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公开(公告)号：CN101980357A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010284439.3
申请日：2006-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件的树脂密封用模具。具备功率芯片(5)、IC芯片(7)、具有在表面上搭载功率芯片(5)的芯片焊盘(1a)以及IC芯片(7)的搭载部的弯曲框架(1)、以一个面密接在芯片焊盘(1a)的背面上的方式设置的树脂片(3)、以树脂片(3)的另一个面露出的方式将功率芯片(5)、IC芯片(7)、芯片焊盘(1a)以及树脂片(3)模塑的模塑树脂(2)，在模塑树脂(2)的与树脂片(3)的露出面相反一侧的面上，具有沿着与模塑树脂(2)的树脂注入口垂直，并且与所述树脂片平行的方向延伸的槽(10)。
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公开(公告)号：CN1983574A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610164090.3
申请日：2006-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
Abstract: 提供在处理大电流，并具有配置在框架的芯片焊盘背面的树脂片的半导体器件中，可以一面确保较高的绝缘性，一面有效地将在功率芯片上产生的热散发到外部的半导体器件以及该半导体器件的树脂密封用模具。具备功率芯片(5)、IC芯片(7)、具有在表面上搭载功率芯片(5)的芯片焊盘(1a)以及IC芯片(7)的搭载部的弯曲框架(1)、以一个面密接在芯片焊盘(1a)的背面上的方式设置的树脂片(3)、以树脂片(3)的另一个面露出的方式将功率芯片(5)、IC芯片(7)、芯片焊盘(1a)以及树脂片(3)模塑的模塑树脂(2)，在模塑树脂(2)的与树脂片(3)的露出面相反一侧的面上，具有沿着与模塑树脂(2)的树脂注入口垂直，并且与所述树脂片平行的方向延伸的槽(10)。
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公开(公告)号：CN111916404A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010363119.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/07 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 功率用半导体装置(100)具有框架(1)、半导体元件(4)、基板(7)、封装树脂(13)。半导体元件(4)配置于框架(1)之上。基板(7)配置于框架(1)的与配置半导体元件(4)的一侧相反侧。封装树脂(13)对半导体元件(4)及基板(7)进行封装。基板(7)包含金属片(7A)、金属片(7A)的一个主表面侧的第1绝缘片(7B)、金属片(7A)的另一个主表面侧的第2绝缘片(7C)。金属片(7A)在常温下具有挠性。
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公开(公告)号：CN104241264A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410265538.5
申请日：2014-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电力用半导体装置，其抑制功率芯片间的热干涉。电力用半导体装置(100)具有：多个功率芯片(20)，它们封装在封装部(50)中，且用于控制电力；以及IC(10)，其封装在封装部(50)中，且对各功率芯片(20)进行控制。IC(10)在俯视观察时配置在封装部(50)的中央部，多个功率芯片(20)配置为在俯视观察时包围IC(10)。
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公开(公告)号：CN101562165B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200810181797.4
申请日：2008-12-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，引线端子(3)与半导体器件(5a、5b)电连接。密封树脂体(1)将半导体器件(5a、5b)和内部引线部(3a)密封于内部，并且使外部引线部(3c)露出。外部引线部(3c)包含：本体部(3c1)、连结部(3c3)和外伸部(3c2)。本体部(3c1)直线状地延伸。连结部(3c3)与本体部(3c1)连接并向本体部(3c1)的侧方延伸。外伸部(3c2)与连结部(3c3)连接，并具有大于连结部(3c3)的尺寸。由此，该半导体装置能够以简单的结构抑制外部引线部和端子软钎焊部的温度上升。
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公开(公告)号：CN107210279B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201680009619.6
申请日：2016-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提高压配端子与连接器的保持力来得到小型且可靠性高的电力用半导体装置。本发明的电力用半导体装置(1)具备：多个引线图案(23、24、25)，一端侧与包括电力用半导体元件(8)的电路部件中的任意电路部件连接，并且在另一端侧的预定位置具有贯通孔；密封体(4)，密封电路部件而形成；母型连接器(5)，从密封体(4)的主面(4f)向电路面(6f)地形成；以及压配端子(2)，具有连接器插入端子，该连接器插入端子固定于母型连接器。连接器插入端子具有：锚部，设置于向母型连接器的插入前端侧，固定于母型连接器的底以及侧面；以及压配部，设置于插入深度比锚部浅的部分，与引线图案的贯通孔连接。
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公开(公告)号：CN103325759B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310265179.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H02M1/42
CPC classification number: H02M7/217 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/73 , H01L25/165 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H02M1/4208 , Y02B70/126 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体模块，提供一种恢复特性优良并且低损失且低成本的PFC模块。PFC模块具有：二极管桥，由上臂的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）及下臂的第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）构成；功率因数改善用的第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）。其中的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）是采用宽带隙半导体形成的肖特基势垒二极管，第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）及第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）是采用硅形成的二极管。
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公开(公告)号：CN103325759A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310265179.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H02M1/42
CPC classification number: H02M7/217 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/73 , H01L25/165 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H02M1/4208 , Y02B70/126 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体模块，提供一种恢复特性优良并且低损失且低成本的PFC模块。PFC模块具有：二极管桥，由上臂的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）及下臂的第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）构成；功率因数改善用的第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）。其中的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）是采用宽带隙半导体形成的肖特基势垒二极管，第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）及第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）是采用硅形成的二极管。
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公开(公告)号：CN102637679A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110453505.X
申请日：2011-12-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M7/217 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/73 , H01L25/165 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H02M1/4208 , Y02B70/126 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体模块，提供一种恢复特性优良并且低损失且低成本的PFC模块。PFC模块具有：二极管桥，由上臂的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）及下臂的第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）构成；功率因数改善用的第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）。其中的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）是采用宽带隙半导体形成的肖特基势垒二极管，第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）及第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）是采用硅形成的肖特基势垒二极管。
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