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公开(公告)号:CN106801227A
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201611149178.8
申请日:2016-12-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:选择一导电基体,对所述的导电基体清洗,清洗后在所述的导电基体上生长石墨烯薄膜层;然后对所述的石墨烯薄膜层进行清洗,再在所述的石墨烯薄膜层上生长金属层,即制得所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料。本发明的制备方法具有工艺简单、反应条件温和和石墨烯掺杂比例可控的优点,且制得的该复合薄膜材料在保证电学性能的前提下,具有较好的力学性能、抗腐蚀氧化性能,并且能够有效阻止金属间化合物的生长,适用于表面涂层、电子封装等领域。
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公开(公告)号:CN102543783B
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201210085337.8
申请日:2012-03-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/8181 , H01L2224/81825
Abstract: 本发明提供一种使用铟和微针锥结构的热压缩芯片低温互连方法,包括芯片到基片,及芯片与芯片堆叠互连方法,在芯片焊盘制备表面覆盖有金属铟薄层的针锥阵列层,并将其与带有第二金属凸点的基片接触施压,随后加热至铟熔点之上保持一定时间,利用熔融的铟填充针锥与第二金属镶嵌的间隙,并与第二金属之间产生固液反应生成高熔点金属间化合物,从而消耗铟层来实现紧密键合,该方法通用性强,无需助焊剂,工艺流程简单,能明显降低现有倒装焊工艺温度。
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公开(公告)号:CN104112707A
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201410313880.8
申请日:2014-07-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/81205 , H01L2224/81345
Abstract: 本发明公开了一种基于镍和铜微针锥异种结构的固态超声键合方法,包括步骤为:选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件,两两形成一待键合偶;在待键合偶的其中一侧的焊盘上形成镍微针锥;在待键合偶的另一侧的焊盘上形成铜微针锥;将待键合偶的一侧元件吸附在键合装置压头表面;将所述待键合偶的两侧焊盘对准,使所述镍微针锥与所述铜微针锥匹配接触,向所述待键合偶一侧施加键合压力和超声振动并保持一定时间,使得所述镍微针锥与所述铜微针锥互连键合。本发明的工艺过程简单,无需加热及助焊剂,可避免热损伤,提高产品可靠性;微针锥结构缩短了超声键合的时间,提高了互连的有效性和键合密度。
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公开(公告)号:CN102610537B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201210086084.6
申请日:2012-03-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/83 , H01L2224/83365 , H01L2224/83897
Abstract: 本发明的半导体器件低温固态键合的方法,包括以下步骤:1)选择具有相互匹配的电互连焊盘的至少两个待键合元件;2)在一待键合元件的多个焊盘上形成铜微针锥群;3)在另一待键合元件的多个焊盘上形成至少表面设有低硬度第二金属层的凸点;4)使所述凸点与所述铜微针锥群接触,将所述凸点与所述铜微针锥群的接触部分加热到第一温度,施加键合压力使所述凸点与所述铜微针锥群电互连键合。与现有技术相比,本发明的工艺过程不需要将温度加热到焊料熔点以上以使焊料熔化,可避免对器件产生热损伤,且固态键合能够提高互连密度和产品可靠性,界面反应可控,无需助焊剂等有机物因而简化了工艺流程。
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公开(公告)号:CN106801227B
公开(公告)日:2019-12-03
申请号:CN201611149178.8
申请日:2016-12-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属基复合薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:选择一导电基体,对所述的导电基体清洗,清洗后在所述的导电基体上生长石墨烯薄膜层;然后对所述的石墨烯薄膜层进行清洗,再在所述的石墨烯薄膜层上生长金属层,即制得所述的石墨烯/金属基复合薄膜材料。本发明的制备方法具有工艺简单、反应条件温和和石墨烯掺杂比例可控的优点,且制得的该复合薄膜材料在保证电学性能的前提下,具有较好的力学性能、抗腐蚀氧化性能,并且能够有效阻止金属间化合物的生长,适用于表面涂层、电子封装等领域。
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