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公开(公告)号：CN104681509A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310637910.6
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提供了一种改进型的双基岛封装结构，包括塑封体、外引脚、一个通过散热材质外露的基岛，一个不外露的基岛，两个芯片。本发明解决了传统双基岛封装结构存在的散热问题，同时解决了单基岛封装结构性能不佳和集成度低的问题。本发明使制造成本得到降低，且能满足电子行业小型材经，微型化的发展需求。
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公开(公告)号：CN113126687A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911390304.2
申请日：2019-12-30
Applicant: 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种新型高精度全周期输出开关电容带隙基准电压产生电路，以满足高精度增量ADC对参考电压精度的要求。本电路结构采用了双转单开关电容运算放大器结构，不仅消除了运放输入失调电压的影响，而且也减小了运放有限增益误差。此外还包括两个同样的开关电容带隙基准产生电路，但是其时钟周期互补，同时在各自的输出端串联一个选通开关，从而实现全周期带隙基准电压输出。
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公开(公告)号：CN109980007A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711454894.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
Abstract: 本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中主要包括埋层结构，埋氧层在源端和漏端成U型。利用U型埋氧层在大的漏端电压时正电荷不易被抽走提高击穿电压；源端U型介质埋氧层在漏端电压较大时保证击穿不会发生在p阱和漂移区形成的耗尽区，漏端U型介质埋层通过积累大量正电荷来提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN109979897A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452899.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L29/06
Abstract: 一种中间层含有PN结的大埋层结构的SOI高压器件。本发明设计并公开了该种器件的结构。该结构针对目前SOI器件普遍存在的两个问题——低击穿电压以及自加热效应，以现有的传统SOI器件为基础，设计了一种全新的SOI器件。该器件采用与传统SOI器件不同的结构方式，在理论上可以有效地提高器件的击穿电压，对自加热效应也有一定的改善。该专利包括这种新器件结构的组成结构和材料。
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公开(公告)号：CN109975627A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711456524.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提出了一种高压环境对标准单元库影响的测试方法，考虑到SOI低压与高压器件共存的工作环境，该方法通过测量被测单元的延迟和信号的波动，实现对高压环境下，单元工作情况的检测。通过设置高压器件与低压器件的多种距离，以及通过缓冲器设置高压器件的开启时刻，测试高压环境对测试单元的不同种类的影响。在测试芯片中添加选择器来减少PAD的个数，达到了减少芯片面积的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107544012A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610469520.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R31/28 , G01R31/303 , G01R31/307 , G01R31/311
Abstract: 本发明提出一种多通道显微镜半导体综合测试系统，是将红外发光显微技术（EMMI）、激光束诱导电阻率变化测试技术（OBIRCH）、微探针检测技术、扫描电子显微镜技术（SEM）结合在一起形成一种多通道显微镜半导体综合测试系统。利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞、通孔底部高阻区等；也能有效的检测短路或漏电，是发光显微技术的有力补充；微探针检测技术是以微探针快捷方便地获取IC内部电参数值，如工作点电压、电流、伏安特性曲线等。本系统可进行多种失效测试技术，减少测试设备，测试步骤少，操作简单、方便。
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公开(公告)号：CN107543044A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610463899.X
申请日：2016-06-24
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: F21K9/238 , F21V29/83 , F21Y115/10
Abstract: 本发明提供了一种集成LED照明驱动与控制电路的一体化灯头，它是在灯头中，驱动电路和灯头集成在一起，外观看起来就只有灯头状，留出两条输出电源线与LED灯珠或灯条连接。其特征在于：整体LED灯分为上灯罩，下灯头和中间的灯板或灯条，一体化灯头是将驱动与控制电源的芯片外围电路放在灯头里边，驱动与控制电源的输入线一端固定在灯头顶端，一端与灯头外壳连接，用来连接外部电源。相比较传统LED灯驱动电路和灯头集成在一起，空留区域注入了固封导热胶增加了LED灯的散热效果，更加省略了驱动电源与灯头的安装步骤，进一步简化结构、组装过程更加简单，更加符合大规模批量化生产，降低了成本，也使得用户使用更加方便、安全。
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公开(公告)号：CN107462759A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610392043.8
申请日：2016-06-06
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: G01R19/0061 , G01R19/04
Abstract: 本发明提出用于CDM（Charged Device Model）模型ESD电流波形检测的测试板结构，以有效捕捉与国际上通用测试规范中典型波形一致的放电电流波形。该结构包括：用于直接接触放电器件的pogo(弹簧单高跷)探针，用于滤除高频干扰的滤波器，用于减小电流峰值方便测试的衰减器，用于转换电流信号的测试电阻以及用于连接所有部分的接地板。所述滤波器和衰减器位于所述接地板上，接地板接金属插座，用以连接示波器。所述接地板含有固定作用的结构，用于与测试系统的其他部分连接。
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公开(公告)号：CN107462753A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610392045.7
申请日：2016-06-06
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R1/28
CPC classification number: G01R1/28
Abstract: 本发明公开了一种用于ESD检测的片上超高速脉冲产生装置，该装置需要通过片外储能电容存储能量，通过片上的脉冲发生器处理电路处理脉冲波形，使脉冲的波形合乎国际标准，然后对器件的各个引脚进行放电测试。工作原理：电源通过正负极探针经片上的脉冲发生器处理电路向片外的储能电容进行冲电，当片外储能电容充满电时，再经过片上的脉冲发生器电路，对器件的各个引脚进行ESD测试。
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公开(公告)号：CN113128166A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911392293.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F30/398 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种新型的包含考虑电子产品封装的电、热及力学特性的协同环境。与传统的电子产品设计，封装方法和流程相比，极大地降低了设计的复杂度，减小了产品设计周期，提高了一次性设计成功率。其特征在于在集总的设计平台上提供了对电子产品封装的电、热、力学特性的全面、准确以及可重构的设计参数和性能、功能预测。通过协同考虑封装、热及力学特性对产品性能的作用，在产品的设计阶段，可以根据设计成本、实现的复杂度等方面考虑从产品核心设计优化、封装优化、热优化、及力学设计优化来优化产品性能。这样一方面保证产品性能的低成本的实现，另外提供了多个设计的自由度，降低了实现性能的复杂度，最重要的是在产品设计阶段能准确评估产品性能的预期，减少了设计迭代。
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