公开(公告)号：CN102299093A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110183212.4

申请日：2011-06-30

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  仰庶 ,  曹共柏 ,  张峰 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供第一衬底与第二衬底；在第一衬底表面外延形成器件层；在第二衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层和器件层为中间层，将第一衬底和第二衬底键合在一起；对键合后的衬底实施第一退火步骤；去除第一衬底，形成由器件层、绝缘层和第二衬底构成的带有绝缘埋层的半导体衬底；对此带有绝缘埋层的半导体衬底实施第二退火步骤，所述第二退火步骤的退火温度大于第一退火步骤的退火温度。本发明的优点在于，得到的SOI材料顶层硅完全由外延材料组成，与常规工艺生产的SOI材料顶层半导体层相比其氧元素和金属含量低，并且晶格完美，无原生缺陷产生，能够大幅度提高器件的良率。