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公开(公告)号：CN101614381B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910149964.1
申请日：2009-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K1/0295 , H01L25/0753 , H01L2224/16225 , H05K2201/09227 , H05K2201/09254 , H05K2201/09318 , H05K2201/0949 , H05K2201/09663 , H05K2201/09954 , H05K2201/10106 , H05K2203/173
Abstract: 本发明提供一种副底座、包括副底座的发光器件以及制造方法。该副底座适于安装在其上的器件的AC和DC运行，其包括：基础基板，包括第一表面和第二表面，第一表面与第二表面不同；在第一表面上的导电图案；在第二表面上的第一对第一和第二电极和第二对第一和第二电极；以及延伸穿过第一表面与第二表面之间的基础基板的多个通路，其中导电图案包括沿第一对第一和第二电极的第一电极和第二电极之间的第一电路路径的第一组安装部和两个通路部，以及沿第二对第一和第二电极的第一电极和第二电极之间的第二电路路径的第二组安装部和两个通路部，并且通路部通过通路将导电图案的相应部分连接到第一对第一和第二电极及第二对第一和第二电极中的相应电极。
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公开(公告)号：CN103022314A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210396187.2
申请日：2009-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K1/0295 , H01L25/0753 , H01L2224/16225 , H05K2201/09227 , H05K2201/09254 , H05K2201/09318 , H05K2201/0949 , H05K2201/09663 , H05K2201/09954 , H05K2201/10106 , H05K2203/173
Abstract: 本发明提供一种发光器件，包括：副底座，其包括基础基板、安装部和第一电极及第二电极，所述基础基板包括金属物质，所述金属物质可装满通路或涂上通路的内壁层，所述安装部形成在所述基础基板的一面，且可安装发光元件，所述第一电极及第二电极形成在所述基础基板的另一面，且和所述安装部电连接；磷光体层，为了所述发光元件及所述安装部上产生白色而至少包含黄磷光体或/及红磷光体中之一形成；及透明树脂层，形成在所述磷光体层上。
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公开(公告)号：CN101599457A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910137017.0
申请日：2009-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L2224/73265 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种发光器件、包括发光系统的封装和系统以及其构造方法。本发明涉及一种垂直型发光器件和制造该发光器件的高产量方法。可以在可以在发光系统中放置的各种发光封装中利用这些发光器件。发光器件被设计成将发光效率和/或散热最大化。其他的改进包括嵌入的齐纳二极管，以避免有害的反向偏置电压。
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公开(公告)号：CN1617402A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410044585.3
申请日：2004-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/0071 , H01S5/02248 , H01S5/02476 , H01S5/0427 , H01S5/06226 , H01S5/0683
Abstract: 一种晶体管外形罐(TO－can)型光模块，其包括芯柱、被布置在芯柱中的副管座，以及被安装在副管座中的激光二极管(LD)。具有倾斜的光入射面的光电二极管(PD)将LD发出的光转换成电流。多个引线延伸穿过芯柱，同时电连接到副管座。PD的倾斜的光入射面使得可以获得足够的监测光电流，并且允许p型电极的p侧朝上粘结。由此，块上激光二极管的最小边模抑制比增大了。偏置T形接头被内置于晶体管外形罐中，以减少由直流电流造成的热，以及提高光电效率，同时抑制LD芯片的温度上升。
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公开(公告)号：CN103390720B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310163563.8
申请日：2013-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , H01L24/05 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/50 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种发光器件，其包括：支撑衬底；形成在所述支撑衬底上的至少一个发光叠层，其具有在其中层叠了半导体层的结构；形成在所述衬底上并围绕所述至少一个发光叠层的壁单元；以及布置在所述至少一个发光叠层上方的波长变换层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101604724B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200910149627.2
申请日：2009-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L21/60
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/73 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01066 , H01L2924/01087 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光元件、包括该发光元件的发光器件及其制造方法。发光器件包括：在底板上的第一电极；在底板上的第二电极；在底板上的第三电极；发射结构，在第一电极上和/或与第一电极处于相同的高度；第一图案，在底板上且电连接到第一电极；以及在底板上的多个第二图案，其中至少一个第二图案布置在第一图案的第一侧且电连接到第二电极，至少另一个第二图案布置在第一图案的第二侧且电连接到第三电极，第一侧与第二侧相反。
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公开(公告)号：CN103390720A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310163563.8
申请日：2013-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , H01L24/05 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/50 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种发光器件，其包括：支撑衬底；形成在所述支撑衬底上的至少一个发光叠层，其具有在其中层叠了半导体层的结构；形成在所述衬底上并围绕所述至少一个发光叠层的壁单元；以及布置在所述至少一个发光叠层上方的波长变换层。
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公开(公告)号：CN101599457B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910137017.0
申请日：2009-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金维植
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L2224/73265 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种发光器件、包括发光系统的封装和系统以及其构造方法。本发明涉及一种垂直型发光器件和制造该发光器件的高产量方法。可以在可以在发光系统中放置的各种发光封装中利用这些发光器件。发光器件被设计成将发光效率和/或散热最大化。其他的改进包括嵌入的齐纳二极管，以避免有害的反向偏置电压。
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公开(公告)号：CN103192459A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310006855.0
申请日：2013-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , H01L33/005 , H01L33/0095
Abstract: 本发明涉及晶片切割方法及采用该方法制造发光器件芯片的方法。一种晶片切割方法包括：在晶片的第一表面上形成半导体器件；对所述晶片的一部分和所述半导体器件进行第一切割；及通过对已进行第一切割的所述晶片进行第二切割，将所述晶片和所述半导体器件分成多个半导体器件芯片。
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公开(公告)号：CN101615648A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910149965.6
申请日：2009-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L21/60
CPC classification number: H01L33/20 , H01L25/0753 , H01L33/145 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/10158 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01039
Abstract: 本发明涉及发光器件、发光装置及其制造方法，该发光器件包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；发射图案，其包括在第一电极与第二电极之间的部分；以及阻挡图案，其包括在发射图案与第一电极之间的部分和/或与第一电极处于相同高度。
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