公开(公告)号：CN109119408B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201810935119.6

申请日：2016-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： H·柳 ,  金容一 ,  车南煹 ,  林完泰 ,  黄京旭 ,  沈成铉 ,  卢慧锡

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层，并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光，并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光，并且透射从光学波长转换层发射的第二光。

公开(公告)号：CN115036339A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210197693.2

申请日：2022-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪硕佑 ,  黄京旭 ,  金铉埈 ,  黄俊式

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54

Abstract: 提供一种显示装置，该显示装置包括驱动基板、设置在驱动基板的上表面上并包括多个凹陷的阻隔层、设置在所述多个凹陷中的每个中的微型半导体发光器件、以及设置在阻隔层中并邻近所述多个凹陷中的每个的侧壁提供的侧反射结构。

公开(公告)号：CN114864776A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210066267.5

申请日：2022-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪硕佑 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/42 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种发光器件和包括其的显示装置，该发光器件包括：主体，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，提供在主体的第一表面上，第一电极和第二电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触；以及第三电极和第四电极，提供在主体的第二表面上，第三电极和第四电极分别与第一半导体层和第二半导体层接触。

公开(公告)号：CN114639668A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111477272.7

申请日：2021-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  黄俊式 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50

Abstract: 提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括转移基板和在转移基板上以子像素为单位彼此间隔开的微显示元件，其中每个微显示元件包括微发光单元和驱动单元，其中驱动单元包括驱动电极并驱动微发光单元。

公开(公告)号：CN112864288A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202010434777.4

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 黄京旭 ,  姜承镇 ,  尹义埈 ,  黄俊式 ,  金钟明 ,  吴制鸿 ,  刘晶日 ,  李承盿

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/26 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54

Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层，第二电极被提供为接触第二半导体层。

公开(公告)号：CN111223885A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911075218.2

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  姜承镇 ,  孔基毫 ,  朴正勋 ,  朴珍珠 ,  韩周宪 ,  黄京旭

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/48

Abstract: 提供了显示装置和制造其的方法。该显示装置包括：支撑基板；驱动层，提供在支撑基板上并且包括配置为对像素电极施加电力的驱动元件；以及提供在驱动层上的发光层。

公开(公告)号：CN109768149B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN201811336654.6

申请日：2018-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  崔濬熙 ,  朴正勋 ,  韩周宪

IPC: H10H20/851 ,  H10H20/814 ,  H10H20/816 ,  H10H20/821 ,  H10H29/30

Abstract: 提供了一种显示设备。该显示设备包括：衬底；被配置为发射光的发光层，所述发光层包括设置在衬底上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的有源层以及设置在有源层上的第二半导体层；以及多个颜色转换层，设置在发光层上并且被配置为根据从发光层发射的光发射特定颜色的光。

公开(公告)号：CN117096249A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310568691.4

申请日：2023-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  金东湖 ,  黄俊式 ,  宋相勋

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/58 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

Abstract: 公开了一种颜色转换结构、显示装置和用于制造该颜色转换结构的方法。该颜色转换结构包括基底、提供在基底上的光子晶体结构和包括在光子晶体结构中的量子点。该颜色转换结构具有可转移的结构。

公开(公告)号：CN116344429A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211522373.6

申请日：2022-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东均 ,  刘珉哲 ,  黄京旭 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  H01L33/48

Abstract: 一种微型半导体芯片转移装置，包括：湿芯片供应模块，被配置为将多个微型半导体芯片和液体供应到转移基板上；芯片对准模块，包括吸收器，该吸收器被配置为在吸收液体的同时沿着转移基板的表面移动；以及芯片提取模块，被配置为从吸收器提取保留在吸收器中的微型半导体芯片。

公开(公告)号：CN116207124A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211531848.8

申请日：2022-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东湖 ,  黄京旭 ,  朴俊勇 ,  黄俊式

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/54 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了一种微型发光半导体器件，包括：第一半导体层、提供在第一半导体层上的发光层、提供在发光层上的第二半导体层、以及提供在第二半导体层上的颜色转换层，颜色转换层包括多孔层，该多孔层包括量子点，其中第二半导体层的掺杂类型与颜色转换层的掺杂类型不同。