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公开(公告)号：CN102760661B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210132762.8
申请日：2012-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
Abstract: 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101800220A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010002113.7
申请日：2010-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/02244 , H01L21/02247 , H01L21/31683 , H01L21/318 , H01L27/1085 , H01L28/40 , H01L28/75
Abstract: 一种具有改进电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法，该半导体器件包括：下金属层、电介质层和上金属层，依次设置在半导体基板上；以及插入层，设置在电介质层与下金属层和上金属层中至少之一之间，其中电介质层包括金属氧化物膜，插入层包括金属材料膜。
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公开(公告)号：CN120066995A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411483310.3
申请日：2024-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/123
Abstract: 提供存储控制器、存储装置和存储系统。所述存储控制器包括：处理器，被配置为处理来自外部的针对数据的命令；数据存储器，被配置为将所述数据存储为高速缓存数据；标签存储器，被配置为存储关于高速缓存数据的替换的优先级；以及高速缓存控制器，被配置为基于针对存储为高速缓存数据的所述数据的所述命令的类型和类型的序列来确定优先级。
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公开(公告)号：CN119883102A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411387663.3
申请日：2024-10-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了一种存储设备。存储设备包括：存储器设备；缓冲存储器，其被配置为存储所述存储器设备中所存储的数据当中的部分数据；以及存储器控制器，其被配置为确定预期在从主机接收到顺序逻辑地址之后顺序接收的预取逻辑地址，从所述存储器设备读取与所述预取逻辑地址相对应的预取数据，以将所述预取数据按照预取组存储在所述缓冲存储器中，并且响应于从所述主机接收到与逻辑地址不连续的逻辑地址，从所述缓冲存储器释放所述预取组。
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公开(公告)号：CN112086456B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202010141333.1
申请日：2020-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置可以包括电容器，电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。介电层可以包括氧化锆铝层，氧化锆铝层包括：第一锆区域，与第一电极相邻；第一铝区域；第二铝区域，与第二电极相邻；以及第二锆区域，位于第一铝区域与第二铝区域之间。第一锆区域和第二锆区域可以包括锆和氧，并且可以不包含铝。第一铝区域和第二铝区域可以包括铝和氧，并且可以不包含锆。第一铝区域和第一锆区域可以分隔开第一距离，第一铝区域和第二锆区域可以分隔开比第一距离短的第二距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931468B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910822831.X
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。
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公开(公告)号：CN114203904A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110490254.6
申请日：2021-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 提供一种电子器件，其包括：下电极；上电极，与下电极隔开而不与下电极直接接触；以及在下电极和上电极之间的电介质层，该电介质层包括第一金属氧化物区域、第二金属氧化物区域以及第三金属氧化物区域。第三金属氧化物区域在第一金属氧化物区域和第二金属氧化物区域之间，并包括硼和从铝(Al)、镁(Mg)、硅(Si)或铍(Be)选择的一种或更多种金属元素。在第三金属氧化物区域中，硼(B)的含量小于或等于Al、Mg、Si和/或Be的金属元素的含量。
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公开(公告)号：CN102760661A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210132762.8
申请日：2012-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
Abstract: 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN118434272A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410492389.X
申请日：2020-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电容器、包括其的半导体器件和电子设备、以及制造电容器的方法。所述电容器包括：底部电极；在所述底部电极上方的顶部电极；在所述底部电极和所述顶部电极之间的介电膜；以及在所述顶部电极和所述介电膜之间的掺杂Al2O3膜，其中所述掺杂Al2O3膜包括第一掺杂剂，并且包括与所述第一掺杂剂相同的元素的氧化物具有比Al2O3的介电常数高的介电常数。
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公开(公告)号：CN114256262A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111105617.6
申请日：2021-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：多个半导体图案，在第一方向上间隔开；多个模制绝缘层，在所述多个半导体图案之间；多个硅化物图案，接触所述多个半导体图案；以及多个第一金属导电膜，在所述多个模制绝缘层之间并连接到相应的硅化物图案，其中每个硅化物图案包括面对半导体图案的第一侧壁和面对第一金属导电膜的第二侧壁，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁在第一方向上延伸，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁是弯曲表面。
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