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公开(公告)号：CN114793099A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110801186.0
申请日：2021-07-15
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03H9/02
Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：第一电极，设置在基板的上侧上；压电层，设置在所述第一电极的上表面上；以及第二电极，设置在所述压电层的上表面上，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的上表面具有凹入区，其中，所述凹入区的深度为D，所述凹入区的宽度为W，并且谐振频率为F，并且ln为自然对数，并且其中，[{ln(D×W)}/(‑0.59×F)]大于等于[[ln{0.008(μm)2}]/{‑0.59×(3.5GHz)}]且小于等于[[ln{0.022(μm)2}]/{‑0.59×(3.5GHz)}]。
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公开(公告)号：CN112688659A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010776725.5
申请日：2020-08-05
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器可包括：基板；谐振器单元，包括设置在所述基板上的第一电极、设置在所述第一电极上的压电层以及设置在所述压电层上的第二电极；以及保护层，设置在所述谐振器单元的表面上。所述保护层利用金刚石膜形成，并且所述金刚石膜的晶粒尺寸为50nm或更大。
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公开(公告)号：CN110829998A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910548840.4
申请日：2019-06-24
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；膜层，与所述基板形成腔；下电极，设置在所述膜层上；插入层，设置为覆盖所述下电极的至少一部分；压电层，设置在所述下电极上以覆盖所述插入层；以及上电极，至少部分地设置在所述压电层上，其中，所述上电极包括设置在所述插入层上的反射凹槽。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115940971A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210411327.2
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种射频(RF)提取器及电子装置。所述射频提取器包括：第一带通滤波器，电连接在共享天线端口和第一射频端口之间，设置在第一芯片中，并且具有第一通带；第二带通滤波器，电连接在所述共享天线端口和第二射频端口之间，设置在第二芯片中，并且具有第二通带；第一陷波滤波器，电连接到所述共享天线端口，设置在所述第一芯片中，并且具有与所述第一通带部分重叠的第一阻带；以及第二陷波滤波器，电连接到所述共享天线端口，设置在所述第二芯片中，并且具有与所述第二通带部分重叠的第二阻带。
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公开(公告)号：CN115473507A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210021989.9
申请日：2022-01-10
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种声波谐振器封装件。所述声波谐振器封装件包括：声波谐振器，包括在基板的第一表面上的声波谐振器；盖，设置为面向所述基板的所述第一表面；结合构件，设置在所述基板与所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器的结合表面与所述盖彼此结合，其中，所述结合构件包括玻璃熔块，并且所述声波谐振器的结合到所述结合构件的所述结合表面可利用介电材料形成。
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公开(公告)号：CN112311351A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010748289.0
申请日：2020-07-30
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：基板；下电极，设置在所述基板上；压电层，至少部分地覆盖所述下电极；以及上电极，至少部分地覆盖所述压电层。在所述体声波谐振器的表面上，所述下电极、所述压电层和所述上电极全部彼此重叠的有效区域的质心与限定所述有效区域的高宽比的矩形的中心对准。所述有效区域具有相对于穿过限定所述高宽比的所述矩形的所述中心的至少一个轴对称的多边形的形状。所述高宽比大于等于2且小于等于10。
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