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公开(公告)号:CN112864288A
公开(公告)日:2021-05-28
申请号:CN202010434777.4
申请日:2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层,第二电极被提供为接触第二半导体层。
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公开(公告)号:CN112864288B
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202010434777.4
申请日:2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H10H20/81 , H10H20/82 , H10H20/822 , H10H20/84 , H10H20/853
Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层,第二电极被提供为接触第二半导体层。
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公开(公告)号:CN111192895B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN201911111004.6
申请日:2019-11-14
Applicant: 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L27/15
Abstract: 本公开涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种包括位于基体层上的多个像素以及设置在像素中的第一像素上的第一发光元件和第二发光元件的显示装置。这里,第一发光元件和第二发光元件中的每个包括第一表面和与第一表面背对的第二表面,第一发光元件的第一表面面对基体层,第二发光元件的第二表面面对基体层。
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公开(公告)号:CN110783362B
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN201910688027.7
申请日:2019-07-29
Applicant: 首尔大学校产学协力团
Abstract: 公开了一种显示装置,所述显示装置包括多个像素电路以及位于所述多个像素电路中的每个上的发光器件。发光器件包括顺序堆叠在发光器件的底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层。发光器件的侧壁包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面。第一角度形成在底表面和第一小平面之间。第二角度形成在底表面和第二小平面之间。第一小平面和第二小平面彼此相交以限定边缘。边缘从发光器件的底表面朝向顶表面延伸。
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公开(公告)号:CN111192895A
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:CN201911111004.6
申请日:2019-11-14
Applicant: 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L27/15
Abstract: 本公开涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种包括位于基体层上的多个像素以及设置在像素中的第一像素上的第一发光元件和第二发光元件的显示装置。这里,第一发光元件和第二发光元件中的每个包括第一表面和与第一表面背对的第二表面,第一发光元件的第一表面面对基体层,第二发光元件的第二表面面对基体层。
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公开(公告)号:CN110783362A
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:CN201910688027.7
申请日:2019-07-29
Applicant: 首尔大学校产学协力团
Abstract: 公开了一种显示装置,所述显示装置包括多个像素电路以及位于所述多个像素电路中的每个上的发光器件。发光器件包括顺序堆叠在发光器件的底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层。发光器件的侧壁包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面。第一角度形成在底表面和第一小平面之间。第二角度形成在底表面和第二小平面之间。第一小平面和第二小平面彼此相交以限定边缘。边缘从发光器件的底表面朝向顶表面延伸。
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公开(公告)号:CN1118175C
公开(公告)日:2003-08-13
申请号:CN99106797.5
申请日:1999-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M1/02
CPC classification number: H04M1/0214 , H04M1/0245 , H04M1/03 , H04M1/605
Abstract: 上翻盖型移动电话终端使用户即使不打开翻盖也能应答输入呼叫。扬声器单元包括分别安装在翻盖的前与后侧上的面向相反方向的第一与第二扬声器,此扬声器单元还包括插在第一与第二扬声器之间以阻止其间干扰的隔板。翻盖打开检测器检测翻盖的打开状态。控制器通过翻盖打开检测器检测翻盖的打开状态,并在翻盖闭合时将话音输出路径转换到第一扬声器和在翻盖打开时将话音输出路径转换到第二扬声器。话筒装置安装在主体底部中。
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公开(公告)号:CN1243377A
公开(公告)日:2000-02-02
申请号:CN99105037.1
申请日:1999-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04M3/44
Abstract: 当接收到输入呼叫时确定便携式电话机是否设置了呼叫回答等待方式。如果设置了呼叫回答等待方式,则便携电话机停止输出呼叫接收告警并且发送一种请求主叫用户等待片刻的语音消息的第一输出消息。过一会儿,如果用户在预定的时间内回答输入呼叫,则电话机执行呼叫方式。但是,如果用户在预定的时间内没有回答输入呼叫,则电话机发送通知主叫用户:“用户不能回答输入呼叫”的语音消息的第二输出消息。最好周期地重复第一输出消息,直至用户回答输入呼叫。
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公开(公告)号:CN116868310A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202180094352.6
申请日:2021-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种显示装置及其制造方法。更具体地,显示装置包括:多个像素;提供在所述多个像素的每个中的发光元件,发光元件具有彼此相反的第一表面和第二表面;电连接到发光元件的第一表面的第一电极;电连接到发光元件的第二表面的第二电极;以及插置在发光元件的第二表面和第二电极之间的金属氧化物图案。金属氧化物图案覆盖第二表面的一部分并暴露剩余部分,第二电极电连接到第二表面的暴露部分,并且金属氧化物图案包括单晶或多晶氧化铝。
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公开(公告)号:CN115223949A
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202210364300.2
申请日:2022-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L25/18 , H01L27/108 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种用于制造半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括:提供包括缓冲层和基体基板的第一基板;在所述缓冲层上形成包括多个单元层叠件的堆叠模制结构,每个所述单元层叠件包括在垂直方向上顺序地堆叠的第一牺牲层、第一硅层、第二牺牲层和第二硅层;以及通过替换工艺将所述堆叠模制结构替换为堆叠存储结构,其中,所述堆叠存储结构包括替换了所述第一牺牲层和所述第二牺牲层的金属图案以及替换了所述第二硅层的绝缘图案,所述缓冲层包括硅锗,并且所述缓冲层的锗浓度根据所述第一牺牲层的锗浓度和所述第二牺牲层的锗浓度而改变。
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