-
公开(公告)号：CN113699582A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110942567.0
申请日：2021-08-17
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种掺铥硅锗酸铋激光晶体及其制备方法。分子式为(TmxBi1‑x)4(GeySi1‑y)3O12，其中，x的取值范围为0.005‑0.15，y的取值范围为0.1‑0.9。将原料粉末按比例混合后烧结，研磨后，再次烧结，得到掺铥硅锗酸铋多晶料；将籽晶放入坩埚的种阱部位并固定，将掺铥硅锗酸铋多晶料装进坩埚中并封好，移入引下管；将引下管置于晶体炉内，待坩埚内的多晶料完全熔化后，保温2～4h；以0.2～0.5mm/h的速度下降引下管，进行晶体生长。本发明制得的掺铥硅锗酸铋激光晶体在1.5～2.0μm范围具有高强度宽带发光，可实现大功率激光输出，在激光测距雷达、空间通信方向具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111575002A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010435497.5
申请日：2020-05-21
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明公开了一种在紫外光激发下植物补光照明用全光谱LED荧光粉及制备方法，该荧光粉的化学式为：TbxM3-xGa5O12:yMn4+(M＝Y,Gd,La,Lu,0≤x≤3,0.1≤y≤5at％)，其晶体结构属于立方晶系，Ia-3d空间群，激活离子为Mn4+。本发明还公开了这种荧光粉的制备方法，按化学计量比称取原料，利用溶剂热-固相合成法合成该荧光粉。引入适量的电荷补偿剂，进一步改善该材料的发光性能，最终获得高效、稳定的植物照明用全光谱LED荧光粉。本发明以铽镓石榴石为基质，以Mn4+为激活剂，原料及最终产物均不有毒有害物质，该荧光粉对紫外光具有较强吸收，发射谱带涵盖460-750nm的可见光波段，适合紫外LED芯片激发用于植物全光谱照明补光领域。
-
公开(公告)号：CN111196925A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010017945.X
申请日：2020-01-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明涉及了一种Mn4+掺杂的红色荧光材料及其制备方法，该荧光材料的一般通式为(Mg1-yAy)2(Ti1-zBz)1-xO4:xMn4+(A＝Ca，Sr，Ba；B＝Zr，Si；0.01at％≤x≤1.0at％,0≤y≤5at％,0≤z≤10at％)，其制备方法是以MgO，CaCO3，SrCO3，BaCO3，TiO2，ZrO2，SiO2和MnO2为原料，按元素摩尔比称取原料，在玛瑙研钵中研磨均匀后进行高温固相反应，在保证纯相的条件下加入适量的助熔剂，最终得到Mn4+掺杂的红色荧光粉材料((Mg1-yAy)2(Ti1-zBz)1-xO4:xMn4+)，所得Mn4+掺杂的红色荧光材料具有优异的红色发光性能。本发明制备的红色荧光材料是以Mn4+作为激活剂，不含稀土元素，且原料及最终产物均不含氟等有害物质，且制备方法简单，生产成本低。该红色荧光粉在紫外、近紫外或蓝光LED等激发光源激发时，能发射波长范围在630～730nm的红色荧光，适合应用于暖白光LED器照明和显示领域。
-
公开(公告)号：CN110746968A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911052023.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种在紫外光激发下发暖白光的荧光粉及其制备方法。所述荧光粉的表达通式为Tb3Al5(1-x)O12:xMn4+，激活离子为Mn4+，其中0.01at％≤x≤5at％。制备方法为：将原料在去离子水中溶解，搅拌混合均匀，搅拌混合5～30分钟；加入碱性溶液，得到前驱体固体样品；将前驱体固体样品过滤出，溶解于醇溶剂中，转移至反应釜中，在180～280℃条件下保温2～12小时；样品过滤，在50～100℃条件下烘干2～12小时，再研磨，得到在紫外光激发下发暖白光的荧光粉。本发明使用过程中不会释放任何有毒、有害物质，制备工艺简单、制备过程无任何污染，可直接在空气中制备合成。
-
公开(公告)号：CN106948006B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710112231.5
申请日：2017-02-28
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种高光输出硅酸铋闪烁晶体，在硅酸铋晶体中掺有Ta5+，Ta5+以Ta2O5的形式掺入，掺杂量为0.2～4mol%/mol。本发明还提供了上述高光输出硅酸铋闪烁晶体的制备方法，通过固相烧结法合成掺杂硅酸铋多晶粉料，将合成的掺杂硅酸铋多晶料压成致密圆柱状料块；将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，然后将多晶料块装入坩埚并封好，置于晶体生长炉内并控制温度在1050‑1200℃，晶体生长速度为0.2‑0.6mm/h。由于Ta5+的掺入，使所得BSO晶体光输出大幅提高。本发明实现了高光输出以及高质量硅酸铋单晶的生长，同时工艺设备简单，可同时生长多根晶体，极大提高了硅酸铋闪烁晶体的生长效率及应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119980431A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510261230.1
申请日：2025-03-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种α‑Fe2O3晶体及其制备方法和应用，包括：将氧化铁原料和复合助熔剂按照摩尔比(6～30):(94～70)称量，混合研磨3～5h得混合物料；将混合物料在真空手套箱中装入坩埚并封口；再将坩埚置于具有垂直温度梯度的晶体生长炉中，以不同速率升至1200℃～1300℃，保温12～16h，随后降至1150～1100℃，再降至800～880℃，保温8～10h，最后冷却至室温，剥离坩埚得原始晶锭；最后对原始晶锭机械剥离加磨抛除去助熔剂，清洗得α‑Fe2O3晶体。本发明采用助熔剂梯度凝固法生长α‑Fe2O3晶体，能够有效降低晶体的熔点，减小晶体生长的难度，使析晶范围更大更快，而成品率高。
-
-
公开(公告)号：CN113563881B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202110912968.1
申请日：2021-08-10
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂钽酸镁闪烁发光材料及其制备方法。所述稀土掺杂钽酸镁闪烁发光材料的化学通式为Mg4Ta2O9:RE，其中RE为稀土元素。制备方法为：按化学通式称取原料，将所有原料混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明中的闪烁发光材料采用高温固相法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。所制得的闪烁发光材料在X射线激发下，得到的不同稀土掺杂的Mg4Ta2O9:RE样品，光产额在13848～43917ph/MeV，最高可达CsI(Tl)的81％、Mg4Ta2O9和CdWO4的2.4倍。
-
公开(公告)号：CN116371452A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310423126.9
申请日：2023-04-19
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开一种高效吸附和还原CO2的Cs2CuBr4光催化剂、制备方法及其应用。其制备方法为：步骤1、将CsBr、CuBr2加入到DMSO中，使其分散均匀，将该溶液注入到异丙醇中，得到Cs2CuBr4纳米晶溶液；步骤2、将分子筛加入到Cs2CuBr4纳米晶溶液中，搅拌过夜，得到悬浮液；步骤3、将步骤2所得悬浮液离心，将得到的沉淀物进行干燥，得到一种高效吸附和还原CO2的Cs2CuBr4光催化剂，具有很高的CO2吸附能力和催化活性，而且保留了Cs2CuBr4纳米晶的稳定性。其制备方法简单，可控性强，容易实现规模化生产。
-
公开(公告)号：CN112877069B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110180776.6
申请日：2021-02-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法。所述近红外长余辉发光材料的化学通式为Zn3GaxAl2‑xGeaTibSn2‑a‑bO10:yCr3+。制备方法：根据方程式中各物质的摩尔比进行称取原料，加入助熔剂，在玛瑙研钵中研磨使其混合均匀得到前驱体；将前驱体装入氧化铝坩埚，在空气或中性气氛下进行预烧结；将预烧结得到的样品研磨混匀后，在空气或中性气氛中，煅烧，得到Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料。本发明所述的近红外长余辉荧光粉具有原料成本低廉、操作简单可行，对设备要求低等优点。本发明所述的长余辉发光材料具有发射范围位于近红外区，且具有余辉时间长等优良性质。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
128
records
(took 0.02 seconds)
