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公开(公告)号：CN103299719B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280005134.1
申请日：2012-08-31
Applicant: 三菱化学株式会社
Inventor： 堀江秀善
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H01L33/504 , F21K9/00 , H01L27/156 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01L33/32 , H01L33/50 , H01L33/502 , H05B33/02 , H05B33/0857 , H05B33/0869
Abstract: 本发明的目的在于提供照明方法和发光装置，包括进行细致作业的情况在内，在5000lx左右以下、或者一般为1500lx左右以下的室内照度环境下，对于人感觉到的色貌，能够与各种显色评价指标(color rendition metric)的分数无关地，实现如在室外的高照度环境下看到的自然、生动、视觉辨认性高、且舒适的色貌、物体外貌。在从发光装置射出的光对对象物进行照明时，以使在对象物的位置处测定到的光满足特定条件的方式进行照明。发光装置的特征在于，从发光装置在主辐射方向上射出的光满足特定条件。
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公开(公告)号：CN101512783B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200780024794.3
申请日：2007-04-30
Applicant: 三菱化学株式会社
Inventor： 堀江秀善
IPC: H01L33/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种倒装芯片安装型的半导体发光元件，该发光元件可以进行蓝色或紫外发光，功率高，效率高，并且光取出面的明亮度均一性高。该半导体发光元件在透明的基板(21)上具有薄膜结晶层、第二导电型侧电极(27)、第一导电型侧电极(28)，光取出方向为基板侧，电极(28)和电极(27)在空间上不重叠且形成在光取出方向的相反侧，薄膜结晶层的侧壁面与基板(21)端相比向后退，绝缘层从离开基板面端的位置开始覆盖内侧，将薄膜结晶层的全部侧面被覆，并与第一导电型侧电极的光取出方向侧的一部分相接，覆盖第二导电型侧电极的光取出方向的相反侧的一部分，用于提高射出的光的均一性的光均一化层设置在基板和第一导电型半导体层之间。
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公开(公告)号：CN103299718A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201280005125.2
申请日：2012-08-31
Applicant: 三菱化学株式会社
Inventor： 堀江秀善
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/08 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H05B33/0857 , H05B33/0866 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供照明方法和发光装置，包括进行细致作业的情况在内，在5000lx左右以下、或者一般为1500lx左右以下的室内照度环境下，对于人感觉到的色貌，能够与各种显色评价指标（color rendition metric）的分数无关地实现如在室外的高照度环境下看到的自然、生动、视觉辨认性高、且舒适的色貌、物体外貌。在从发光装置射出的光对对象物进行照明时，以使在对象物的位置处测定到的光满足特定条件的方式进行照明。发光装置的特征在于，从发光装置在主辐射方向上射出的光满足特定条件。
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公开(公告)号：CN101379627B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200780004810.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 三菱化学株式会社
Inventor： 堀江秀善
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种供电线路的配线容易、且发光强度的面内均匀性良好的化合物发光元件。所述发光元件具有第1导电型包覆层、有源层结构、第2导电型包覆层，这些层是分别包含III-V族化合物半导体而构成的，并且通过所述第1导电型包覆层与所述第2导电型包覆层夹持有源层结构。发光元件具备将载流子注入到第1导电型包覆层中的第1导电型侧电极(7)、将载流子注入到第2导电型包覆层中的第2导电型侧电极(6)。第1导电型侧电极(7)具有开口(7p)。第2导电型侧电极(6)具有：由所述第1导电型侧电极(7)部分包围的主电极部(6-0)、通过所述开口(7p)将所述主电极部(6-0)引出到第1导电型侧电极(7)的外侧的引出部(6-1)、(6-2)。主电极部(6-0)由定宽图形的一部分构成，主电极部(6-0)的外边缘与第1导电型侧电极(7)的内边缘之间的间隔基本恒定。
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公开(公告)号：CN101485001B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200780024420.1
申请日：2007-04-30
Applicant: 三菱化学株式会社
Inventor： 堀江秀善
IPC: H01L33/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L27/153
Abstract: 本发明公开了一种适于大面积的面光源发光的集成型化合物半导体发光装置的结构及其制造方法。该发光装置具有形成在透明基板(21)上的2个以上发光单元(11)，所述发光单元具有薄膜结晶成长层(24、25、26)、第一和第二导电型侧电极(27、28)，光取出方向为基板侧，第一和第二导电型侧电极形成在光取出方向的相反侧，发光单元之间通过发光单元间分离槽(12)电分离，所述发光单元间分离槽(12)是通过从薄膜结晶成长层的表面进行除去直到上述缓冲层(22)的一部分而形成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101484983A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780024949.3
申请日：2007-04-30
Applicant: 三菱化学株式会社
Inventor： 堀江秀善
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L33/00 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供蚀刻方法、蚀刻掩模及利用其制造半导体装置的方法。所述蚀刻方法具有：在150℃以上的温度形成金属氟化物层作为形成在半导体层(2)上的蚀刻掩模(3)的至少一部分的步骤；将该金属氟化物层图案化的步骤；和将图案化的金属氟化物层(3)作为掩模，对上述半导体层进行蚀刻的步骤。根据该蚀刻方法，通过比较简单的处理，即使是例如III－V族氮化物半导体那样的难以蚀刻的半导体层也能够容易地进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN1701480A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN03825304.6
申请日：2003-09-09
Applicant: 三菱化学株式会社
Inventor： 堀江秀善
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/20 , H01S2301/18
Abstract: 一种具有振荡波长λ(nm)的半导体激光器，包括至少衬底、具有平均折射率N1c1d的第一导电类型包层、具有平均折射率NA的有源层结构、以及具有平均折射率N2c1d的第二导电类型包层。该半导体激光器的特征在于，具有平均折射率N1SWG的第一导电类型次波导层形成在衬底与第一导电类型包层之间，具有平均折射率N1LIL的第一导电类型低折射率层形成在次波导层与衬底之间，且这些折射率满足特定的关系。该半导体激光器具有相对于电流、光输出和温度的变化稳定的振荡波长。
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公开(公告)号：CN101479858A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024072.8
申请日：2007-04-30
Applicant: 三菱化学株式会社
Inventor： 堀江秀善
IPC: H01L33/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L27/153 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/14 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种集成型化合物半导体发光装置，其发光强度的面内均匀性优异，能够大面积的面光源发光。该发光装置具有形成在透明基板(21)上的2个以上发光单元(11)，发光单元具有薄膜结晶层(24、25、26)、第一和第二导电型侧电极(27、28)，光取出方向为基板侧，第一和第二导电型侧电极形成在光取出方向的相反侧，发光单元之间通过发光单元间分离槽(12)电分离，并且基板和第一导电型包层之间具有光学结合层(23)，所述光学结合层(23)共用设置在2个以上的发光单元之间，将2个以上的发光单元光学结合，使光在集成型化合物半导体发光装置全体分布。
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公开(公告)号：CN100359772C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN03825304.6
申请日：2003-09-09
Applicant: 三菱化学株式会社
Inventor： 堀江秀善
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/20 , H01S2301/18
Abstract: 一种具有振荡波长λ(nm)的半导体激光器，包括至少衬底、具有平均折射率N1c1d的第一导电类型包层、具有平均折射率NA的有源层结构、以及具有平均折射率N2c1d的第二导电类型包层。该半导体激光器的特征在于，具有平均折射率N1SWG的第一导电类型次波导层形成在衬底与第一导电类型包层之间，具有平均折射率N1LIL的第一导电类型低折射率层形成在次波导层与衬底之间，且这些折射率满足特定的关系。该半导体激光器具有相对于电流、光输出和温度的变化稳定的振荡波长。
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