公开(公告)号：CN102630347A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201080049952.2

申请日：2010-10-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 远藤加寿代 ,  藤田淳 ,  德永隆志

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/0508 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02013 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/048 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49355

Abstract: 为了得到能够避免因布线材料的蛇行的影响引起的发电效率的降低并能够缓和起因于基板材料和布线材料的热膨胀系数之差的应力、且能够抑制基板的翘曲、电极与布线的接合部分的剥落的薄膜太阳能电池模块，具有：薄膜太阳能电池器件(2)，将多个薄膜太阳能电池单元串联连接而构成；以及汇流条布线(3)，设置在薄膜太阳能电池器件(2)的正极侧端部和负极侧端部，其中，汇流条布线(3)是多个导电部件(10)重叠一部分地连结而构成。

公开(公告)号：CN110832628A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880043274.5

申请日：2018-04-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤祐司 ,  浦地刚史 ,  藤田淳 ,  吉田基

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

Abstract: 得到抑制使用铜的电极与使用铜的引线的接合形成中的铜电极与引线的接合不良的产生的半导体装置。一种半导体装置，具备：半导体基板(1)；铜电极层(2)，形成于半导体基板(1)上；金属薄膜层(3)，形成于铜电极层(2)上，与外周部相比在内侧具有使铜电极层(2)露出的开口部(31)，所述金属薄膜层(3)防止铜电极层(2)的氧化；以及以铜为主要成分的布线构件(4)，具有覆盖开口部(31)的接合区域(20)，所述布线构件(4)接合于金属薄膜层(3)且在开口部(31)处接合于铜电极层(2)。

公开(公告)号：CN104641465A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048748.2

申请日：2013-07-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  远藤加寿代 ,  藤田淳 ,  曾田真之介 ,  西川和康 ,  野上洋一 ,  山本佳嗣 ,  井上晃

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/06

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基板(1)形成多个半导体元件(2)。在SOI基板(12)形成多个密封窗(8)和支撑多个密封窗(8)的支撑部(13)。通过加压部件(14)将SOI基板(12)压到基板(1)，经由配置在多个半导体元件(2)的周边的低熔点玻璃材料(7)使SOI基板(12)的多个密封窗(8)接合到基板(1)。从接合到基板(1)的多个密封窗(8)切断支撑部(13)。

公开(公告)号：CN103875078A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280050762.1

申请日：2012-10-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨口恒夫 ,  薮垣良美 ,  越前谷大介 ,  藤田淳 ,  高山智生 ,  宫本慎介

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/05 ,  H01L31/0512 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的太阳能电池模块（100）具备：布线材料（2），将多个太阳能电池元件（1）进行电连接；以及如下构造：使焊料熔融而将集电电极（4）和所述布线材料接合而形成焊料接合部（6），所述集电电极设置于所述太阳能电池元件的受光面上，在与所述布线材料平行的第1方向上延伸，在与所述第1方向垂直的剖面中，所述集电电极（4）的宽度比所述布线材料小，所述焊料接合部的与所述第1方向垂直的剖面形状具有随着从所述布线材料的下表面朝向所述集电电极而逐渐变窄的形状，用热硬化性树脂（7）覆盖所述焊料接合部的侧面。从而抑制集电电极从太阳能电池元件剥离，提高布线材料与集电电极的接合可靠性。

公开(公告)号：CN114041207A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201980098022.7

申请日：2019-07-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤祐司 ,  横山吉典 ,  吉田基 ,  藤田淳

IPC: H01L23/04

Abstract: 半导体装置(10)具备基底板(1)、衬底(2)、半导体元件(3)、壳体(4)和布线端子(5)。壳体(4)以覆盖衬底(2)及半导体元件(3)的方式配置于基底板(1)上。布线端子(5)与半导体元件(3)电连接。壳体(4)包括第1壳体部(41)和与第1壳体部(41)分开的第2壳体部(42)。布线端子(5)包括第1布线部(51)和第2布线部(52)。第1布线部(51)以从壳体(4)的内部向外部突出的方式配置并且与半导体元件电连接。第2布线部(52)相对于第1布线部(51)弯曲并且配置于壳体(4)的外部。第1壳体部(41)及第2壳体部(42)以夹住第1布线部(51)的方式配置。

公开(公告)号：CN110383488A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201780088076.6

申请日：2017-03-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤田淳 ,  鹿口直斗 ,  和田文雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 得到可靠性高的半导体装置。半导体装置(11)具备半导体基板、第1栅布线(22)及第2栅布线(22)、第1金属部(20a)、绝缘部件(40)以及第2金属部(20b)。第1栅布线(22)及第2栅布线(22)在半导体基板的主面上相互隔开间隔而配置。第1金属部(20a)形成于第1栅布线(22)及第2栅布线(22)之上。第1金属部(20a)具有在第1栅布线(22)与第2栅布线(22)之间的区域中位于与半导体基板(18)侧相反的一侧的上表面。在上表面形成有凹部(28)。绝缘部件(40)埋入于凹部(28)的至少一部分。第2金属部(20b)从绝缘部件(40)的上部表面上延伸至第1金属部(20a)的上表面上。

公开(公告)号：CN103608928B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201280029716.3

申请日：2012-06-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 远藤加寿代 ,  今田胜大 ,  藤田淳

IPC: H01L31/048

CPC classification number: H01L31/1864 ,  B32B17/10036 ,  B32B17/10293 ,  B32B17/10302 ,  B32B17/10788 ,  H01L31/0488 ,  H02S30/10 ,  Y02E10/50

Abstract: 在使用对合玻璃的太阳能电池组件的密封工序中，在前面侧玻璃基板与背面侧玻璃基板之间夹装太阳能电池单元以及用于密封太阳能电池单元的透光性中间膜层，在组件周缘部使用密封部件，该密封部件通过折弯把一侧作为粘结面的密封片而形成插入部和外装部，将插入部插入到前面侧玻璃基板和背面侧玻璃基板之间，使粘结面与前面侧玻璃基板以及背面侧玻璃基板粘结，将外装部的粘结面与前面侧玻璃基板以及背面侧玻璃基板中的至少任一方的端面粘结，从而获得太阳能电池组件。

公开(公告)号：CN103681522A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310423624.X

申请日：2013-09-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  山本佳嗣 ,  井上晃 ,  横山吉典 ,  藤田淳 ,  远藤加寿代 ,  曾田真之介 ,  西川和康

IPC: H01L23/08

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L29/78 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。半导体元件(2)设在衬底(1)上。栅极布线(6)以及源极布线(7)配置于衬底(1)上，分别与半导体元件(2)的栅极电极(3)以及源极电极(4)电连接。窗框部(13)配置于衬底(1)上，包围半导体元件(2)，与栅极布线(6)以及源极布线(7)相接。密封窗(14)接合于窗框部(13)，密封半导体元件(2)。窗框部(13)是具有薄膜电阻为106～1010Ω/□的低熔点玻璃。从而获得能够确保耐湿性、防止高频特性的恶化、提高静电耐量而不增加成本的半导体装置。

公开(公告)号：CN113646876B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201980094857.5

申请日：2019-04-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤田淳

IPC: H01L21/52 ,  H02M7/48

Abstract: 功率半导体模块(1)具备电路基板(10)、包含半导体基板(20)的功率半导体元件(19)以及至少一个接合部(5)。至少一个接合部(5)包含远离半导体基板(20)的第1金属构件(12)、靠近半导体基板(20)的第2金属构件(23)以及将第1金属构件(12)和第2金属构件(23)互相接合的接合层(15)。在同一温度下，第1金属构件(12)的0.2％屈服强度比第2金属构件(23)的0.2％屈服强度更小，并且比接合层(15)的剪切强度更小。

公开(公告)号：CN109219868B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN201780034537.1

申请日：2017-05-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤祐司 ,  吉田基 ,  藤田淳

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置具备半导体基板(1)、绝缘膜(2)以及电极(3)。半导体基板(1)具有第一表面(1a)。绝缘膜(2)设置于半导体基板(1)的第一表面(1a)上，且在与第一表面(1a)相反的一侧具有第二表面(2a)。电极(3)连接于绝缘膜(2)的第二表面(2a)，且具有侧面(3a)、与所述绝缘膜(2)接触的第一面(3e)以及位于与第一面(3e)相反的一侧的第二面(3f)。电极(3)的第二面(3f)的外周形成于比第一面(3e)的外周靠内侧的位置。