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公开(公告)号：CN1891732B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200510081923.5
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y10T428/31533
Abstract: 一种示例性的有机半导体共聚物，包括具有聚噻吩结构和受电子单元的聚合重复结构。该受电子单元具有至少一个受电子杂芳族结构，在杂芳族结构中带有至少一个吸电子的亚胺氮，或者包含C2-30杂芳族结构的噻吩-亚芳基。本发明还披露了合成方法和结合有所披露的有机半导体作为如沟道层的电子器件。
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公开(公告)号：CN101123265A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140400.2
申请日：2007-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，该阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并且包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，面对源电极。有机半导体通过具有开口的绝缘层接触源电极和漏电极，所述开口限定有机半导体的位置。绝缘层包含具有含氟化合物的丙烯酸感光树脂。本发明公开了制造上述薄膜晶体管阵列面板的方法。
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公开(公告)号：CN1916004A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200510091778.9
申请日：2005-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G77/58 , C08L83/14 , H01L51/052 , H01L51/0525 , C08L2666/02
Abstract: 本发明公开了有机－无机金属杂化材料，和用于生产有机绝缘体的含有该杂化材料的组合物。该杂化材料显示在有机溶剂和单体中的高溶解性，和对基底的优良粘附力。此外，该杂化材料具有高的介电常数和高度的交联性。基于这些优点，该杂化材料或组合物可用于通过湿法制备各种电子器件。
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公开(公告)号：CN1734350A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510098086.7
申请日：2005-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/052 , C08L63/00 , G03F7/027 , G03F7/038 , H01L51/0052 , C08L2666/02
Abstract: 在此公开了一种用于形成有机绝缘膜的光构图组合物，其中包含：(i)一种含有功能基的单体；(ii)一种在光照下产生酸或自由基的引发剂和(iii)一种有机或无机聚合物。更进一步公开了使用该组合物形成有机绝缘膜图案的方法。根据本发明，由于有机绝缘膜无需任何光致抗蚀剂处理就能简单地构图，故简化了整体的工序，最终能够通过全湿工艺制得具有高电荷迁移率的有机薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102313203A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110160279.6
申请日：2011-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F21S8/00 , F21V8/00 , F21V19/00 , G02F1/13357
CPC classification number: G02B6/0076 , G02B6/0016 , G02B6/0036 , G02B6/0061 , G02B6/0068
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器(LCD)的背光单元。所述背光单元包括：多个导光板(LGP)，布置在M层中并且彼此分隔开预定的间隙，其中，M是等于或大于2的自然数；光源单元，设置在每个LGP的至少一个侧表面上并包括N个光源块，光源块的亮度独立地控制，其中，N是等于或大于2的自然数。背光单元还包括多个光输出区域，通过将每个LGP根据离光源单元的距离划分为多个区域并且在所述多个区域中的一些区域中形成多个光输出图案来限定所述多个光输出区域，其中，光输出区域在LGP的堆叠方向上彼此不重叠并被布置为对应于LGP的整个表面。
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公开(公告)号：CN100339766C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410028338.4
申请日：2004-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/17 , C08K3/041 , C08K9/04 , C09D7/70 , C09D109/06 , C09D129/04 , G03F7/0382 , Y10S977/746 , Y10S977/753 , Y10S977/842 , Y10T428/24893 , Y10T428/24994
Abstract: 本发明公开了一种通过用可聚合的官能团，如环氧乙烷和酸酐基团对碳纳米管的表面进行改性，然后将表面改性的碳纳米管或者进行光蚀刻或者进行热固化处理来制备碳纳米管负片图案或具有互穿聚合物网络(IPN)的聚合碳纳米管复合材料的方法。通过本发明，可以很容易地在各种基材表面制备所需的碳纳米管图案，并且可以在没有其它聚合物的情况下制备硬化性能得到提高的聚合碳纳米管复合材料。
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公开(公告)号：CN1322030C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200310124730.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01B1/127 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本文公开一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该聚合物的主链中含有一种表示n-型半导体性能的单元与一种表示p-型半导体性能的单元相结合，和使用该聚合物的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1979913A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510129418.3
申请日：2005-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0078 , H01L51/052 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了一种制备有机薄膜晶体管的方法，该有机薄膜晶体管包括按此顺序形成于衬底上的栅极、栅绝缘膜、源极/漏极和有机半导体层，其中其上面形成有源极/漏极的栅绝缘膜的表面用无机或有机酸浸渍，随后进行退火。根据该方法，被光刻法损坏的栅绝缘膜表面能够有效地恢复。另外，能够制得具有高载流子迁移率和高开/关电流比的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1891732A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510081923.5
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y10T428/31533
Abstract: 一种示例性的有机半导体共聚物，包括具有聚噻吩结构和受电子单元的聚合重复结构。该受电子单元具有至少一个受电子杂芳族结构，在杂芳族结构中带有至少一个吸电子的亚胺氮，或者包含C2－30杂芳族结构的噻吩－亚芳基。本发明还披露了合成方法和结合有所披露的有机半导体作为如沟道层的电子器件。
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