公开(公告)号：CN102610537B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201210086084.6

申请日：2012-03-28

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 陆钦 ,  李明 ,  胡安民 ,  章文婧 ,  陈卓

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83897

Abstract: 本发明的半导体器件低温固态键合的方法，包括以下步骤：1）选择具有相互匹配的电互连焊盘的至少两个待键合元件；2）在一待键合元件的多个焊盘上形成铜微针锥群；3）在另一待键合元件的多个焊盘上形成至少表面设有低硬度第二金属层的凸点；4）使所述凸点与所述铜微针锥群接触，将所述凸点与所述铜微针锥群的接触部分加热到第一温度，施加键合压力使所述凸点与所述铜微针锥群电互连键合。与现有技术相比，本发明的工艺过程不需要将温度加热到焊料熔点以上以使焊料熔化，可避免对器件产生热损伤，且固态键合能够提高互连密度和产品可靠性，界面反应可控，无需助焊剂等有机物因而简化了工艺流程。

公开(公告)号：CN102610537A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210086084.6

申请日：2012-03-28

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 陆钦 ,  李明 ,  胡安民 ,  章文婧 ,  陈卓

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83897

Abstract: 本发明的半导体器件低温固态键合的方法，包括以下步骤：1）选择具有相互匹配的电互连焊盘的至少两个待键合元件；2）在一待键合元件的多个焊盘上形成铜微针锥群；3）在另一待键合元件的多个焊盘上形成至少表面设有低硬度第二金属层的凸点；4）使所述凸点与所述铜微针锥群接触，将所述凸点与所述铜微针锥群的接触部分加热到第一温度，施加键合压力使所述凸点与所述铜微针锥群电互连键合。与现有技术相比，本发明的工艺过程不需要将温度加热到焊料熔点以上以使焊料熔化，可避免对器件产生热损伤，且固态键合能够提高互连密度和产品可靠性，界面反应可控，无需助焊剂等有机物因而简化了工艺流程。

公开(公告)号：CN103085380A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310033526.5

申请日：2013-01-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 余喆吟 ,  李明 ,  章文婧

IPC: B32B15/04 ,  B32B9/04 ,  C23C18/38 ,  C23C18/18 ,  B05D5/08

Abstract: 本发明公开了一种金属铜微米阵列超疏水表面及其制备方法，该方法是首先通过化学沉积在金属基板上构筑微米级铜的粗糙结构，然后通过在其上自组装低表面能物质对表面进行疏水化处理使该粗糙结构上覆盖一层疏水薄膜，从而得到超疏水的金属铜表面。采用本发明方法处制备的金属铜表面具有优良的超疏水性质，其与水滴的接触角可达到156°，滚动角小于1°。同时，该铜疏水表面有很好的表面结构稳定性，包括耐酸、耐碱、耐有机溶剂及耐低温、高温等优良性能，可满足工业领域对金属铜超疏水表面的需要。本工艺方法的优点在于不需要借助任何模板，无需复杂设备，对底材形状无特殊要求，适于工业化批量生产。