公开(公告)号：CN107548182A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201610461158.8

申请日：2016-06-23

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 郑辉 ,  王赟 ,  程玉华

IPC: H05B33/08 ,  H05B37/02

CPC classification number: Y02B20/346

Abstract: 本发明公开了一种基于温度传感器采样温度信息，无线芯片传输信息，通过双通道PWM（脉冲波调制）控制LED（发光二极管）色温的装置。包括温度传感器，无线发射芯片和天线，无线接收芯片和天线，亮度调节按钮，发射端微处理器，接收端微处理器，暖色温开关控制电路，冷色温开关控制电路，暖色温LED灯，冷色温LED灯，5V转3.3V电源模块。

公开(公告)号：CN105097923A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216637.4

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 张炯 ,  郑辉 ,  徐帆 ,  程玉华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明公开了提出一种新的双埋层并且双埋层都具有双面界面电荷岛结构，双埋层的双面界面电荷岛处于交叉状态的SOI高压器件。该结构在SOI器件上下介质层上下界面分别注入形成一系列等距的高浓度N+区及P+区。由于上下介质层的电场分析相似，以上介质层为例分析，器件外加高压时，纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽n+区内高浓度的电离施主束缚在介质层上界面，同时在下界面积累感应电子。引入的界面电荷对介质层电场(E，)产生附加增强场(△E，)，使介质层承受更高耐压，同时对顶层硅电场(ES)产生附加削弱场(△艮)，避免在硅层提前击穿，从而有效提高器件的击穿电N(BV)。详细研究DCISOI工作机理及相关结构参数对击穿电压的影响，在5μm介质层、1μm顶层硅上仿真获得825V高耐压，较常规结构提高284.4％，其中，附加场△E，和AEs分别达到725.5V／tm和34V／um。

公开(公告)号：CN107462753A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201610392045.7

申请日：2016-06-06

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 陆宇 ,  郑辉 ,  程玉华

IPC: G01R1/28

CPC classification number: G01R1/28

Abstract: 本发明公开了一种用于ESD检测的片上超高速脉冲产生装置，该装置需要通过片外储能电容存储能量，通过片上的脉冲发生器处理电路处理脉冲波形，使脉冲的波形合乎国际标准，然后对器件的各个引脚进行放电测试。工作原理：电源通过正负极探针经片上的脉冲发生器处理电路向片外的储能电容进行冲电，当片外储能电容充满电时，再经过片上的脉冲发生器电路，对器件的各个引脚进行ESD测试。