公开(公告)号：CN102610537B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201210086084.6

申请日：2012-03-28

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 陆钦 ,  李明 ,  胡安民 ,  章文婧 ,  陈卓

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83897

Abstract: 本发明的半导体器件低温固态键合的方法，包括以下步骤：1）选择具有相互匹配的电互连焊盘的至少两个待键合元件；2）在一待键合元件的多个焊盘上形成铜微针锥群；3）在另一待键合元件的多个焊盘上形成至少表面设有低硬度第二金属层的凸点；4）使所述凸点与所述铜微针锥群接触，将所述凸点与所述铜微针锥群的接触部分加热到第一温度，施加键合压力使所述凸点与所述铜微针锥群电互连键合。与现有技术相比，本发明的工艺过程不需要将温度加热到焊料熔点以上以使焊料熔化，可避免对器件产生热损伤，且固态键合能够提高互连密度和产品可靠性，界面反应可控，无需助焊剂等有机物因而简化了工艺流程。

公开(公告)号：CN102610537A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210086084.6

申请日：2012-03-28

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 陆钦 ,  李明 ,  胡安民 ,  章文婧 ,  陈卓

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83897

Abstract: 本发明的半导体器件低温固态键合的方法，包括以下步骤：1）选择具有相互匹配的电互连焊盘的至少两个待键合元件；2）在一待键合元件的多个焊盘上形成铜微针锥群；3）在另一待键合元件的多个焊盘上形成至少表面设有低硬度第二金属层的凸点；4）使所述凸点与所述铜微针锥群接触，将所述凸点与所述铜微针锥群的接触部分加热到第一温度，施加键合压力使所述凸点与所述铜微针锥群电互连键合。与现有技术相比，本发明的工艺过程不需要将温度加热到焊料熔点以上以使焊料熔化，可避免对器件产生热损伤，且固态键合能够提高互连密度和产品可靠性，界面反应可控，无需助焊剂等有机物因而简化了工艺流程。