自所述侧壁向所述等离子体处理空间导入气体，所述第1侧部气体导入管线包括在所述侧壁的周围对称排列的多个第1侧部气体喷射器，所述多个第1侧部气体喷射器分别构成为向所述等离子体处理空间内以第1方向导入气体，所述第2侧部气体导入管线包括在所述侧壁的周围对称排列的多个第2侧部气体喷射器，所述多个第2侧部气体喷射器分别构成为向所述等离子体处理空间内以与所述第1方向不同的第2方向导入气体。
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公开(公告)号：CN117440590B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202311444879.4
申请日：2018-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧线圈(541)。内侧线圈设置在气体喷射部的周围。外侧线圈设置在气体喷射部和内侧线圈的周围。另外，构成外侧线圈的线路的两端开放，从高频电源(61)向该线路的中点或者该中点附近供电，外侧线圈在该中点的附近处接地，以从高频电源供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，关于内侧线圈，构成内侧线圈的线路的两端经由电容器相互连接，内侧线圈与外侧线圈感应耦合。
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公开(公告)号：CN108369909B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201680073889.3
申请日：2016-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 等离子体处理装置(10)包括：隔挡件(61)、遮闭件(62)和驱动装置(70)。隔挡件(61)为圆筒形，在侧壁形成有多个贯通孔(61h)。遮闭件(62)为圆筒形，在隔挡件(61)的轴向上沿隔挡件(61)的侧壁可移动地设置于隔挡件(61)的周围。驱动装置(70)使遮闭件(62)沿隔挡件(61)的侧壁移动。多个贯通孔(61h)以遮闭件(62)越向下方移动，与遮闭件(62)的移动量对应的、没有被遮闭件(62)覆盖的的合成传导率的变化量越增加的方式配置于隔挡件(61)的侧壁。
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公开(公告)号：CN113097043A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202011490822.4
申请日：2020-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够使基板上的气体分布的控制性提高。等离子体处理装置具有腔室、天线组件、初级线圈、RF电源、气体喷头。腔室包括具有中央开口部的顶板，该腔室限定等离子体处理空间。天线组件配置于顶板的上方，天线组件具有中央区域、包围中央区域的第1周围区域、包围第1周围区域的第2周围区域，中央区域和第1周围区域在纵向上与中央开口部重叠。初级线圈配置于第2周围区域。RF电源构成为向初级线圈供给RF信号。气体喷头配置于中央开口部，具有暴露于等离子体处理空间内的底部，底部具有多个底部气体导入孔。
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