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公开(公告)号：CN115938904A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211597733.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种外延基座、外延生长设备及半导体器件的制造方法，所述外延基座包括所述外延基座包括承载部，所述承载部上设置有多个用于安装顶升销的顶升销孔，每个所述顶升销孔周围设置有至少一个贯穿所述承载部的辅助通孔。通过在外延基座的承载部上的顶升销孔周围设置多个不同大小和/或不同分布方式贯穿所述外延基座的辅助通孔，使得顶升销孔附近的物理特性与周围辅助打孔区域物理特性接近，从而改善或消除顶升销孔处晶圆的外延层膜厚异常的问题。
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公开(公告)号：CN115458446A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211250724.2
申请日：2022-10-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种用于外延设备的支撑组件及外延设备，所述支撑组件包括：基座，所述基座用于承载晶圆；支撑件，所述支撑件包括支撑轴和多个连接杆，所述连接杆的第一端连接于所述基座远离所述晶圆的一侧，所述连接杆的第二端连接于所述支撑轴；石英挡板，设置于所述支撑轴和/或所述连接杆上，用于改变所述基座的温度分布。根据本申请的用于外延设备的支撑组件及外延设备，能够改变基座的温度分布，提升外延层的厚度均匀性和电阻率均匀性。
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公开(公告)号：CN114999949A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210368791.8
申请日：2022-04-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种电阻率测试的标准片的制备方法、标准片及校准方法，所述制备方法包括：提供一硅衬底，硅衬底具有第一导电类型；形成反型外延层，反型外延层具有第二导电类型；形成目标外延层，目标外延层具有第一导电类型；利用四探针法对目标外延层执行电阻率测试，并以测试结果作为标准片的标准电阻率值。本发明中，通过在硅衬底上先后形成反型外延层及目标外延层，利用反型外延层在硅衬底和目标外延层之间形成电性隔离，并使目标外延层的电阻率大于50欧姆每厘米，再采用四探针法获取目标外延层的电阻率以作为标准片的电阻率，从而实现以较低成本且便捷的方法制备具有较高电阻率的标准片。
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公开(公告)号：CN219689845U
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202321268547.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本实用新型提供一种外延生长设备的气流调节结构，所述气流调节结构呈环形管状，且具有沿轴向延伸的环壁，所述环壁不同位置具有不同的轴向延伸高度，以调控外延生长工艺中进入半导体衬底上方的气流大小。通过气流调节结构调节外延生长工艺中半导体衬底上方局部气流，进而使外延层薄膜厚度均匀性与平坦度得到优化。本实用新型中，气流调节结构与基座是相互独立的两个装置，无需调整基座，气流调节结构制造工艺简单，加工周期通常仅需基座制造一半时间，降低了设备成本。
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公开(公告)号：CN217077861U
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202220841965.3
申请日：2022-04-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种外延基座及外延设备，外延基座的第一面设置有用于装载晶圆的承载槽，承载槽的底壁包括第一接触部以及环绕第一接触部的第二接触部，第一接触部相对晶圆内凹于第二接触部，且第一接触部在执行外延工艺时与晶圆接触；第一接触部上设置有多个呈环状分布的第一凸点或第一凹坑，和/或，外延基座的第二面上设置有多个呈环状分布的第二凸点或第二凹坑。在本实用新型中，通过在外延基座的第一面设置第一凸点或第一凹坑，和/或在第二面设置第二凸点或第二凹坑，利用第一凸点及第二凹坑以提高晶圆对应区域的温度，或者利用第一凹坑及第二凸点以降低晶圆对应区域的温度，从而提高外延工艺时外延层的厚度及电阻率的均匀性。
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