公开(公告)号：CN104885571A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201480003924.5

申请日：2014-03-04

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 堀江秀善

IPC: H05B37/02 ,  F21S2/00 ,  F21S8/02 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L25/13 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H05B33/086

Abstract: 本发明的目的在于，提供如下的发光装置及其设计方法：能够实现如在室外看到的自然、生动、视觉辨认性高且舒适的色貌、物体外貌，进而，能够使被照明的对象物的色貌变化，以满足针对各种照明的要求。并且，本发明的目的在于，改善内置有现已存在或已经实用的色貌恶劣的半导体发光装置的色貌。本发明的目的还在于提供该发光装置的驱动方法、基于该装置的照明方法、发光装置的制造方法。通过具有发光要素且具有规定要件的发光装置、即特征在于从该发光装置射出的φSSL(λ)满足规定条件的发光装置来实现上述目的。

公开(公告)号：CN101379627A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200780004810.2

申请日：2007-01-26

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 堀江秀善

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提供一种供电线路的配线容易、且发光强度的面内均匀性良好的化合物发光元件。所述发光元件具有第1导电型包覆层、有源层结构、第2导电型包覆层，这些层是分别包含III－V族化合物半导体而构成的，并且通过所述第1导电型包覆层与所述第2导电型包覆层夹持有源层结构。发光元件具备将载流子注入到第1导电型包覆层中的第1导电型侧电极7、将载流子注入到第2导电型包覆层中的第2导电型侧电极6。第1导电型侧电极7具有开口7p。第2导电型侧电极6具有：由所述第1导电型侧电极7部分包围的主电极部6－0、通过所述开口7p将所述主电极部6－0引出到第1导电型侧电极7的外侧的引出部6－1、6－2。主电极部6－0由定宽图形的一部分构成，主电极部6－0的外边缘与第1导电型侧电极7的内边缘之间的间隔基本恒定。

公开(公告)号：CN101138073A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680005598.7

申请日：2006-02-08

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 清见和正 ,  堀江秀善 ,  石渡俊男 ,  藤村勇夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法，该氮化物半导体材料在半导体或电介质衬底上具有第一氮化物半导体层组，所述第一氮化物半导体层组的表面的RMS为5nm以下，X射线半幅值的变动在±30％以内，表面的光反射率在15％以上，其变动在±10％以下，而且，所述第一氮化物半导体层组的厚度为25μm以上。该氮化物半导体材料具有优良的均匀性、稳定性，制造成本低，适用于作为氮化物半导体类设备用衬底。

公开(公告)号：CN1359177A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01145606.X

申请日：2001-11-29

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 堀江秀善 ,  新居信广 ,  小室直之

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/642 ,  H01L24/45 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01S5/02264 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体发光器件,至少具有一个端面发光型的半导体发光元件、第一散热片、第二散热片,其特征在于:该半导体发光元件的第一导电型侧电极的至少一部分连接于第一散热片上,并且,该半导体发光元件的第二导电型侧电极的至少一部分连接于第二散热片上,另外,在预计仅包括半导体发光元件的不形成共振器的两个侧面中一个侧面的空间中连接第一散热片和第二散热片。本发明的半导体发光器件对半导体发光元件提供优良的散热功能,即使在构成半导体发光器件的构件或元件中存在尺寸误差,也可容易且再现性很好的进行组装,并且与光纤等的光学连接也变容易。

公开(公告)号：CN118574667A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202380017595.9

申请日：2023-01-19

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  人工光合化学工艺技术研究组合

Inventor： 佐藤公则 ,  堀江秀善 ,  菊地智久 ,  宮城秀和 ,  林干夫 ,  武胁隆彦

IPC: B01D69/12 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02

Abstract: 一种复合分离结构，具有：基体部、与该基体部相接配置的第一分离部、不与基体部相接且与第一分离部相接配置的第二分离部，该第二分离部为非晶体并且从与第一分离部相接的端部到相反的端部为止的厚度为5nm～200nm。本发明可提供能够以高分离性分离各种动力学直径(kinetic diameter)小的气体、特别地实现包含动力学直径为#imgabs0#以下的气体的气体混合物的分离或浓缩的复合分离结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN118555983A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202380017117.8

申请日：2023-01-17

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  人工光合化学工艺技术研究组合

Inventor： 堀江秀善 ,  奥山学 ,  堀内薫 ,  角野元彦 ,  仮屋伸子 ,  金田健志 ,  坂本尚之 ,  味野纯也

IPC: A62C4/02 ,  B01J35/39 ,  C01B13/02 ,  F17D5/00 ,  C01B3/04 ,  C01B3/56 ,  B01D53/22 ,  B01D53/26 ,  F16L41/02 ,  F16L55/00 ,  B01J23/652

Abstract: 本发明的目的在于提供火焰传播抑制效果和冲击波传播抑制效果优异的熄火装置、以及具备该熄火装置的氢制造装置。熄火装置(1)从结合配管部(20)观察在第1配管(10)侧和/或第2配管(22)侧具备具有多孔部的火焰传播抑制部(3)，并在不与第1配管(10)和第2配管(22)中的任一者正交的第3配管(23)的端部具备使上升的内压降低的压力降低部(2)。

公开(公告)号：CN103299719A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280005134.1

申请日：2012-08-31

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 堀江秀善

IPC: H05B37/02

CPC classification number: H01L33/504 ,  F21K9/00 ,  H01L27/156 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H05B33/02 ,  H05B33/0857 ,  H05B33/0869

Abstract: 本发明的目的在于提供照明方法和发光装置，包括进行细致作业的情况在内，在5000lx左右以下、或者一般为1500lx左右以下的室内照度环境下，对于人感觉到的色貌，能够与各种显色评价指标（color rendition metric）的分数无关地，实现如在室外的高照度环境下看到的自然、生动、视觉辨认性高、且舒适的色貌、物体外貌。在从发光装置射出的光对对象物进行照明时，以使在对象物的位置处测定到的光满足特定条件的方式进行照明。发光装置的特征在于，从发光装置在主辐射方向上射出的光满足特定条件。

公开(公告)号：CN101479858B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200780024072.8

申请日：2007-04-30

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 堀江秀善

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/14 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种集成型化合物半导体发光装置，其发光强度的面内均匀性优异，能够大面积的面光源发光。该发光装置具有形成在透明基板(21)上的2个以上发光单元(11)，发光单元具有薄膜结晶层(24、25、26)、第一和第二导电型侧电极(27、28)，光取出方向为基板侧，第一和第二导电型侧电极形成在光取出方向的相反侧，发光单元之间通过发光单元间分离槽(12)电分离，并且基板和第一导电型包层之间具有光学结合层(23)，所述光学结合层(23)共用设置在2个以上的发光单元之间，将2个以上的发光单元光学结合，使光在集成型化合物半导体发光装置全体分布。

公开(公告)号：CN101512783A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780024794.3

申请日：2007-04-30

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 堀江秀善

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供一种倒装芯片安装型的半导体发光元件，该发光元件可以进行蓝色或紫外发光，功率高，效率高，并且光取出面的明亮度均一性高。该半导体发光元件在透明的基板(21)上具有薄膜结晶层、第二导电型侧电极(27)、第一导电型侧电极(28)，光取出方向为基板侧，电极(28)和电极(27)在空间上不重叠且形成在光取出方向的相反侧，薄膜结晶层的侧壁面与基板(21)端相比向后退，绝缘层从离开基板面端的位置开始覆盖内侧，将薄膜结晶层的全部侧面被覆，并与第一导电型侧电极的光取出方向侧的一部分相接，覆盖第二导电型侧电极的光取出方向的相反侧的一部分，用于提高射出的光的均一性的光均一化层设置在基板和第一导电型半导体层之间。

公开(公告)号：CN101485001A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780024420.1

申请日：2007-04-30

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 堀江秀善

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L27/153

Abstract: 本发明公开了一种适于大面积的面光源发光的集成型化合物半导体发光装置的结构及其制造方法。该发光装置具有形成在透明基板(21)上的2个以上发光单元(11)，所述发光单元具有薄膜结晶成长层(24、25、26)、第一和第二导电型侧电极(27、28)，光取出方向为基板侧，第一和第二导电型侧电极形成在光取出方向的相反侧，发光单元之间通过发光单元间分离槽(12)电分离，所述发光单元间分离槽(12)是通过从薄膜结晶成长层的表面进行除去直到上述缓冲层(22)的一部分而形成的。