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公开(公告)号：CN102197158A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980141695.2
申请日：2009-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/4405 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 在等离子体CVD装置中具备：制膜室(4)；保持构件，保持设置在所述制膜室(4)内的被处理基板；喷头(5)，设置在所述制膜室(4)内并与所述保持构件相向，供给原料气体并且产生所述原料气体的等离子体；自由基生成室(8)，相对于所述喷头(5)在与所述保持构件相反的一侧设置，生成处理气体的自由基；以及开闭自如的闸门(9)，设置在所述喷头(5)与所述自由基生成室(8)之间。
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公开(公告)号：CN101803038A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107564.8
申请日：2008-09-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的目的在于实现更高发电效率的薄膜太阳能电池元件，适用于在背面电极层与光电变换层之间以及层叠的多个光电变换层之间插入了透明电极层的纵列结构的薄膜太阳能电池元件。第一电传导路径(6)，在贯通中间透明电极层(4)和第一绝缘层(5)的微细孔处形成导电性材料的薄膜(电阻率＜10-4Ω·cm)而构成，使第一和第二光电变换层(3)、(7)相互电连接。具有同样结构的第二电传导路径(16)也使第二光电变换层(7)和背面电极层(9)相互电连接。由第一和第二电传导路径(6)、(16)构成的电传导路径的总面积，相对于单元电池的面积，设定在1×10-7以上、4×10-6以下的范围内。上述导电性材料由铂、金、铬、钌和氮化钛中的任一种形成。
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公开(公告)号：CN106062975A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011463.0
申请日：2015-03-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/061 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的特征在于，包括：在n型硅基板(1)的一主面侧形成p型扩散层(2)并形成具有pn结的n型硅基板(1)的工序；在n型硅基板的第1主面以及第2主面中的作为n型的受光面1A侧的表面作为钝化膜形成氧化硅膜(5)与氮化硅膜的层叠膜的工序；在钝化膜形成开口区域(9)的工序；对钝化膜的开口区域(9)将钝化膜作为掩模来扩散n型杂质并形成高浓度扩散区域(11)的工序；以及在暴露于钝化膜的开口区域(9)的所述高浓度扩散区域(11)选择性地形成金属电极(13)的工序。
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公开(公告)号：CN104205359B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280071065.4
申请日：2012-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在背接触型的异质结型光电变换装置中，其目的在于，一并地制作包括p型非晶硅膜(4)正上方的电极和n型非晶硅膜(5)正上方的透明导电性氧化物的透明导电膜(6)，得到接近欧姆接触的接合。包括：在n型非晶硅膜(5)上以及p型非晶硅膜(4)上一并形成氧化物电极层的工序；以及在覆盖n型非晶硅膜(5)或者p型非晶硅膜(4)中的某一方的透明导电膜(6)上配置了掩模的状态下，向露出了的透明导电膜(6)照射等离子体的工序。
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公开(公告)号：CN104205359A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280071065.4
申请日：2012-03-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/20 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在背接触型的异质结型光电变换装置中，其目的在于，一并地制作包括p型非晶硅膜(4)正上方的电极和n型非晶硅膜(5)正上方的透明导电性氧化物的透明导电膜(6)，得到接近欧姆接触的接合。包括：在n型非晶硅膜(5)上以及p型非晶硅膜(4)上一并形成氧化物电极层的工序；以及在覆盖n型非晶硅膜(5)或者p型非晶硅膜(4)中的某一方的透明导电膜(6)上配置了掩模的状态下，向露出了的透明导电膜(6)照射等离子体的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102089884B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN200980126260.0
申请日：2009-05-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0236 , H01L31/0376 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02363 , H01L31/03762 , H01L31/075 , H01L31/1884 , Y02E10/548
Abstract: 本发明能够得到一种薄膜太阳能电池，通过在透明绝缘基板(1)上形成在基板面内相互分离的多个第一透明导电膜(2)，在第一透明导电膜(2)上形成第二透明导电膜，将第二透明导电膜蚀刻为粒状来形成分散在第一透明导电膜(2)上的第一粒状体(4a)，在第一透明导电膜(2)上以及分散的第一粒状体(4a)上形成发电层(5)，在发电层(5)上形成背面电极层(6)，从而实现具有表面粗糙度小的微细表面凹凸并且面内的电阻大致均匀的透明电极。
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公开(公告)号：CN102239571B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN200980148258.3
申请日：2009-11-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L27/142 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , Y02E10/50
Abstract: 包括：第1工序，以使相邻的薄膜光电变换单元之间电串联连接的方式，在透光性绝缘基板上，依次形成第1电极层、光电变换层、以及第2电极层，其中，该光电变换层是依次层叠了第1导电类型半导体层、第2导电类型半导体层和第3导电类型半导体层；第2工序，形成从所述第2电极层的表面到达所述第1电极层的分离槽，从而进行单元分离为多个薄膜光电变换单元；以及第3工序，在所述第2工序之后对所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部进行氧化处理而使所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部改性为绝缘层。
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公开(公告)号：CN102197158B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200980141695.2
申请日：2009-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/4405 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 在等离子体CVD装置中具备：制膜室(4)；保持构件，保持设置在所述制膜室(4)内的被处理基板；喷头(5)，设置在所述制膜室(4)内并与所述保持构件相向，供给原料气体并且产生所述原料气体的等离子体；自由基生成室(8)，相对于所述喷头(5)在与所述保持构件相反的一侧设置，生成处理气体的自由基；以及开闭自如的闸门(9)，设置在所述喷头(5)与所述自由基生成室(8)之间。
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公开(公告)号：CN103339688A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201180065943.7
申请日：2011-10-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L31/022483 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 一种透明电极基板，是在透光性绝缘基板上形成由以氧化锌为主要成分且包含至少一种以上的掺杂剂元素的氧化锌系薄膜组成的透明电极的透明电极基板，所述氧化锌系薄膜在表面具备凹凸形状，具有从所述透光性绝缘基板侧向着表面侧连续减少的所述掺杂剂元素的浓度梯度，在所述氧化锌系薄膜中的所述掺杂剂元素的浓度在从所述透光性绝缘基板到厚度50nm的区域大于等于1.5原子%小于等于3原子%，在从表面到厚度300nm的区域大于等于0.2原子%小于等于1原子%。
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公开(公告)号：CN102422435A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020426.3
申请日：2010-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/046 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 在薄膜太阳能电池(10)中，在透光性绝缘基板(2)上配置将由透明导电膜构成的第1电极层(3)、进行光电变换的光电变换层(4、14)、以及由反射光的导电膜构成的第2电极层(5)按照这个顺序进行层叠而成的多个薄膜太阳能电池单元(1)，并且邻接的所述薄膜太阳能电池单元(1)彼此串联电连接，其中，所述第1电极层(3)具有凹陷部(3a、D1)，所述凹陷部(3a、D1)的底部被绝缘材料填埋。由此，可得到防止由在透光性绝缘基板(2)上层叠的第1电极层(3)的凹陷部(3a、D1)所引起的特性变差的光电变换特性优良的薄膜太阳能电池。
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