一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106801227A

    公开(公告)日:2017-06-06

    申请号:CN201611149178.8

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:选择一导电基体,对所述的导电基体清洗,清洗后在所述的导电基体上生长石墨烯薄膜层;然后对所述的石墨烯薄膜层进行清洗,再在所述的石墨烯薄膜层上生长金属层,即制得所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料。本发明的制备方法具有工艺简单、反应条件温和和石墨烯掺杂比例可控的优点,且制得的该复合薄膜材料在保证电学性能的前提下,具有较好的力学性能、抗腐蚀氧化性能,并且能够有效阻止金属间化合物的生长,适用于表面涂层、电子封装等领域。

    一种使用铟和微针锥结构的热压缩芯片低温互连方法

    公开(公告)号:CN102543783B

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201210085337.8

    申请日:2012-03-28

    Inventor: 李明 胡安民 陈卓

    Abstract: 本发明提供一种使用铟和微针锥结构的热压缩芯片低温互连方法,包括芯片到基片,及芯片与芯片堆叠互连方法,在芯片焊盘制备表面覆盖有金属铟薄层的针锥阵列层,并将其与带有第二金属凸点的基片接触施压,随后加热至铟熔点之上保持一定时间,利用熔融的铟填充针锥与第二金属镶嵌的间隙,并与第二金属之间产生固液反应生成高熔点金属间化合物,从而消耗铟层来实现紧密键合,该方法通用性强,无需助焊剂,工艺流程简单,能明显降低现有倒装焊工艺温度。

    一种基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法

    公开(公告)号:CN104112707A

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201410313880.8

    申请日:2014-07-03

    CPC classification number: H01L24/81 H01L2224/81205 H01L2224/81345

    Abstract: 本发明公开了一种基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法,包括步骤为:选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件,两两形成一待键合偶;在待键合偶的其中一侧的焊盘上形成镍微针锥;在待键合偶的另一侧的焊盘上形成铜微针锥;将待键合偶的一侧元件吸附在键合装置压头表面;将所述待键合偶的两侧焊盘对准,使所述镍微针锥与所述铜微针锥匹配接触,向所述待键合偶一侧施加键合压力和超声振动并保持一定时间,使得所述镍微针锥与所述铜微针锥互连键合。本发明的工艺过程简单,无需加热及助焊剂,可避免热损伤,提高产品可靠性;微针锥结构缩短了超声键合的时间,提高了互连的有效性和键合密度。

    Sn-Ag-Zn-Bi-Cr无铅焊料
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101927410A

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN201010282446.X

    申请日:2010-09-16

    Abstract: 一种焊接材料技术领域的Sn-Ag-Zn-Bi-Cr无铅焊料,其组分及其质量百分比为:Cr为0.005-1%、Ag为0.5-3%、Zn为0.5-5%、Bi为0-5%、调节型元素0.5%,余量为Sn。本发明能够提高材料的抗氧化性、耐腐蚀性,同时延展性、强度等机械性能得到改善,并且对不锈钢焊锡槽等的腐蚀作用明显减弱,同时降低了焊料成本。

    一种半导体器件低温固态键合的方法

    公开(公告)号:CN102610537B

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201210086084.6

    申请日:2012-03-28

    CPC classification number: H01L24/83 H01L2224/83365 H01L2224/83897

    Abstract: 本发明的半导体器件低温固态键合的方法,包括以下步骤:1)选择具有相互匹配的电互连焊盘的至少两个待键合元件;2)在一待键合元件的多个焊盘上形成铜微针锥群;3)在另一待键合元件的多个焊盘上形成至少表面设有低硬度第二金属层的凸点;4)使所述凸点与所述铜微针锥群接触,将所述凸点与所述铜微针锥群的接触部分加热到第一温度,施加键合压力使所述凸点与所述铜微针锥群电互连键合。与现有技术相比,本发明的工艺过程不需要将温度加热到焊料熔点以上以使焊料熔化,可避免对器件产生热损伤,且固态键合能够提高互连密度和产品可靠性,界面反应可控,无需助焊剂等有机物因而简化了工艺流程。

    Sn-Ag-Zn-Bi-Cr无铅焊料
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101927410B

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201010282446.X

    申请日:2010-09-16

    Abstract: 一种焊接材料技术领域的Sn-Ag-Zn-Bi-Cr无铅焊料,其组分及其质量百分比为:Cr为0.005-1%、Ag为0.5-3%、Zn为0.5-5%、Bi为0-5%、调节型元素0.5%,余量为Sn。本发明能够提高材料的抗氧化性、耐腐蚀性,同时延展性、强度等机械性能得到改善,并且对不锈钢焊锡槽等的腐蚀作用明显减弱,同时降低了焊料成本。

    Sn-Cu-Bi-Ni无铅焊料
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102430872A

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201110314633.6

    申请日:2011-10-17

    Abstract: 一种Sn-Cu-Bi-Ni无铅焊料,涉及焊接材料技术领域,所解决的是降低熔点,提高润湿性及力学性能的技术问题。该焊料包含有Sn、Cu、Bi、Ni,其中Cu占焊料的重量百分比为0.5~0.8%,Bi占焊料的重量百分比为1~3%,Ni占焊料的重量百分比为0.01~0.1%。本发明提供的焊料,熔点低,且润湿性及力学性能好。

    Sn-Cu-Bi-Cr无铅焊料
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102371439A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110314631.7

    申请日:2011-10-17

    Abstract: 一种Sn-Cu-Bi-Cr无铅焊料,涉及焊接材料技术领域,所解决的是降低熔点,提高润湿性及力学性能的技术问题。该焊料包含有Sn、Cu、Bi、Cr,其中Cu占焊料的重量百分比为0.5~0.8%,Bi占焊料的重量百分比为1~3%,Cr占焊料的重量百分比为0.01~0.1%。本发明提供的焊料,熔点低,且润湿性及力学性能好。

    Sn-Cu-Bi-Al无铅焊料
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102371438A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110314628.5

    申请日:2011-10-17

    Abstract: 一种Sn-Cu-Bi-Al无铅焊料,涉及焊接材料技术领域,所解决的是降低熔点,提高润湿性及力学性能的技术问题。该焊料包含有Sn、Cu、Bi、Al,其中Cu占焊料的重量百分比为0.5~0.8%,Bi占焊料的重量百分比为1~3%,Al占焊料的重量百分比为0.01~0.1%。本发明提供的焊料,熔点低,且润湿性及力学性能好。

    一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106801227B

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201611149178.8

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:选择一导电基体,对所述的导电基体清洗,清洗后在所述的导电基体上生长石墨烯薄膜层;然后对所述的石墨烯薄膜层进行清洗,再在所述的石墨烯薄膜层上生长金属层,即制得所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料。本发明的制备方法具有工艺简单、反应条件温和和石墨烯掺杂比例可控的优点,且制得的该复合薄膜材料在保证电学性能的前提下,具有较好的力学性能、抗腐蚀氧化性能,并且能够有效阻止金属间化合物的生长,适用于表面涂层、电子封装等领域。

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