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公开(公告)号：CN118678667A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410246255.X
申请日：2024-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区域，在基底中由器件隔离膜限定；字线，在基底中沿第一水平方向延伸；位线，在基底上沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸；附加垫，设置在有源区域上；以及掩埋接触件，在附加垫上，其中，掩埋接触件通过附加垫电连接到有源区域，其中，附加垫包括在竖直方向上与字线叠置的第一表面和在竖直方向上与字线不叠置的第二表面，并且其中，第一表面在尖端处与第二表面相交。
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公开(公告)号：CN118450699A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410095371.6
申请日：2024-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上布置的第一和第二有源图案，第一和第二有源图案中的每个包括在第一方向上彼此间隔开的第一和第二边缘部分；顺序提供在第一有源图案的第一边缘部分上的第一存储节点焊盘和第一存储节点接触；以及顺序提供在第二有源图案的第二边缘部分上的第二存储节点焊盘和第二存储节点接触。第一存储节点接触和第二存储节点接触中的每个包括金属材料。
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公开(公告)号：CN117295328A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310300364.0
申请日：2023-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：单元有源图案，包括彼此间隔开的第一部分和第二部分；在单元有源图案的第一部分和第二部分之间的栅极结构；在单元有源图案的第一部分上的位线接触；在单元有源图案的第二部分上的连接图案；以及与位线接触和连接图案接触的单元分离图案，其中单元分离图案包括与连接图案接触的第一侧壁和与位线接触接触的第二侧壁，单元分离图案的第二侧壁的上部与位线接触接触，并且单元分离图案的第二侧壁的下部与位线接触间隔开。
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公开(公告)号：CN118843310A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311655659.6
申请日：2023-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源图案，所述第一有源图案包括在第一方向上彼此间隔开的第一边缘部分和第二边缘部分；第一字线，所述第一字线位于所述第一有源图案的所述第一边缘部分与所述第一有源图案的所述第二边缘部分之间，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；位线，所述位线位于所述第一有源图案的所述第一边缘部分上，并且在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸；以及存储节点接触，所述存储节点接触位于所述第一有源图案的所述第二边缘部分上，其中，所述第一边缘部分的顶表面位于比所述第二边缘部分的顶表面高的高度。
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公开(公告)号：CN118804585A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311522317.7
申请日：2023-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种示例半导体存储器件包括在第一方向上延伸并且在第二方向上并排地设置的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案均包括在第一方向上彼此间隔开的第一边缘部分和第二边缘部分。成对的字线被设置为与第一有源图案和第二有源图案中的每一者交叉，成对的位线设置在第一有源图案和第二有源图案中的每一者上并且在第三方向上延伸，并且存储节点接触位于第一有源图案的第一边缘部分上。当在第二方向上测量时，存储节点接触在第一高度处的第一宽度大于在第二高度处的第二宽度。第一高度低于第二高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118434130A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410012621.5
申请日：2024-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此相邻的第一和第二有源图案，第一和第二有源图案中的每个包括在第一方向上彼此间隔开的第一边缘和第二边缘；顺序提供在第一有源图案的第一边缘上的第一存储节点焊盘和第一存储节点接触；顺序提供在第二有源图案的第二边缘上的第二存储节点焊盘和第二存储节点接触；以及在第一和第二存储节点接触之间的栅栏图案。第一存储节点接触的底表面和顶表面分别位于第一水平和第二水平。在第三方向上，栅栏图案在第一水平处的宽度小于栅栏图案在第二水平处的宽度。
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公开(公告)号：CN117956787A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311124026.2
申请日：2023-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域连接区域；单元字线，所述单元字线在所述衬底的所述单元区域上跨所述多个有源区域沿第一水平方向延伸；单元位线，所述单元位线包括单元金属导电图案，所述单元金属导电图案在所述衬底的所述单元区域上沿第二水平方向延伸；以及连接位线，所述连接位线包括连接金属导电图案，所述连接金属导电图案在所述衬底的所述连接区域上沿所述第二水平方向延伸。所述连接位线的顶表面可以位于等于或低于所述单元位线的顶表面的垂直高度，并且所述连接金属导电图案在垂直方向上的高度等于或大于所述单元金属导电图案在所述垂直方向上的高度。
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公开(公告)号：CN117295329A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310634943.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L23/528
Abstract: 可以提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一接触插塞结构，所述第一接触插塞结构位于衬底上；下间隔物结构，所述下间隔物结构位于所述第一接触插塞结构的侧壁上；以及位线结构，所述位线结构位于所述第一接触插塞结构上，并且包括在与所述衬底的上表面基本垂直的垂直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。所述第一接触插塞结构可以包括接触所述衬底的所述上表面的导电焊盘、位于所述导电焊盘上的欧姆接触图案和位于所述欧姆接触图案上的导电填充图案。所述导电填充图案可以包括金属，并且包括具有相对大的宽度的下部和具有相对小的宽度的上部。所述下间隔物结构可以接触所述导电填充图案的侧壁。
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公开(公告)号：CN118804587A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311647139.0
申请日：2023-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括：在第一方向上延伸并且在与所述第一方向交叉的所述第二方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案包括：在第一方向上彼此间隔开的第一边缘部分和第二边缘部分以及位于它们之间的中央部分。位线节点接触位于中央部分上。位线位于位线节点接触上并且在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上延伸。第一有源图案和第二有源图案的中央部分在第二方向上被顺序地设置。每个位线节点接触在顶表面的高度处具有第一宽度，在底表面的高度处具有第二宽度，并且在顶表面与底表面之间具有第三宽度，第三宽度小于第一宽度和第二宽度。
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