公开(公告)号：CN1628494A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02829140.9

申请日：2002-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑縝九 ,  崔埈厚 ,  金湘甲 ,  崔熙焕 ,  崔凡洛

IPC: H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L21/31633 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明公开了一种用于提高发光效率的有机电致发光(EL)器件。在衬底上形成第一电极。在第一电极和衬底上形成具有暴露第一电极的开口的低介电常数的CVD绝缘膜。在开口上依次叠置有机EL层和第二电极。包围有机EL层的区域的壁由低介电常数的CVD绝缘膜形成，可以利用O2等离子进行象素电极的表面处理，由此提高发光特性。

公开(公告)号：CN1615453A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02827187.4

申请日：2002-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋长根 ,  金湘甲 ,  李胜熙

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/133514

Abstract: 本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法。以单独的方式形成红、绿和蓝像素区的单元间隙以修正颜色偏移来增强图像质量。用于控制单元间隙的开口设置在保护层和栅极绝缘层中并具有Z字形边界。以这种方式，能够防止开口边界附近漏光。

公开(公告)号：CN101009250B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200610142803.6

申请日：2006-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  秦洪基 ,  金湘甲 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。其中在蚀刻所述欧姆接触层和所述半导体层的步骤中，所述欧姆接触层和所述半导体层的一部分被向内蚀刻。

公开(公告)号：CN100414673C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200510129428.7

申请日：2005-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔熙焕 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  秦洪基

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。

公开(公告)号：CN101063755A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710100846.2

申请日：2007-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲

IPC: G02F1/13 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 在形成金属线的方法和制造显示基板的方法中，沟道层和金属层连续地形成在基板上。光致抗蚀剂图案形成在布线区域。利用光致抗蚀剂图案蚀刻金属层以形成金属线。移除预定厚度的光致抗蚀剂图案以在金属线上形成残留的光致抗蚀剂图案。利用金属线蚀刻沟道层以形成位于金属线下面的底切。利用残留的光致抗蚀剂图案移除金属线的突起部分。突起部分相对于地突出于底切的形成构造。因此，增加了开口率，防止了余像并提高了显示质量。

公开(公告)号：CN1491442A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN02804810.5

申请日：2002-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  郑宽旭 ,  洪完植 ,  金湘甲 ,  洪雯杓

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1345

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成栅极布线；接着，在形成一栅极绝缘膜后，在其上顺序形成一半导体层和一欧姆接触层；其次，形成数据布线；再沉积一钝化层和一有机绝缘膜并对其进行构图，以形成分别用于暴露漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的接触孔，其中，所述接触孔周围的有机绝缘膜形成得比其它部分中的有机绝缘膜薄；然后，通过灰磨工艺去除接触孔周围的有机绝缘膜，以暴露接触孔中的钝化层的边界线，从而消除钻蚀，之后，形成分别连接至漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的一像素电极、一辅助栅极衬垫和一辅助数据衬垫。

公开(公告)号：CN101097928B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200710126331.X

申请日：2007-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秦洪基 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  金周汉

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板以及该TFT阵列基板的制造方法，在所述TFT阵列基板中，在接触部分中提供了导电材料之间足够大的接触面积。所述TFT阵列基板包括设置在绝缘基板上的栅极互连线、覆盖所述栅极互连线的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的半导体层、包括设置在所述半导体层上的数据线、源电极和漏电极的数据互连线、设置在所述数据互连线上并暴露所述漏电极的第一钝化膜、设置在所述第一钝化膜上的第二钝化膜、以及与所述漏电极电连接的像素电极。所述第二钝化膜的外侧壁位于所述第一钝化膜的外侧壁之内。半导体层除了位于所述源电极和所述漏电极之间的部分之外，基本与数据线、源电极和漏电极具有相同的平面形状。

公开(公告)号：CN101063755B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710100846.2

申请日：2007-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲

IPC: G02F1/13 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 在形成金属线的方法和制造显示基板的方法中，沟道层和金属层连续地形成在基板上。光致抗蚀剂图案形成在布线区域。利用光致抗蚀剂图案蚀刻金属层以形成金属线。移除预定厚度的光致抗蚀剂图案以在金属线上形成残留的光致抗蚀剂图案。利用金属线蚀刻沟道层以形成位于金属线下面的底切。利用残留的光致抗蚀剂图案移除金属线的突起部分。突起部分相对于地突出于底切的形成构造。因此，增加了开口率，防止了余像并提高了显示质量。

公开(公告)号：CN1828914B

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200610057753.1

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN1897285B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610098474.X

申请日：2006-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  李禹根 ,  金时烈 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  皇甫尙佑 ,  吴旼锡 ,  柳慧英 ,  秦洪基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。