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公开(公告)号：CN100492694C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200410035227.6
申请日：2004-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C16/3431 , G11C2013/0042 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 一种相变存储器件，包括：相变存储单元，具有在非晶态和晶态之间可编程的材料体。写电流源选择性地施加第一写电流脉冲以将相变存储单元编程为非晶态和施加第二写电流脉冲以将相变存储单元编程为晶态。相变存储器件还包括恢复电路，选择性地将第一写电流脉冲施加到相变存储单元，以至少恢复相变存储单元的非晶态。
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公开(公告)号：CN111199278B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201911086263.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/067
Abstract: 提供了包括算术电路的存储器器件和包括该器件的神经网络系统。所述存储器器件包括：存储体，包括被排列在存储器器件的多个字线和多个位线彼此交叉的区域中的多个存储单元；读出放大器，被配置为放大通过多个位线当中的所选位线而发送的信号；以及算术电路，被配置为从读出放大器接收第一操作数，从存储器器件外部接收第二操作数，并且基于在存储器器件中生成的内部算术控制信号，通过使用第一操作数和第二操作数来执行算术运算。
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公开(公告)号：CN115705489A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210850041.4
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄荣南
Abstract: 提供了一种神经形态计算设备及其控制方法。该神经形态计算设备包括：第一存储单元阵列，包括与字线、位线和源极线连接的电阻存储单元，并且被配置为存储数据并基于输入信号和数据产生读取电流；第二存储单元阵列，包括与参考字线、参考位线和参考源极线连接的参考电阻存储单元，并且被配置为产生参考电流；以及模数转换电路，被配置为基于参考电流将读取电流转换为数字信号，其中，电压被施加到参考字线，参考电阻存储单元布置成列以形成参考列，并且参考列被配置为产生列电流，以及参考电流之一是通过对列电流中的至少两个进行平均而产生的。
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公开(公告)号：CN114296684A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111134669.6
申请日：2021-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了基于压缩截断奇异值分解(C‑TSVD)的交叉开关阵列装置和使用该装置的模拟乘积累加(MAC)操作方法。基于C‑TSVD的交叉开关阵列装置可以包括：在m×n矩阵中的原始交叉开关阵列，具有行输入线和列输出线并且包括电阻存储器设备的单元；或者通过基于C‑TSVD分解原始交叉开关阵列获得的两个部分交叉开关阵列；模数转换器(ADC)，其转换经过阵列划分获得的子阵列的列输出线的输出值；加法器，其将ADC的结果求和以对应于列输出线；以及控制器，其控制原始交叉开关阵列或两个部分交叉开关阵列的应用。输入值被输入到行输入线，权重被乘以输入值，并且累加的结果作为列输出线的输出值被输出。
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公开(公告)号：CN113554160A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110435973.8
申请日：2021-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄荣南
Abstract: 一种神经形态计算设备，包括：第一存储单元阵列，包含多个电阻存储单元并且被配置为通过多条位线或源极线输出多个读取电流；第二存储单元阵列，包含多个参考电阻存储单元并且被配置为通过至少一条参考位线或至少一条参考源极线输出至少一个参考电流；电流电压转换电路，被配置为输出分别对应于所述多个读取电流的多个信号电压并且输出对应于所述至少一个参考电流的至少一个参考电压；以及模数转换电路，被配置为使用所述至少一个参考电压将所述多个信号电压转换为多个数字信号并且输出所述多个数字信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112152619A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010500443.2
申请日：2020-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄荣南
Abstract: 提供了一种模数转换器和包括该模数转换器的神经形态计算设备。所述模数转换器连接到包括多个电阻存储单元的交叉开关阵列。所述多个电阻存储单元均包括电阻元件。所述模数转换器包括电压发生器和处理电路。所述电压发生器包括与所述交叉开关阵列中包括的所述电阻元件的电阻材料相同的至少一个电阻存储元件，所述电压发生器被构造为基于参考电压和所述至少一个电阻存储元件产生第一电压，并且对所述第一电压进行分压以产生至少一个分压电压。所述处理电路被构造为：将从所述交叉开关阵列产生的信号电压与所述至少一个分压电压进行比较，以产生至少一个比较信号；并基于所述至少一个比较信号产生与所述信号电压相对应的至少一个数字信号。
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公开(公告)号：CN102956645B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201210292295.5
申请日：2012-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/22
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/101 , H01L27/228 , H01L27/2436
Abstract: 本发明公开一种数据存储装置及其制造方法，该数据存储装置可包括：衬底；晶体管，位于衬底上，晶体管包括栅线结构；以及导电隔离图案，限定晶体管的有源区。每个导电隔离图案包括埋入衬底中的至少一部分，并且导电隔离图案彼此电性连接。
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公开(公告)号：CN100479219C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN1702883A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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