公开(公告)号：CN106687553B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201580049063.9

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 俞龙植 ,  崔正敏 ,  姜东宪 ,  金泰完 ,  金古恩 ,  金容国

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及用于抛光有机膜的用于有机膜的CMP浆料组合物以及使用其的有机膜抛光方法，所述CMP浆料组合物包含：极性溶剂和/或非极性溶剂；金属氧化物研磨剂；氧化剂；和杂环化合物，其中作为杂原子的杂环化合物包含氧(O)原子、硫(S)原子和氮(N)原子中的一种或两种并且具有50‑95原子％的碳含量。

公开(公告)号：CN108138029A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680056927.4

申请日：2016-09-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  都均奉 ,  姜东宪 ,  金东珍 ,  兪龙植 ,  郑荣哲 ,  赵炫洙

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。所述CMP浆料组成物包含氧化铈及硝酸铈，其中由方程式(1)所计算的选择性比为约100或大于100：[方程式(1)]选择性比＝α/β(其中α是对有机膜的研磨速率(埃/分钟)且β是对无机膜的研磨速率(埃/分钟))。

公开(公告)号：CN115895662A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211018998.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  崔正敏 ,  李圭原 ,  张俊英 ,  尹志贤 ,  李智惠 ,  李在珉 ,  赵娟振 ,  韩美莲 ,  金贤贞

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。

公开(公告)号：CN112166167B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201980034252.7

申请日：2019-04-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  高尙兰 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  张俊英 ,  尹龙云

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/306

Abstract: 揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。该蚀刻组成物执行蚀刻时，可提高相较于氧化硅层对氮化硅层的蚀刻选择率。

公开(公告)号：CN112680228B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202011107899.9

申请日：2020-10-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  张俊英 ,  金贤贞 ,  文炯朗 ,  李智惠 ,  韩权愚 ,  黄基煜

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本文公开一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；溶剂；选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者；及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本发明当在高温下用于蚀刻时可显著增加氮化硅层对氧化硅层的蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN111315836B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201880072308.3

申请日：2018-07-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  郑荣哲 ,  金廷熙 ,  姜东宪

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了包含二氧化铈、含铈的二氧化铈活化剂和无机膜表面保护剂的有机膜CMP浆料组合物，以及使用其的有机膜抛光方法。

公开(公告)号：CN109153907B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201680068602.8

申请日：2016-10-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜东宪 ,  金廷熙 ,  崔正敏 ,  兪龙植

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种CMP研浆组成物及使用其研磨有机膜的方法，所述CMP研浆组成物包含：含有含铁组分的氧化剂；具有一个羧基的有机酸；以及水。本发明的CMP研浆组成物不包含研磨颗粒，藉此有效地阻止研磨颗粒引起的过度研磨和/或在研磨有机膜时出现刮痕。

公开(公告)号：CN110437837A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910360034.4

申请日：2019-04-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔正敏 ,  赵娟振 ,  黄基煜 ,  高尚兰

IPC: C09K13/06

Abstract: 一种用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法。蚀刻组合物包括：磷酸化合物；取代或未取代的C7至C8环烃；和水。该蚀刻组合物对氮化硅层具有高选择性，并且可以抑制硅化合物的沉淀。

公开(公告)号：CN115895661A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210954854.8

申请日：2022-08-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李智惠 ,  尹志贤 ,  李圭原 ,  赵娟振 ,  文炯朗 ,  黄基煜 ,  崔正敏

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物以及使用该组合物蚀刻氮化硅层的方法。该组合物包含无机酸或其盐；以及双硅烷化合物与氨基硅烷化合物的聚合物、该聚合物的反应产物或它们的组合。

公开(公告)号：CN112384596B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201980046316.5

申请日：2019-06-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 黄基煜 ,  赵娟振 ,  崔正敏 ,  韩权愚 ,  高尙兰 ,  金高恩

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供了用于氮化硅膜的蚀刻组成物以及用于蚀刻半导体装置的方法。所述蚀刻组成物包含：无机酸或其盐；水；以及以下化合物中的至少一者：式1化合物、式2化合物、以及所述式1化合物的反应产物或所述式2化合物的反应产物。式1或式2的R1、R2、R3、R6、R9至R12的定义与在本说明书中所述的定义相同。所述用于氮化硅层的蚀刻组成物可显著改善氮化硅层相对于氧化硅层的蚀刻选择性以及可防止在蚀刻期间和/或蚀刻之后使氧化硅层的厚度增加或使硅烷化合物通过自发反应沉淀。