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公开(公告)号：CN114686975A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011623530.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种外延基座以及外延设备。所述外延基座包括基座主体，所述基座主体包括相对设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上设置有用于承载外延基底的凹槽，所述凹槽外侧的所述基座主体包括相互交替设置的若干第一区域和若干第二区域；其中，所述第一区域的所述第一表面呈粗糙表面，所述第二区域的所述第一表面呈平滑表面；和/或所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度，以使所述第一区域和所述第二区域配置为具有不同的热辐射。所述第一区域和所述第二区域配置为具有不同的热辐射，使晶圆基座周边温度分布产生不同来补偿因晶圆晶向造成的厚度差异，以达到最终生成出的外延层周边厚度波动减小，使外延层的厚度更加均一。
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公开(公告)号：CN110767531B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201810835104.2
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种外延片的制备方法，包括：1）第一衬底上生长外延层；2）测量外延层的第一实际厚度，获得外延模拟厚度；3）对第二衬底抛光处理，测量其实际厚度，获得衬底模拟厚度；4）将外延模拟厚度与衬底模拟厚度叠加获得模拟叠加厚度，进行平坦度参数计算，获得平坦度预测参数；5）判定所述平坦度预测参数是否合格；6）若合格，则进行实际外延生长，若不合格，则返工处理。本发明通过模拟方式直接预测衬底外延后平坦度的优劣，并选择模拟合格的外延片进行实际外延，不合格的外延片则可直接返工处理，从而可以对外延片衬底进行筛选，提高外延片平坦度性能与良率，同时可节省外延使用机时、减少晶片消耗以及外延设备损耗。
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公开(公告)号：CN113644017A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010345053.2
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种对晶圆进行定位的方法和半导体制造设备，应用于薄膜工艺。所述方法包括：步骤S1：获取第一晶圆在进行所述薄膜工艺后，所述第一晶圆的第一表面的状态分布，其中所述第一表面是与所述薄膜工艺中形成薄膜层的表面相对的表面；步骤S2：根据所述第一表面的状态分布判断所述第一晶圆是否位于理想定位中心，当所述第一晶圆不位于所述理想定位中心时，根据所述第一表面的状态分布对将进行薄膜工艺的第二晶圆的定位位置进行调整，以使所述第二晶圆在所述薄膜工艺时定位在所述理想定位中心。根据本发明，使晶圆在薄膜工艺过程中定位在理想的定位中心，从而提高了薄膜工艺后晶圆薄膜层和整片晶圆(外延片)的质量，改善了薄膜工艺的效果。
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公开(公告)号：CN118741776A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410816714.3
申请日：2024-06-21
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶科半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种石英支撑件、半导体工艺腔室及半导体工艺方法，石英支撑件包括有中心透镜和环透镜的透镜结构和支撑结构；透镜结构放置于支撑结构。本发明通过将晶圆基座设置在包含透镜结构的石英支撑件上，设置透镜结构包含中心透镜和环透镜的透镜结构，对加热光线进行折射，调节由于加热灯管、反射金板和腔体结构引起的环形不均匀的辐射热量分布，优化加热均匀度的调节精准度，提高经过加热工艺后得到的外延层厚度和电阻率的均匀性；另外通过设置透镜结构和支撑结构为一体成型结构，降低石英支撑件带来的浮尘颗粒，提高产品良率；最后通过叠放顺序可调节的支撑块和石英块，使透镜结构的高度可灵活调节，进一步提高对加热均匀度的调节精准度。
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公开(公告)号：CN112378546B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202011075003.3
申请日：2020-10-09
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01K13/00
Abstract: 本发明公开了一种检测高温腔体温度的方法，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；对所述硅片进行抛光和清洗；在所述高温腔体内对抛光和清洗后的硅片再次进行指定温度的高温处理，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；计算前后两次高温处理中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到所述高温腔体的实际温度差值。本发明提高了高温腔体温度检测的效率与准确率，减少了硅片厚度、电阻率的波动；提高了硅片利用率，减少了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115223858A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110425507.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种硅片加工方法，包括：建立第1至第n个单步工艺的平坦度模型，并据此建立最终产品的平坦度模型；根据最终产品的平坦度模型获得第m个单步工艺的目标平坦度，并结合第m个单步工艺的平坦度模型对硅片执行第m个单步工艺，并得到第m个单步工艺的实际平坦度；利用第m个单步工艺的实际平坦度调整第m+1个单步工艺的目标平坦度，结合第m+1个单步工艺的平坦度模型对硅片执行第m+1个单步工艺；其中，n为大于1的正整数，m＝1、2....n‑1。通过上述模型设定单步工艺的目标平坦度及优化对应单步工艺的工艺参数及设备参数，并针对前一单步工艺的目标平坦度及实际平坦度的差异，利用下一单步工艺进行调整，进而解决提高硅片平坦度的问题。
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公开(公告)号：CN115161765A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110373056.1
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种外延基座，包括片坑和边缘侧墙，所述片坑用于盛放晶圆，所述边缘侧墙位于所述片坑的外围；其中，所述外延基座上形成有多个孔状结构，所述多个孔状结构呈蜂窝状分布。根据本发明提供的外延基座，通过在外延基座上形成多个孔状结构，且所述多个孔状结构呈蜂窝状分布，可以改善晶圆背面的气流分布，优化温度分布，降低外延基座的应力形变和重力形变，在提高外延基座的机械强度的同时降低外延基座的厚度。
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公开(公告)号：CN113279055A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110413089.4
申请日：2021-04-16
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种外延基座，包括：进气口和出气口，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向相交；边缘侧墙，所述进气口的延伸方向与所述出气口的延伸方向之间的夹角对应的边缘侧墙为所述边缘侧墙的第一部分，所述边缘侧墙的其余部分为所述边缘侧墙的第二部分；其中，所述边缘侧墙的第一部分或所述边缘侧墙的第二部分上设置有气流扰动机构，以使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同。根据本发明提供的外延基座，通过设置气流扰动机构，从而使所述边缘侧墙的第一部分和所述边缘侧墙的第二部分对气流的扰动不同，改善气流的均匀性，进而提高形成的外延层的均匀性。
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公开(公告)号：CN110852021A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201810837465.0
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于模拟方式获得外延平坦度的方法，包括：1）提供第一衬底，在预设参数条件下，于第一衬底上生长外延层；2）测量外延层的第一实际厚度，并对外延层进行模拟以获得外延层外延模拟厚度；3）提供第二衬底，测量第二衬底的第二实际厚度，并对第二衬底进行模拟以获得第二衬底的衬底模拟厚度；以及4）将外延模拟厚度与衬底模拟厚度进行叠加以获得模拟叠加厚度，对模拟叠加厚度进行平坦度参数计算，获得在预设参数条件下生长的外延层的平坦度预测参数。本发明通过模拟方式直接预测衬底外延后平坦度的优劣，从而可以对外延片衬底进行筛选，提高外延片平坦度性能与良率，同时可节省外延使用机时、减少晶片消耗以及外延设备损耗。
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公开(公告)号：CN110852021B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201810837465.0
申请日：2018-07-26
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于模拟方式获得外延平坦度的方法，包括：1）提供第一衬底，在预设参数条件下，于第一衬底上生长外延层；2）测量外延层的第一实际厚度，并对外延层进行模拟以获得外延层外延模拟厚度；3）提供第二衬底，测量第二衬底的第二实际厚度，并对第二衬底进行模拟以获得第二衬底的衬底模拟厚度；以及4）将外延模拟厚度与衬底模拟厚度进行叠加以获得模拟叠加厚度，对模拟叠加厚度进行平坦度参数计算，获得在预设参数条件下生长的外延层的平坦度预测参数。本发明通过模拟方式直接预测衬底外延后平坦度的优劣，从而可以对外延片衬底进行筛选，提高外延片平坦度性能与良率，同时可节省外延使用机时、减少晶片消耗以及外延设备损耗。
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