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公开(公告)号：CN107068671B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201610950591.8
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 一种半导体装置包括从基板向上突出的第一和第二有源图案、交叉第一和第二有源图案且在第一方向上延伸的栅电极、在第一有源图案上且在栅电极的至少一侧的第一源极/漏极区域、以及在第二有源图案上且在栅电极的至少一侧的第二源极/漏极区域。第一和第二源极/漏极区域具有彼此不同的导电类型，并且第二源极/漏极区域具有与所述第二有源图案的顶表面接触的底表面，并且第二源极/漏极区域的底表面的高度低于第一源极/漏极区域的与第一有源图案的顶表面接触的底表面。第一有源图案具有小于第二有源图案的第二宽度的第一宽度。
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公开(公告)号：CN110828457A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910747076.3
申请日：2019-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。根据示例实施例，该半导体器件包括：衬底，具有有源区；有源区上的栅结构，所述栅结构包括栅介电层和栅电极层，所述栅电极层具有倒圆的上拐角；和栅结构的侧表面上的栅隔墙层，所述栅隔墙层的上表面在比栅电极层的上表面低的高度处。
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公开(公告)号：CN110649020A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910283171.2
申请日：2019-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；第一栅电极层，所述第一栅电极层位于所述第一区域上，并且包括第一导电层；以及第二栅电极层，所述第二栅电极层位于所述第二区域上，并且包括所述第一导电层、位于所述第一导电层上的第二导电层以及位于所述第二导电层上的阻挡金属层，其中，所述第一栅电极层的上表面位于比所述第二栅电极层的上表面低的水平高度上。
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公开(公告)号：CN107068671A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610950591.8
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L23/535 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L27/0207 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/41725 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置包括从基板向上突出的第一和第二有源图案、交叉第一和第二有源图案且在第一方向上延伸的栅电极、在第一有源图案上且在栅电极的至少一侧的第一源极/漏极区域、以及在第二有源图案上且在栅电极的至少一侧的第二源极/漏极区域。第一和第二源极/漏极区域具有彼此不同的导电类型，并且第二源极/漏极区域具有与所述第二有源图案的顶表面接触的底表面，并且第二源极/漏极区域的底表面的高度低于第一源极/漏极区域的与第一有源图案的顶表面接触的底表面。第一有源图案具有小于第二有源图案的第二宽度的第一宽度。
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公开(公告)号：CN110364562B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910125807.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/088
Abstract: 一种集成电路器件包括：多个鳍型有源区从其突出的基板，所述多个鳍型有源区在第一方向上彼此平行地延伸；以及多个栅极结构和多个鳍隔离绝缘部分，在交叉第一方向的第二方向上在基板上延伸并且在第一方向具有恒定的节距，其中所述多个鳍隔离绝缘部分当中的一对鳍隔离绝缘部分在所述多个栅极结构当中的一对栅极结构之间，所述多个鳍型有源区包括多个第一鳍型区和多个第二鳍型区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113270499A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110180664.0
申请日：2021-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/02
Abstract: 本申请提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底、在衬底上的栅极结构、以及在栅极结构中的栅极接触。栅极结构包括在第一方向上延伸的栅电极和在栅电极上的栅极覆盖图案。栅极接触连接到栅电极。栅电极包括沿着栅极接触和栅极覆盖图案之间的边界延伸的突起。
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公开(公告)号：CN113257805A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110078475.2
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，沿第一水平方向在衬底上延伸；栅电极，沿第二水平方向跨有源图案延伸，并且包括第一部分和沿竖直方向从第一部分向上突起的第二部分；覆盖图案，沿第二水平方向在栅电极上延伸；以及栅极接触部，设置在栅电极的第二部分上，与有源图案重叠并且穿透覆盖图案以连接到栅电极。
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公开(公告)号：CN110391286A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910007087.8
申请日：2019-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；第一鳍隔离绝缘部分，在第一区域和第二区域的每个中，并在第一方向上具有第一宽度；在第一区域和第二区域的每个中的一对鳍型有源区，在第一鳍隔离绝缘部分在其间的情况下彼此间隔开，并在第一方向上以直线延伸；在第一区域和第二区域的每个中的一对第二鳍隔离绝缘部分，分别接触第一鳍隔离绝缘部分的两个侧壁，所述两个侧壁面对第一方向上的相反侧；以及多个栅极结构，在第二方向上延伸并包括多个虚设栅极结构。
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公开(公告)号：CN110364562A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910125807.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/088
Abstract: 一种集成电路器件包括：多个鳍型有源区从其突出的基板，所述多个鳍型有源区在第一方向上彼此平行地延伸；以及多个栅极结构和多个鳍隔离绝缘部分，在交叉第一方向的第二方向上在基板上延伸并且在第一方向具有恒定的节距，其中所述多个鳍隔离绝缘部分当中的一对鳍隔离绝缘部分在所述多个栅极结构当中的一对栅极结构之间，所述多个鳍型有源区包括多个第一鳍型区和多个第二鳍型区。
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公开(公告)号：CN109727979A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811260335.1
申请日：2018-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，所述基板具有其间具有场绝缘层的第一有源区和第二有源区，所述场绝缘层接触所述第一有源区和所述第二有源区；以及栅电极，所述栅电极在所述基板上并且横贯所述第一有源区、所述第二有源区和所述场绝缘层。所述栅电极包括在所述第一有源区上方的第一部分、在所述第二有源区上方的第二部分和与第一部分和第二部分接触的第三部分。栅电极包括分别在第一部分、第二部分和第三部分中具有第一厚度、第二厚度和第三厚度的上栅电极，其中，第三厚度大于第一厚度并且小于第二厚度。
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