公开(公告)号：CN107104081B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201710097125.4

申请日：2017-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄智焕 ,  朴商植 ,  闵台洪 ,  南杰

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56

Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括封装基底、堆叠在封装基底上的多个半导体器件、设置在所述多个半导体器件之间以及封装基底与所述多个半导体器件之间的多个底部填充填角以及至少部分地围绕所述多个半导体器件和所述多个底部填充填角的模制树脂。所述多个底部填充填角包括从所述多个半导体器件中的每个之间或者封装基底和所述多个半导体器件中的每个之间的空间突出的多个突起。所述多个突起中的至少两个相邻的底部填充填角突起形成一个连续结构，在其间没有界面。

公开(公告)号：CN110676239A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201911135879.X

申请日：2015-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永焕 ,  黄泰周 ,  闵台洪 ,  池永根 ,  韩相旭

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。

公开(公告)号：CN105390464B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201510524877.5

申请日：2015-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永焕 ,  黄泰周 ,  闵台洪 ,  池永根 ,  韩相旭

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少第一半导体芯片和第二半导体芯片，沿第一方向彼此堆叠；至少一个硅通孔(TSV)，至少穿过第一半导体芯片和第二半导体芯片中的第一半导体芯片；接触焊盘，位于第一半导体芯片的所述至少一个TSV上，接触焊盘将第一半导体芯片的TSV电连接到第二半导体芯片；多个虚设焊盘，位于第一半导体芯片上，所述多个虚设焊盘沿第二方向彼此分隔开并且沿第二方向与接触焊盘分隔开，虚设焊盘与接触焊盘在各自的顶表面与底表面之间沿第一方向测量的高度相同。

公开(公告)号：CN107104081A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710097125.4

申请日：2017-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄智焕 ,  朴商植 ,  闵台洪 ,  南杰

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L23/24 ,  H01L21/54 ,  H01L21/56 ,  H01L25/18

Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括封装基底、堆叠在封装基底上的多个半导体器件、设置在所述多个半导体器件之间以及封装基底与所述多个半导体器件之间的多个底部填充填角以及至少部分地围绕所述多个半导体器件和所述多个底部填充填角的模制树脂。所述多个底部填充填角包括从所述多个半导体器件中的每个之间或者封装基底和所述多个半导体器件中的每个之间的空间突出的多个突起。所述多个突起中的至少两个相邻的底部填充填角突起形成一个连续结构，在其间没有界面。

公开(公告)号：CN106847795A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611040818.1

申请日：2016-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭柄铢 ,  闵台洪 ,  李仁荣 ,  赵泰济

IPC: H01L25/07

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1403 ,  H01L25/07

Abstract: 提供了一种半导体装置，通过对黏合材料的飘移控制以固定半导体芯片来提高所述半导体装置的工艺能力和可靠性。半导体装置包括：第一半导体芯片，包括彼此相对的第一表面和第二表面；飘移控制结构，形成在第一半导体芯片的第一表面处；以及第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的第一表面上。第二半导体芯片与飘移控制结构的至少一部分叠置。

公开(公告)号：CN102569208A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110459218.X

申请日：2011-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔银景 ,  郑世泳 ,  崔光喆 ,  闵台洪 ,  李忠善 ,  金晶焕

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体封装及其制造方法。在一个实施方式中，为了制造半导体封装，提供其中制造有半导体芯片的晶片。散热层形成在整个晶片上方。散热层接触半导体芯片的顶表面。之后，从晶片分割多个半导体芯片。