-
公开(公告)号：CN105164819A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480025001.X
申请日：2014-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 绵引达郎
IPC: H01L31/0747 , H01L31/054 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/022425 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 在作为半导体基板的n型单晶硅基板1的与光入射面相反一侧的面，在第1导电类型非晶质半导体膜(n型非晶硅层5)上具备载流子浓度低的第1导电性半导体膜(第1氧化铟层9)，在其上具备载流子浓度高的第2导电性半导体膜(第2氧化铟层10)，在载流子浓度低的第1导电性半导体膜中具备绝缘性微粒8。由此，即使使光发生散射而延长光程长度，也不引起导电性半导体膜中的吸收且没有损失，能够同时实现红外吸收的抑制和由有效的散射带来的光程长度的增大，不导致电气特性的劣化，在100μm以下的薄型半导体基板的情况下，也能够得到高的变换效率。
-
公开(公告)号：CN113169055B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201880099749.2
申请日：2018-12-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明的目的在于提供可防止将多个金属层层叠而成的电极中的有机物污染的半导体装置。半导体装置包含：半导体基板、和在半导体基板的主面层叠的包含多个层的电极。电极包含：包含Al且与半导体基板的主面接触的第1金属层；包含金属和氧且设置于第1金属层的表面的氧化层；和在氧化层的表面设置的第2金属层。氧化层的氧浓度为8.0×1021/cm3以上且4.0×1022/cm3以下。
-
公开(公告)号：CN111656532B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201880087962.1
申请日：2018-12-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 为了提供降低缺陷层所引起的泄漏电流而阈值电压的变动小的电力用半导体装置，具备：单晶n型半导体基板(1)；n型外延膜层(2)，形成于单晶n型半导体基板的表面，具有凹部(50)及凸部(51)；阴极电极(6)，形成于单晶n型半导体基板的与表面相反一侧的面；绝缘膜(4)，形成于凸部的顶部(512)的第一区域(57)；p型薄膜层(3)，形成于绝缘膜及n型外延膜层的表面，在与n型外延膜层之间形成pn结；以及阳极电极(5)，至少一部分形成于p型薄膜层的表面，一部分贯通p型薄膜层及绝缘膜，在与顶部的边缘部(513)之间被第一区域隔开的第二区域(56)在与n型外延膜层之间，形成肖特基结。
-
公开(公告)号：CN113544828A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201980093656.3
申请日：2019-03-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，不会使半导体芯片的面积增加而抑制中间电极的外周部和半导体芯片的表面电极的电气性的接触。第1中间电极(400)的与第1主电极(202、301)的对置面比第1主电极(202、301)的与第1中间电极(400)的对置面小，并具有外周部的保护区域(405)和被保护区域(405)包围的连接区域(404)。压接型半导体装置具备：在连接区域(404)中部分地形成的多个第1导体膜(407)；以及第1绝缘膜(406)，形成于连接区域(404)中的未形成第1导体膜(407)的区域和保护区域(405)。
-
公开(公告)号：CN110249432A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201780085464.9
申请日：2017-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L29/872
Abstract: n型半导体层(1a)具有单晶构造，包括宽带隙半导体材料。p型半导体层(4A)设置于n型半导体层(1a)上，包括与上述宽带隙半导体材料不同的材料，具有微晶构造以及非晶质构造中的任意种。电极(3)设置于n型半导体层(1a)以及p型半导体层(4A)中的至少某一个上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109478571A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780040477.4
申请日：2017-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47
Abstract: 即使在n型氧化物半导体中设置p型氧化物半导体作为终端结构，也防止p型氧化物半导体被n型氧化物半导体的氧所氧化。半导体装置(10)，其具备：n型氧化镓基板(1)；与n型氧化镓基板1接合的阳极电极(3)；和设置于n型氧化镓基板(1)的阴极电极(2)，使电流经由在阳极电极(3)与阴极电极(2)之间设置的n型氧化镓基板(1)在阳极电极(3)与阴极电极(2)之间流动，其特征在于，具备：与将阳极电极(3)与n型氧化镓基板(1)接合的接合部邻接地设置的p型氧化物半导体层(4a)；和在p型氧化物半导体层4a与n型氧化镓基板(1)之间所设置的氮化物层(7)。
-
公开(公告)号：CN109075216A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680082746.9
申请日：2016-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 本申请说明书中所公开的技术涉及具备烧成电极、且能够抑制由烧成引起的损伤的技术。与本技术有关的太阳能电池具备：在半导体基板(100)上形成的隧道氧化物层(104)、在隧道氧化物层(104)上形成的第1导电型的半导体层(106)、在半导体层(106)上形成的保护膜(107)、和从保护膜(107)上将保护膜(107)贯通且与半导体层(106)接触而形成的电极(111)，电极(111)为含有玻璃粒子的烧成电极。
-
公开(公告)号：CN107155378A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201580066670.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制开路电压以及填充因数的降低或者电流泄漏的发生的光电动势装置的制造方法。本发明的光电动势装置的制造方法具备：(a)在硅基板(1)的第1主面形成金字塔状的纹理的工序；(b)在第1主面上形成包括第1导电类型的杂质的第1硅酸盐玻璃(8)的工序；(c)在第1硅酸盐玻璃(8)上形成不包括导电型杂质的第2硅酸盐玻璃(9)的工序；(d)使第1硅酸盐玻璃(8)中包括的第1导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第1主面的工序；(e)在第2硅酸盐玻璃(9)上形成包括第1导电类型的杂质的第3硅酸盐玻璃(10)的工序；以及(f)在工序(e)之后使第2导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第2主面的工序。
-
公开(公告)号：CN111712925B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201880088899.3
申请日：2018-02-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/201
Abstract: 本发明的半导体装置具备：支撑基板，具有第1主面及第2主面；第1导电类型的第1GaN层，设置于支撑基板的第1主面侧；第1导电类型的第2GaN层，设置于第1GaN层上；AlxGa1‑xN(0
-
公开(公告)号：CN110809826B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201880040851.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 提供一种氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法，在抑制异种材料向肖特基界面扩散的同时，提高被施加反向电压时的耐压。氧化物半导体装置具备：n型的氧化镓外延层(2)；p型的氧化物半导体层(5)，是与氧化镓外延层的材料不同的材料的氧化物；电介体层(7)，以覆盖氧化物半导体层的侧面的至少一部分的方式形成；阳极电极(4)；以及阴极电极(3)，在氧化物半导体层的下表面与氧化镓基板(1)之间或者氧化物半导体层(5a)的下表面与氧化镓外延层(2)之间形成异质pn结。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.044 seconds)
