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公开(公告)号：CN113135873A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011392215.4
申请日：2020-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D277/24 , C07D263/32 , C07D233/64 , C07D213/68 , C07C321/30 , C07C319/20 , G03F7/004
Abstract: 提供了光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造IC装置的方法，所述化合物在曝光时产生酸并且在未曝光状态下用作中和酸的猝灭碱，并且由式1表示：[式1]其中，在式1中，Ra为包括至少一个氮原子的C5至C40取代或未取代的环状烃基，Ya为C1至C20二价直链或环状烃基，n为1至5的整数，A+为抗衡离子。
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公开(公告)号：CN110075713A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201811265066.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于在制造集成电路中使用的化学溶液的过滤器结构以及一种包括该过滤器结构的设备。所述过滤器结构包括：第一膜结构，包括多个膜单元，所述多个膜单元中的每个包括包含多个第一开口的阴极、包括多个第二开口的阳极以及位于阴极与阳极之间的绝缘层；以及过滤器外壳，被构造成在其中容纳第一膜结构，过滤器外壳包括化学溶液通过其引进的入口和化学溶液通过其排出的出口。第一膜结构被构造成使得当在通过入口引进的化学溶液通过第一膜结构的同时将电场施加在阴极与阳极之间时，化学溶液中的具有带正电颗粒和带负电颗粒两者的杂质被俘获在第一膜结构中。
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公开(公告)号：CN101458461B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810183747.X
申请日：2008-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/312 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/0332 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的精细构图方法。为了在集成电路制造期间进行构图，激活图像层而在两个最靠近的激活区域上各形成各自的第一种聚合物链段。在图像层上形成嵌段共聚物层，并且在两个最靠近的激活区域的外边缘之间的图像层的区域上，由嵌段共聚物形成多个第一种聚合物链段以及多个第二和第三种聚合物链段。去除第一、第二和第三种聚合物链段中的至少一种聚合物链段，以形成各种各样的掩模结构。
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公开(公告)号：CN1734352B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200510087449.7
申请日：2005-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/0752 , G03F7/165 , H01L21/0274
Abstract: 提供一种包括含硅的自安装分子层的掩模图形，形成该掩模图形的方法以及制造半导体器件的方法。掩模图形包括在半导体衬底上形成的抗蚀剂图形和在抗蚀剂图形上形成的自安装分子层。自安装分子层具有通过溶胶-凝胶反应形成的硅石网状。为了形成掩模图形，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开口的抗蚀剂图形，以露出底层至第一宽度。然后，仅仅在抗蚀剂图形的表面上有选择地形成自安装分子层，以露出底层至第二宽度，第二宽度小于第一宽度。通过使用抗蚀剂图形和自安装的分子层作为刻蚀掩模刻蚀底层，获得精细图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101398624A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810165695.3
申请日：2008-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/028 , G03F7/004 , C07C321/12 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D339/08
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C309/65 , C07C381/12 , C07D327/06 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D339/08 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及光致产酸剂、包括其的化学增幅抗蚀剂组合物及相关方法。由式1或式2表示的光致产酸剂，其中R1、R2和R3各自独立地为C1－C10烷基，X为与S+形成环的C3－C20脂环烃基团，并且该脂环烃基团中的至少一个CH2可被选自S、O、NH、羰基和R5－S+A－中的至少一种代替，其中R5为C1－C10烷基，且A－为平衡离子。
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公开(公告)号：CN1752846A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510106911.3
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/023 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 掩模图形包括抗蚀剂图形和抗蚀剂图形的表面上的凝胶层，凝胶层具有包括质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的结点。还提供形成掩模图形的方法和使用该掩模图形作为刻蚀掩模制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113219786A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011085310.X
申请日：2020-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了光刻方法和制造半导体器件的方法，所述光刻方法包括：在衬底上施用组合物以形成光致抗蚀剂层；使用极紫外辐射(EUV)对光致抗蚀剂层执行曝光工艺；使光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案，其中，组合物包括光敏树脂、光酸产生剂、光可分解猝灭剂、添加剂和溶剂，添加剂是由下面的式4A表示的化合物：[式4A]在式4A中，R1至R5均独立地为氢或碘，R1至R5中的至少一者为碘。
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公开(公告)号：CN113185432A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202011387643.8
申请日：2020-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07C309/12 , C07C321/30 , C07C319/20 , C07C303/22 , G03F7/004
Abstract: 提供一种光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法。所述光可分解化合物包括：阴离子组分，包括金刚烷基；阳离子组分，包括C5至C40环烃基，并且与阴离子组分形成络合物。所述金刚烷基和所述环烃基中的至少一者具有取代基，所述取代基通过酸而分解并产生碱溶性基团。所述取代基包括酸不稳定性保护基。所述光致抗蚀剂组合物包括化学放大型聚合物、所述光可分解化合物和溶剂。为了制造集成电路(IC)装置，在特征层上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜，对光致抗蚀剂膜的第一区域进行曝光以在第一区域中从光可分解化合物产生多种酸，化学放大型聚合物由于所述多种酸而脱保护，并且去除第一区域以形成光致抗蚀剂图案。
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