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公开(公告)号：CN112864288A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010434777.4
申请日：2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层，第二电极被提供为接触第二半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111192895B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201911111004.6
申请日：2019-11-14
Applicant: 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L27/15
Abstract: 本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括位于基体层上的多个像素以及设置在像素中的第一像素上的第一发光元件和第二发光元件的显示装置。这里，第一发光元件和第二发光元件中的每个包括第一表面和与第一表面背对的第二表面，第一发光元件的第一表面面对基体层，第二发光元件的第二表面面对基体层。
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公开(公告)号：CN110783362B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201910688027.7
申请日：2019-07-29
Applicant: 首尔大学校产学协力团
Abstract: 公开了一种显示装置，所述显示装置包括多个像素电路以及位于所述多个像素电路中的每个上的发光器件。发光器件包括顺序堆叠在发光器件的底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层。发光器件的侧壁包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面。第一角度形成在底表面和第一小平面之间。第二角度形成在底表面和第二小平面之间。第一小平面和第二小平面彼此相交以限定边缘。边缘从发光器件的底表面朝向顶表面延伸。
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公开(公告)号：CN112864288B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202010434777.4
申请日：2020-05-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H10H20/81 , H10H20/82 , H10H20/822 , H10H20/84 , H10H20/853
Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层，第二电极被提供为接触第二半导体层。
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公开(公告)号：CN111192895A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911111004.6
申请日：2019-11-14
Applicant: 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L27/15
Abstract: 本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括位于基体层上的多个像素以及设置在像素中的第一像素上的第一发光元件和第二发光元件的显示装置。这里，第一发光元件和第二发光元件中的每个包括第一表面和与第一表面背对的第二表面，第一发光元件的第一表面面对基体层，第二发光元件的第二表面面对基体层。
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公开(公告)号：CN110783362A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910688027.7
申请日：2019-07-29
Applicant: 首尔大学校产学协力团
Abstract: 公开了一种显示装置，所述显示装置包括多个像素电路以及位于所述多个像素电路中的每个上的发光器件。发光器件包括顺序堆叠在发光器件的底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层。发光器件的侧壁包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面。第一角度形成在底表面和第一小平面之间。第二角度形成在底表面和第二小平面之间。第一小平面和第二小平面彼此相交以限定边缘。边缘从发光器件的底表面朝向顶表面延伸。
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