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公开(公告)号：CN1240113C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02129896.3
申请日：2002-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在上部电极21和下部电极5之间产生蚀刻气体和稀释气体的等离子体，通过该等离子体中的离子和中性粒子的电荷交换反应，使中性粒子电离化，入射至半导体晶片W，对该晶片进行蚀刻。此时，为了提高等离子体的均匀性，根据在上部电极周围设置的屏蔽环55的使用状态，改变作为上述稀释气体所使用的氦气和氩气的混合比来使用，使得过程控制容易、蚀刻率的面内均匀性优良。
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公开(公告)号：CN1477681A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN02129896.3
申请日：2002-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在上部电极21和下部电极5之间产生蚀刻气体和稀释气体的等离子体，通过该等离子体中的离子和中性粒子的电荷交换反应，使中性粒子电离化，入射至半导体晶片W，对该晶片进行蚀刻。此时，为了提高等离子体的均匀性，根据在上部电极周围设置的屏蔽环55的使用状态，改变作为上述稀释气体所使用的氦气和氩气的混合比来使用，使得过程控制容易、蚀刻率的面内均匀性优良。
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公开(公告)号：CN107723682B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710686260.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，将处理气体向基座(2)上的晶片(W)排出的喷淋头(10)；在喷淋头(10)和基座(2)之间生成等离子体并激发处理气体的高频电源(41)，利用由等离子体激发的处理气体在晶片(W)上形成规定的膜。喷淋头(10)具有与基座(2)相对的气体排出面(17)，在气体排出面(17)形成有多个气体排出孔(15)，气体排出面(17)中的形成有多个气体排出孔(15)的气体排出孔形成区域(18)比气体排出面(17)的与晶片(W)对应的区域小。
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公开(公告)号：CN105704904B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610082046.1
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座(12)附近(即半导体晶片(W)上)使等离子体的密度均匀化。RF天线(54)具有线圈直径不同的多个单绕线圈(54(1)、54(2)、54(3))。各线圈(54(1)、54(2)、54(3))的高频供电点夹着非常小的切口而设置。
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公开(公告)号：CN102157325B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201010589485.4
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合等离子体，使该炸面饼圈状的等离子体分散在大的处理空间内，在基座(12)附近(即半导体晶片W上)使等离子体的密度平均化。并且，使基座(12)附近的等离子体密度分布在径向上均匀化，由补正环(70)对RF天线(54)产生的RF磁场实施电磁场的补正，而且能够根据工艺条件由开关机构(110)改变补正线圈(70)的通电占空比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102056396A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010525423.7
申请日：2010-10-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，在电感耦合型的等离子体处理装置中，提高方位角方向乃至径向的等离子体密度分布的均匀性或控制性。在该电感耦合型等离子体蚀刻装置中，设置在腔室(10)的顶部的电介质壁(52)上的RF天线(54)，在天线室(56)内离开电介质窗(52)配置在其上方，具有与来自高频供电部(58)的RF供电线(60)、(68)连接的一次线圈(62)，和在能够通过电磁感应与一次线圈(62)耦合、且比该一次线圈(62)更靠近电介质窗(52)的下表面(与处理空间相对的面)的位置上配置的二次线圈(64)。
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公开(公告)号：CN101821837A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200980100651.5
申请日：2009-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32935
Abstract: 本发明提供等离子体测定方法、等离子体测定装置和存储介质，其能够确定电正性等离子体区域与电负性等离子体区域的边界的处理条件。在真空容器内，阶段性地改变从包括电负性气体和电正性气体的流量比、上述真空容器内的压力、以及使上述电负性气体和电正性气体等离子体化时的能量的大小的处理条件的参数中选择的参数，基于至少三种以上的处理条件生成等离子体。接着，对位于该等离子体中的朗缪尔探针施加电压，按各个处理条件取得表示该施加的电压与流过该探针的电流的关系的电流电压曲线。然后，基于所取得的上述电流电压曲线组求取电正性等离子体区域和电负性等离子体区域的边界的处理条件。
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公开(公告)号：CN101303998A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810001389.6
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23F4/00 , C30B25/12
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号：CN100375261C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410034165.7
申请日：2004-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32642 , H01L21/6831
Abstract: 本发明设置一种具有聚焦环的等离子体处理装置，使聚焦环的冷却效果得到极大的提高，同时防止费用的增加。等离子体处理装置包括一个具有静电卡盘的基座和聚焦环。要进行等离子体处理的晶片W被载置于静电卡盘上。聚焦环具有介电材料部分和导体材料部分。介电材料部分形成了与静电卡盘接触的接触部分。导体材料部分与静电卡盘相面对并有介电材料部分存在于其间。
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公开(公告)号：CN107151790B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710118392.5
申请日：2017-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 传宝一树
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , H01L21/02
Abstract: 本发明在进行PEALD处理的基板处理装置中，大幅地降低入射到晶片的离子的能量，抑制由离子的注入导致的对沉积膜的损伤，实施表面性状良好的成膜处理。一种基板处理装置，其对基板供给原料气体并对基板照射等离子体来进行成膜处理，上述基板处理装置包括：气密地收纳用于载置基板的载置台的处理容器；在上述处理容器内生成等离子体的等离子体源，上述等离子体源包括等离子体生成用的高频电源，上述等离子体源包括使要生成的等离子体的鞘电位降低的鞘电位降低机构。
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