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公开(公告)号：CN111337779A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010220887.0
申请日：2020-03-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明的元器件在轨飞行评价验证方法包括：1)确定被验证元器件在轨飞行评价验证阶段的工作状态；2)确定被验证元器件在轨飞行评价验证所需测试的功能及参数；3)研制开发在轨测试系统；4)对在轨测试系统进行地面标定试验；5)组装被验证元器件与在轨测试系统，并随航天器一起发射入轨；在轨期间，被验证元器件按步骤1)确定的工作状态运行，在轨测试系统在太空中对被验证元器件的功能及参数进行测试，该功能及参数即是步骤2)确定的所需测试和监测的功能及参数；6)在轨测试数据下传；7)开展被验证元器件在轨测试数据的分析和判读。
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公开(公告)号：CN114414971B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114414971A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN103389508A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210140602.8
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明涉及一种用于电子加速器束流强度实时监测的装置，包括真空室，位于真空室内的探头，向所述探头提供高压的高压单元，以及收集所述探头所产生次级电子的束流强度显示系统。真空室为高能电子与探头的相互作用提供真空环境；探头与高能电子相互作用产生次级电子；高压单元为次级电子的收集提供高压，微电流计和显示系统对探头输出的次级电子束流进行收集，实时显示束流强度。本发明解决了电子加速器在辐照过程中束流强度变化情况的实时监测问题，对高能电子不会产生阻挡作用，高能电子可以穿过所述用于电子加速器束流强度实时监控的装置。该装置使用方便、可操作性强、稳定性好，对束流强度无损失。
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公开(公告)号：CN114414972A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530295.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111060796B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911262362.7
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于光敏三级管空间位移效应检测方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：将辐照电路单元送入位于质子加速器束流出口处；其中，辐照电路单元包括：光电转换单元、电压采集单元、偏置电路以及至少两个光敏三级管；步骤2：加工作电压对辐照电路单元进行辐照前通电测试，确保其能正常工作；步骤3：开始质子辐照试验，试验过程中通过路径选通切换单元实时记录采样电压；步骤4：改变试验条件，测试光敏三级管质子辐射下的测试数据。
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公开(公告)号：CN106855613A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510887314.2
申请日：2015-12-07
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/40
CPC classification number: G01R31/40
Abstract: 本发明公开了一种用于二次电源模块单粒子辐射效应测试的装置包括：数字示波器、测温单元、PCB板、夹具；所述夹具安装于PCB板，所述夹具底部具有第一通孔，所述测温单元安装于所述第一通孔，二次电源模块安装于夹具时，二次电源模块的底部与测温单元的测温部件接触；所述数字示波器采集测温部件的输出。
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公开(公告)号：CN106644111A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610972829.7
申请日：2016-11-07
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天探维传媒科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种真空测温装置，包括温度传感器、数据采集装置和数据处理装置；所述温度传感器为铂薄膜热敏电阻。本发明提供的真空测温装置灵敏度高、工作温度范围宽、使用方便且稳定性好，在真空元件的测温领域取得了良好的效果。
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公开(公告)号：CN114414972B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530295.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤。本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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