公开(公告)号：CN101138073A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680005598.7

申请日：2006-02-08

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 清见和正 ,  堀江秀善 ,  石渡俊男 ,  藤村勇夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法，该氮化物半导体材料在半导体或电介质衬底上具有第一氮化物半导体层组，所述第一氮化物半导体层组的表面的RMS为5nm以下，X射线半幅值的变动在±30％以内，表面的光反射率在15％以上，其变动在±10％以下，而且，所述第一氮化物半导体层组的厚度为25μm以上。该氮化物半导体材料具有优良的均匀性、稳定性，制造成本低，适用于作为氮化物半导体类设备用衬底。

公开(公告)号：CN101035933A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580034210.1

申请日：2005-08-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 清见和正 ,  长冈裕文 ,  太田弘贵 ,  藤村勇夫

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/01

Abstract: 本发明涉及一种含Ga氮化物半导体单晶，其特征在于：(a)对含Ga氮化物半导体单晶照射波长450nm的光测定的最大反射率为20％以下，最大反射率和最小反射率之差为10％以内；(b)通过阴极发光法测定的位错密度的最大值和最小值之比(最大值/最小值)为10以下；(c)通过时间分辨发光法测定的寿命为95ps以上。