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公开(公告)号：CN102564627A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110446116.4
申请日：2011-12-28
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明涉及半导体材料测试领域。本发明提供一种半导体衬底的自热测量装置，包括一二极管、一导热胶层、一直流电流源和一电压计；导热胶层的一面与二极管形成导热接触；直流电流源与二极管的两端电学连接；电压计与二极管的两端电学连接。其测试方法包括步骤：提供待测的半导体衬底；在待测区域处的裸露表面粘附一导热胶层；将二极管粘附于导热胶层的裸露表面；分别将电压计，直流电流源与二极管电学连接；测得半导体衬底的温度。本发明提供的测量装置和测量方法具有反复使用、成本低廉、受环境影响小，且在测试时候的测试精度高。
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公开(公告)号：CN102299093A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110183212.4
申请日：2011-06-30
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/20 , H01L29/06
Abstract: 一种制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供第一衬底与第二衬底；在第一衬底表面外延形成器件层；在第二衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层和器件层为中间层，将第一衬底和第二衬底键合在一起；对键合后的衬底实施第一退火步骤；去除第一衬底，形成由器件层、绝缘层和第二衬底构成的带有绝缘埋层的半导体衬底；对此带有绝缘埋层的半导体衬底实施第二退火步骤，所述第二退火步骤的退火温度大于第一退火步骤的退火温度。本发明的优点在于，得到的SOI材料顶层硅完全由外延材料组成，与常规工艺生产的SOI材料顶层半导体层相比其氧元素和金属含量低，并且晶格完美，无原生缺陷产生，能够大幅度提高器件的良率。
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公开(公告)号：CN100342492C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03115827.7
申请日：2003-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及制备厚膜SOI(Silicon on insulator)材料的方法，其特征在于利用SIMOX技术制备的薄SOI材料作为衬底，然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。用该方法制备的SOI材料可以用作光波导材料，外延层厚度可以根据需要控制，外延层表面平整度优于用键合减薄方法制备的SOI材料。外延生长时可以选用SiCl4，SiHCl3，SiH2Cl2或SlH4作为硅源，外延掺杂类型可以根据需要选择，外延生长前衬底用H2高温烘烤改善表面状况。外延层硅层厚度为5～10μm，沉积速率为0.3～0.8μm/min。
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公开(公告)号：CN1315194C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410017239.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于：具有双埋层结构，下埋层为连续的绝缘埋层，上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.05～0.4μm，而在不存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.6～20μm，制备方法是以注氧隔离技术制备的具有连续埋层的SOI材料为衬底，硅气相外延生长获得较厚的单晶硅层，再采用图形化SIMOX工艺得到不连续的上埋层结构，或再结合反应离子刻蚀技术以及硅选择性外延工艺将上埋层结构的连续状况转变为不连续的。所制备的材料为SOI光电子器件的单片集成提供了衬底材料。
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公开(公告)号：CN1479136A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03141411.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法，包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导，其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料，每条调制波导有各自独立的载流子注入区域，调制波导之间的连接通过利用硅的各向异性腐蚀特性或反应离子刻蚀技术制得的全内反射波导实现，且两相邻调制波导的轴线相互垂直，在短距离、小面积范围内实现了调制波导的紧凑排列，解决了载流子吸收型硅波导光强度调制器的调制深度与器件长度之间的矛盾；同时通过设计、调整全内反射波导的位置和方向，调制波导可以与不同位置的输入输出波导实现灵活连接。本器件结构紧凑、尺寸小、便于实现集成化，采用常规硅微电子加工工艺制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1440052A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03115827.7
申请日：2003-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及制备厚膜SOI(Silicon on insulator)材料的方法，其特征在于利用SIMOX技术制备的薄SOI材料作为衬底，然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。用该方法制备的SOI材料可以用作光波导材料，外延层厚度可以根据需要控制，外延层表面平整度优于用键合减薄方法制备的SOI材料。外延生长时可以选用SiCl4，SiHCl3，SiH2Cl2或SiH4作为硅源，外延掺杂类型可以根据需要选择，外延生长前衬底用H2高温烘烤改善表面状况。外延层硅层厚度为5～10μ，沉积速率为0.3～0.8μ/min。
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公开(公告)号：CN1385142A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN01139159.6
申请日：2001-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种改善人工心脏瓣叶血液相容性和使用安全性的方法,属于生物医用材料表面改性领域。其特征在于或用常规的离子注入或用等离子浸没式离子注入方法在热解碳制成的瓣叶中直接注入N+,其剂量为2×1016－8×1017/cm2,注入能量在30－160KeV,从而不仅使其血液相容性与常用的氧化钛涂层相当,而且由于不存在膜/基结合力问题,可提高临床使用的安全性。
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公开(公告)号：CN102427052A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110343183.3
申请日：2011-11-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素；在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质。本发明解决了现有技术中在体硅材料中掺杂重金属元素时候的较高工艺成本的问题；同时改变掺杂的顺序，提高了衬底的质量。
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公开(公告)号：CN102403321A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110293178.6
申请日：2011-09-30
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 用于缩短SOIPN结二极管反向恢复时间的半导体装置，属于PN二极管技术领域。该发明提供SOIPN结二极管串联链，其中二极管的制备方式有背靠背与单阱两种。通过SOIPN结二极管串联结构的应用，可以有效的缩短其反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN1252501C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200310108863.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应用大角度、小尺寸、低损耗的全反射型弯曲波导实现了传输光的分束、合束以及传输方向的改变。全反射型弯曲波导的全反射镜凹槽可以利用各向异性湿法腐蚀或反应离子刻蚀等技术获得，而且传输光在每个全反射镜镜面的入射角度均大于全反射角；此外，通过全反射镜连接的相邻传输波导的轴线相互垂直。本器件结构可以以硅、绝缘层上的硅(SOI)、GeSi/Si、AlGaAs、GaAs、GaAs/AlGaAs、InP/InGaAsP等材料为基材料。
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