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公开(公告)号：CN102637794A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210032437.4
申请日：2012-02-14
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02398 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02513 , H01L21/02628 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维(3D)表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。
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公开(公告)号：CN112864288B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202010434777.4
申请日：2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H10H20/81 , H10H20/82 , H10H20/822 , H10H20/84 , H10H20/853
Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层，第二电极被提供为接触第二半导体层。
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公开(公告)号：CN112864288A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010434777.4
申请日：2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层，第二电极被提供为接触第二半导体层。
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公开(公告)号：CN102637794B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210032437.4
申请日：2012-02-14
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02398 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02513 , H01L21/02628 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维(3D)表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。
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公开(公告)号：CN102422444A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200980158967.X
申请日：2009-04-29
Applicant: 财团法人首尔大学校产学协力团
Abstract: 一种形成有图案之基板的制造方法。此方法包括：准备散布有多个氧化物珠粒的溶液；在基板上形成图案；设置临时结构在基板的上部分，以在基板上形成微通道；将散布有氧化物珠粒的溶液注入至微通道，并且将氧化物珠粒固定在基板上；以及热处理基板。据此，能够使得多个低价氧化物珠粒在基板上被图案化而形成想要的形状，可避免在干式刻蚀时在基板上所造成的损害。再者，不进行刻蚀工艺，使装置的产量不会减少进而增加装置的量产。另外，不需要高价装置来进行干式刻蚀，使得基板的制造方法更经济，并且能够达到在短时间内制造大量基板的高生产力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102422444B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN200980158967.X
申请日：2009-04-29
Applicant: 财团法人首尔大学校产学协力团
Abstract: 一种形成有图案之基板的制造方法。此方法包括：准备散布有多个氧化物珠粒的溶液；在基板上形成图案；设置临时结构在基板的上部分，以在基板上形成微通道；将散布有氧化物珠粒的溶液注入至微通道，并且将氧化物珠粒固定在基板上；以及热处理基板。据此，能够使得多个低价氧化物珠粒在基板上被图案化而形成想要的形状，可避免在干式刻蚀时在基板上所造成的损害。再者，不进行刻蚀工艺，使装置的产量不会减少进而增加装置的量产。另外，不需要高价装置来进行干式刻蚀，使得基板的制造方法更经济，并且能够达到在短时间内制造大量基板的高生产力。
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公开(公告)号：CN106688113A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580048456.8
申请日：2015-07-13
Applicant: 首尔大学校产学协力团 , 海瑟解决方案股份有限公司
IPC: H01L33/22
Abstract: 根据本发明的半导体层叠结构包括：与氮化物半导体的相异的单晶衬底；在所述衬底上形成的无机薄膜，以在所述无机薄膜和所述衬底之间限定空腔，其中，至少一部分所述无机薄膜结晶为与所述衬底相同的晶体结构；以及从所述空腔上的结晶化无机薄膜生长的氮化物半导体层。根据本发明的用于分离氮化物半导体层的方法和装置在所述衬底和所述氮化物半导体层之间进行机械地分离。能够通过对衬底和氮化物半导体层沿垂直方向施加力的分离方法、通过沿水平方向施加力的分离方法、通过以相对圆周运动施加力的分离方法及其组合方法进行机械分离。
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公开(公告)号：CN102150286A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135167.6
申请日：2009-09-07
Applicant: 财团法人首尔大学校产学协力团
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物薄膜结构及其形成方法。如果是在并非氮化物的衬底上形成氮化物薄膜，那么会因衬底与氮化物薄膜之间的晶格常数差异而产生许多缺陷。而且，存在因衬底与氮化物薄膜之间的热膨胀系数差异引起衬底翘曲的问题。为了解决这些问题，本发明提出一种薄膜结构，其中在衬底上涂覆中空微粒(即，中空结构)之后，在所述衬底上生长氮化物薄膜，本发明还提出所述薄膜结构的形成方法。根据本发明，由于可通过中空结构获得外延横向过生长(ELO)效应，因此可形成高质量氮化物薄膜。由于调整薄膜结构中的折射率，因此在将薄膜结构制造为例如发光二极管(LED)等发光装置时有提高光提取效率的效应。而且，当衬底的热膨胀系数大于氮化物薄膜的热膨胀系数时，因为氮化物薄膜中的中空结构压缩，氮化物薄膜的总应力减小，因而还有防止衬底翘曲的效应。
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公开(公告)号：CN103608897A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280024298.9
申请日：2012-05-15
Applicant: 财团法人首尔大学校产学协力团
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L29/0657 , H01L33/0079
Abstract: 揭露一种形成半导体薄膜结构的方法以及使用所述方法所形成的半导体薄膜结构。为了避免基底与半导体氮化物之间晶格常数以及热膨胀系数不同造成的应力，以及所造成的基底的翘曲，所述方法包括在基底上方形成牺牲层，接着经由各种方法使其图案化。在牺牲层上方形成无机薄膜，接着选择性移除牺牲层，以形成由基底与基底上的无机薄膜所定义的空腔。
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公开(公告)号：CN102405537B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200980158608.4
申请日：2009-04-24
Applicant: 财团法人首尔大学校产学协力团
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079
Abstract: 一种形成有图案的基板的制造方法，此方法包括：在基板上要形成氧化物珠图案的位置中形成具有选择性内聚力的第一粘合剂图案；将与第一粘合剂的内聚力大于与基板的内聚力的第二粘合剂涂布在多个氧化物珠上；将涂布第二粘合剂的氧化物珠铺到基板且在第一粘合剂图案上形成涂布第二粘合剂的氧化物珠；以及热处理基板。可在基板上图案化多个低价的氧化物珠来获得想要的形状，以便在干式蚀刻期间能够避免损害发生于基板，并且不进行蚀刻工艺以便不降低装置的良率又增进装置的大量生产。
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