公开(公告)号：CN102637794A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210032437.4

申请日：2012-02-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 李商文 ,  尹义埈 ,  朴珍燮 ,  朴成铉

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维(3D)表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。

公开(公告)号：CN112864288B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202010434777.4

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 黄京旭 ,  姜承镇 ,  尹义埈 ,  黄俊式 ,  金钟明 ,  吴制鸿 ,  刘晶日 ,  李承盿

IPC: H10H20/81 ,  H10H20/82 ,  H10H20/822 ,  H10H20/84 ,  H10H20/853

Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层，第二电极被提供为接触第二半导体层。

公开(公告)号：CN116868310A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202180094352.6

申请日：2021-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹义埈 ,  吴制鸿 ,  刘晶日 ,  李承旼 ,  金钟明

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种显示装置及其制造方法。更具体地，显示装置包括：多个像素；提供在所述多个像素的每个中的发光元件，发光元件具有彼此相反的第一表面和第二表面；电连接到发光元件的第一表面的第一电极；电连接到发光元件的第二表面的第二电极；以及插置在发光元件的第二表面和第二电极之间的金属氧化物图案。金属氧化物图案覆盖第二表面的一部分并暴露剩余部分，第二电极电连接到第二表面的暴露部分，并且金属氧化物图案包括单晶或多晶氧化铝。

公开(公告)号：CN112864288A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202010434777.4

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 黄京旭 ,  姜承镇 ,  尹义埈 ,  黄俊式 ,  金钟明 ,  吴制鸿 ,  刘晶日 ,  李承盿

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/26 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54

Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层，第二电极被提供为接触第二半导体层。

公开(公告)号：CN102637794B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210032437.4

申请日：2012-02-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 李商文 ,  尹义埈 ,  朴珍燮 ,  朴成铉

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02398 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维(3D)表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。

公开(公告)号：CN116762174A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202180092303.9

申请日：2021-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹义埈 ,  金钟明 ,  吴制鸿 ,  李承旼 ,  刘晶日

IPC: H01L27/15

Abstract: 公开了一种具有提高的发光效率的显示装置。显示装置包括：多个像素；发光器件，被设置在每个像素中，发光器件具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一电极和第二电极，被分别电连接至发光器件的第一表面和第二表面；以及金属氧化物图案，介于发光器件的第二表面与第二电极之间。金属氧化物图案包括第一区域和第二区域。第一区域包围第二区域，并且第二区域具有暴露第二表面的至少一部分的接触孔。第二电极通过接触孔耦接至第二表面，并且第一区域和第二区域具有彼此不同的晶相。

公开(公告)号：CN106688113B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201580048456.8

申请日：2015-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹义埈 ,  文大荣 ,  张正焕 ,  朴容助 ,  裵德圭

IPC: H01L33/22

Abstract: 根据本发明的半导体层叠结构包括：与氮化物半导体的相异的单晶衬底；在所述衬底上形成的无机薄膜，以在所述无机薄膜和所述衬底之间限定空腔，其中，至少一部分所述无机薄膜结晶为与所述衬底相同的晶体结构；以及从所述空腔上的结晶化无机薄膜生长的氮化物半导体层。根据本发明的用于分离氮化物半导体层的方法和装置在所述衬底和所述氮化物半导体层之间进行机械地分离。能够通过对衬底和氮化物半导体层沿垂直方向施加力的分离方法、通过沿水平方向施加力的分离方法、通过以相对圆周运动施加力的分离方法及其组合方法进行机械分离。