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公开(公告)号：CN101547549A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200810189270.6
申请日：2008-12-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/4622 , H05H2240/10 , H05H2245/123 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供可只对配管等具有足够长的环状构件、具有复杂内部形状的构件的内表面进行成膜处理的等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体。该等离子体处理装置包括：用于产生电磁波的电磁波产生源；将上述电磁波引导到等离子体点火区域的电磁波引导部；利用被引导到上述等离子体点火区域的电磁波在内部空间内对电磁波激励等离子体点火的电介质制的真空容器；具有与上述真空容器真空连接的内部空间的被处理体；对上述被处理体施加用于在上述被处理体的内表面上形成衬层的规定电压的电压施加部件，该等离子体处理装置用由形成在上述被处理体的内表面上的衬层引导到上述被处理体的内部的电磁波激励等离子体来处理上述被处理体的内表面。
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公开(公告)号：CN101315878A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810109373.7
申请日：2008-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67109 , F27B17/0025 , Y10T29/49083
Abstract: 本发明提供热处理炉及其制造方法，减少电阻发热体热膨胀收缩时支撑体与电阻发热体间的摩擦阻力，抑制电阻发热体因残留应力发生的永久变形，提高耐久性。热处理炉包括：收容被处理体并进行热处理的处理容器；包围处理容器的筒状隔热件；沿着该隔热件内周面配置的螺旋状电阻发热体；在该隔热件内周面沿轴方向平行设置，在轴方向以规定间距支撑电阻发热体的支撑体；在电阻发热体的外侧在轴方向以适当间隔配置，沿着直径方向贯通隔热件并向外部延伸的多个端子板。支撑体具有位于电阻发热体内侧的基部、从该基部通过电阻发热体间向半径方向外侧延伸的多个支撑片，形成梳状。支撑片上面部形成曲面状，以减少电阻发热体热膨胀收缩移动时的摩擦阻力。
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公开(公告)号：CN101288157A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200680037904.5
申请日：2006-10-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67303 , C23C16/45525 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种处理装置，其包括：多层搭载被处理基板的保持具；收纳上述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；向上述处理容器内导入处理气体的气体导入部；将上述处理容器真空排气至规定的压力的排气部；和对上述处理容器进行加热的加热部，该处理装置的特征在于：在上述保持具上设置有当被收纳于上述处理容器内时针对每个被处理基板形成处理空间的隔壁板，上述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，上述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与上述气体导入孔相对的方式设置的排气孔。
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公开(公告)号：CN101285178A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810086915.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4486
Abstract: 本发明提供一种汽化器和半导体处理系统，其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器，包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交换体之间规定雾状液体原料的助起动空间，在容器的内侧面和下部热交换体之间规定与助起动空间连接的环状空间。内部加热器配置在下部热交换体的内部空间中。内部加热器作成利用陶瓷密封编织有多个碳纤维束的碳线的结构。内部加热器加热通过环状空间的雾状液体原料生成处理气体。
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公开(公告)号：CN101284199A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810091619.2
申请日：2008-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B01D46/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4402 , C23C14/564 , Y10S55/15
Abstract: 本发明涉及的气体供给系统，包括：设置于向半导体制造装置供给气体的气体供给通路的气体过滤器；和设置在所述气体供给流路的比所述气体过滤器的配设位置更靠下游侧的位置，使所述气体供给流路内流通的气体所包含的挥发性金属成分液化并去除的金属成分去除器。由此，在通过气体供给流路向半导体制造装置供给腐蚀性气体时，防止通过气体过滤器无法去除的挥发性金属成分的混入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101150049A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710182166.X
申请日：2007-09-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及一种热处理炉，其包括：用于容纳被处理体并进行热处理的处理容器、围绕此处理容器的筒状隔热件、沿隔热件的内周面配置的螺旋状的发热电阻、和沿轴方向设置在隔热件的内周面上并以规定的间距支撑发热电阻的支撑体。在发热电阻的外侧以适当间隔配置有安装在发热电阻上且在径向上贯通隔热件并向外部延伸出的多个端子板。安装在发热电阻上且固定于隔热件中的多个固定板以适当间隔配置在发热电阻的外侧。固定板按照与端子板和发热电阻的安装结构相同的安装结构被安装在发热电阻上。
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公开(公告)号：CN101288157B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200680037904.5
申请日：2006-10-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67303 , C23C16/45525 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/45591 , C23C16/4584 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种处理装置，其包括：多层搭载被处理基板的保持具；收纳上述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；向上述处理容器内导入处理气体的气体导入部；将上述处理容器真空排气至规定的压力的排气部；和对上述处理容器进行加热的加热部，该处理装置的特征在于：在上述保持具上设置有当被收纳于上述处理容器内时针对每个被处理基板形成处理空间的隔壁板，上述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，上述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与上述气体导入孔相对的方式设置的排气孔。
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公开(公告)号：CN101443899B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780016886.7
申请日：2007-04-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67098 , H01L21/6838 , H01L21/68707
Abstract: 本发明提供一种基板搬送装置和立式热处理装置，抑制伴随着基板超大口径化造成的在基板搬送时由于基板中央部自重而引起的挠曲。基板搬送装置(18)，具有在大口径基板(w)的上方移动的支撑部(17)和设置在该支撑部(17)上且夹紧支撑基板(w)周边部的上夹紧机构(28)。在上述支撑部(17)上设有由吸引孔(31)和喷出孔(32)构成的非接触吸引保持部(30)。非接触吸引保持部(30)向基板(w)上面中央部喷出气体并吸引，形成空气层(50)并以非接触的方式吸引保持基板(w)，使得基板(w)的中央部不挠曲。
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公开(公告)号：CN101288158B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680019003.3
申请日：2006-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/22 , C23C16/46 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4411 , C23C16/54 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , Y10T29/4935
Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其具有：多层地收纳多个被处理体，并且对该被处理体实施规定的热处理的处理容器；以覆盖所述处理容器的方式设置的，可以加热所述被处理体的筒状的加热器；用以排出所述加热器和所述处理容器之间的空间内的气氛的排热系统；和向所述空间内喷出冷却流体，用于冷却所述处理容器的冷却单元。所述加热器具有筒状的隔热材料和配设在该隔热材料的内周的发热电阻体。所述冷却单元具有埋设在所述隔热材料中的多个喷出喷嘴。各喷出喷嘴形成为其入口和出口不以直线相连接的形状。
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公开(公告)号：CN101379592A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780005002.8
申请日：2007-02-07
Applicant: 东洋炭素株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F17D1/04 , C01B7/19 , F17C2250/032 , F17C2270/0518 , H01L21/67017 , H01L21/67276
Abstract: 氟气发生装置与半导体制造装置(3a～3e)经由气体供给系统(2)连接，该气体供给系统(2)具有能够贮藏规定量的由现场氟气发生装置(1a～1e)发生的氟气的贮藏罐(12)，当现场氟气发生装置(1a～1e)中1个以上停止时，通过从贮藏有规定量的氟气的贮藏罐(12)向半导体制造装置(3a～3e)供给氟气，从而维持半导体制造装置(3a～3e)的运用。由此，能够安全稳定地将在氟气发生装置发生的氟气向半导体制造装置供给，并且获得在半导体制造中价格性能比也优越的半导体制造设备。
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